【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体,尤其涉及一种用于晶圆切割的有机硅改性压敏胶的制备方法。
技术介绍
1、所谓晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之ic产品。晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达99.999999999%。
2、随着全球智能手机和pc需求回暖、汽车电子产业快速扩张,全球芯片需求持续扩张,尤其是2020-2021年新能源汽车快速发展背景下,汽车芯片需求爆发,供不应求背景下带动晶圆开工率和产能大幅度提升,数据显示,全球2021年晶圆代工销售额增长26%达1101亿美元。2022年来看,早期预计2022年将保持20%以上幅度增长,7月主要下游企业amd、英伟达和苹果下调订单量,预计增长将下降,维持在10%左右。
3、2021年晶圆需求爆发,下游汽车和消费电子企业需求持续增长,产能和产能利用率达到近年来新高,产能增长8.5%至2
...【技术保护点】
1.一种用于晶圆切割的有机硅改性压敏胶的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种用于晶圆切割的有机硅改性压敏胶的制备方法,其特征在于:S1步骤中的丙烯酸异辛酯、甲基丙烯酸异辛酯、丙烯酸的反应摩尔比为4:5:8,条件为引发剂、加热。
3.根据权利要求2所述的一种用于晶圆切割的有机硅改性压敏胶的制备方法,其特征在于:S1步骤中的丙烯酸异辛酯、甲基丙烯酸异辛酯可以根据空间长度及支化度更改。
4.根据权利要求1所述的一种用于晶圆切割的有机硅改性压敏胶的制备方法,其特征在于:S1步骤中的官能团分别为双键烯基、酯基、羧
...【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆切割的有机硅改性压敏胶的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种用于晶圆切割的有机硅改性压敏胶的制备方法,其特征在于:s1步骤中的丙烯酸异辛酯、甲基丙烯酸异辛酯、丙烯酸的反应摩尔比为4:5:8,条件为引发剂、加热。
3.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨玉龙,
申请(专利权)人:浙江中特化工有限公司,
类型:发明
国别省市:
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