一种使用非接触式故障检测来测试电气连接的传感器装置制造方法及图纸

技术编号:40740970 阅读:2 留言:0更新日期:2024-03-25 20:00
公开了一种使用非接触式故障检测来测试电气连接的传感器装置。所述传感器装置包括:表面线圈,其包括多个同心回路,所述多个同心回路设置在远离所述电气连接的第一区域处。所述同心回路生成穿过所述电气连接的第一磁场,并且所述第一磁场等效于由与所述电气连接相邻的同轴中间电流回路基于所述表面线圈中的激励电流生成的磁场。所述传感器装置还包括传感器,其适配成检测位于远离所述电气连接的第二区域处的第二磁场,其中检测到的第二磁场中的变化提供所述电气连接的性能类别。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种使用非接触式故障检测来测试电气连接的传感器装置


技术介绍

1、电气和电子部件需要测试以确保正常工作状态。例如,集成电路和印刷电路板组件(pcba)有许多可能出现故障的电气部件。这些故障(诸如开路或断路以及短路)会对发生这些故障的装置的功能造成严重破坏。因此,需要测试装置以确定故障位于何处。

2、然而,由于这些故障通常位于被测装置(dut)的不容易接近的区域中,目前确定dut的电气连接中的故障的尝试相当有限(如果有的话)。例如,pcba在线测试(ict)中的某些现有解决方案在测试期间要么使用通电的dut(例如,通电的pcba),要么在dut未通电时使用接触探针。在此类测试应用中使用的许多已知装置需要通过探针传感器尖端与dut进行物理接触。值得注意的是,通电ict技术的测试能力有限,并且可能在测试过程中无意中使故障的pcb遭受进一步损坏。在这方面,接触探针为未通电的dut提供了可靠的ict解决方案。然而,由于不断增加的部件密度和pcb上用于测试点或弹簧针的空间有限,已知的接触探针的能力有限。进一步,由于装置的许多位置不可及,诸如多层pcb和先进ic封装(例如,包括球栅阵列(bga)的ic封装),实现所需测试的接触探针不实际或无用。另外,许多多层电子板和封装通常在多个介电层内具有多个部件。为此,已知的接触探针不能物理地到达这些部件以进行测试,因此不能用于此类装置中。

3、因此,需要一种至少克服上述已知方法和系统的缺点的解决方案。


技术实现思路

1、根据本公开的一个方面,公开了一种使用非接触式故障检测来测试电气连接的传感器装置。所述传感器装置包括:表面线圈,其包括多个同心回路,所述多个同心回路设置在远离所述电气连接的第一区域处。所述同心回路生成穿过所述电气连接的第一磁场,并且所述第一磁场等效于由与所述电气连接相邻的同轴中间电流回路基于所述表面线圈中的激励电流生成的磁场。所述传感器装置还包括传感器,其适配成检测位于远离所述电气连接的第二区域处的第二磁场,其中检测到的第二磁场中的变化提供所述电气连接的性能类别。

2、根据本公开的另一个方面,公开了一种使用非接触式故障检测来测试被测装置(dut)中的电气连接的系统。所述系统包括:表面线圈,其包括多个同心回路,所述多个同心回路设置在远离所述电气连接的第一区域处。所述同心回路生成穿过所述电气连接的第一磁场,并且所述第一磁场等效于由与所述电气连接相邻的同轴中间电流回路基于所述表面线圈中的激励电流生成的磁场。所述系统还包括适配成检测位于远离电气连接的第二区域的第二磁场的传感器。检测到的第二磁场中的变化提供所述电气连接的性能类别。所述系统还包括控制器,其适配成调整所述表面线圈的位置和电流值,以在所需位置提供所述同轴中间电流回路。

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【技术保护点】

1.一种使用非接触式故障检测来测试电气连接的传感器装置,所述传感器装置包括:

2.根据权利要求1所述的传感器装置,其中所述传感器处的所述第二磁场包括所述第一磁场和第三磁场的组合。

3.根据权利要求2所述的传感器装置,其中同轴中间电流回路生成穿过第三区域的所述第一磁场,并且所述电气连接中的电流生成所述第三磁场。

4.根据权利要求2所述的传感器装置,其中所述第二磁场中的变化由所述电气连接中的开路缺陷或短路缺陷引起。

5.根据权利要求4所述的传感器装置,其中与没有短路缺陷的电气连接相比,所述短路缺陷阻挡了来自所述同轴中间电流回路的所述第一磁场,并且导致由所述传感器测量的所述第二磁场具有较低的磁场。

6.根据权利要求4所述的传感器装置,其中与没有开路的电气连接相比,所述开路缺陷导致磁场通过所述开路缺陷泄漏到所述传感器,并且导致由所述传感器测量的所述第二磁场具有更大的量值。

7.根据权利要求1所述的传感器装置,其中所述表面线圈是设置在平面中的静态负磁导率超表面线圈。

8.根据权利要求1所述的传感器装置,其中电气连接是被测装置的部件,并且所述电气连接位于第三区域中。

9.根据权利要求8所述的传感器装置,其中所述被测装置包括电路封装,所述电路封装包括电子部件和电气连接。

10.根据权利要求1所述的传感器装置,其中所述电气连接包括多个导电球,所述导电球被配置成提供电路封装和印刷电路板之间的电气连接。

11.根据权利要求1所述的传感器装置,其中基于所述同轴中间电流回路的期望位置确定所述激励电流中的电流水平。

12.一种使用非接触式故障检测来测试电气连接的传感器装置,所述传感器装置包括:

13.根据权利要求12所述的传感器装置,其中所述传感器处的所述第二磁场包括所述第一磁场和第三磁场的组合。

14.根据权利要求13所述的传感器装置,其中同轴中间电流回路生成穿过第三区域的所述第一磁场,并且所述电气连接中的电流生成所述第三磁场。

15.根据权利要求13所述的传感器装置,其中所述第二磁场中的变化由所述电气连接中的开路缺陷或短路缺陷引起。

16.根据权利要求15所述的传感器装置,其中与没有短路缺陷的电气连接相比,所述短路缺陷阻挡了来自所述同轴中间电流回路的所述第一磁场,并且导致由所述传感器测量的所述第二磁场具有较低的磁场。

17.根据权利要求15所述的传感器装置,其中与没有开路的电气连接相比,所述开路缺陷导致磁场通过所述开路缺陷泄漏到所述传感器,并且导致由所述传感器测量的所述第二磁场具有更大的量值。

18.根据权利要求12所述的传感器装置,其中所述表面线圈是设置在平面中的静态负磁导率超表面线圈。

19.根据权利要求12所述的传感器装置,其中电气连接是被测装置的部件,所述电气连接在第三区域中。

20.根据权利要求12所述的传感器装置,其中所述电气连接包括多个导电球,所述导电球被配置成提供电路封装和印刷电路板之间的电气连接。

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【技术特征摘要】

1.一种使用非接触式故障检测来测试电气连接的传感器装置,所述传感器装置包括:

2.根据权利要求1所述的传感器装置,其中所述传感器处的所述第二磁场包括所述第一磁场和第三磁场的组合。

3.根据权利要求2所述的传感器装置,其中同轴中间电流回路生成穿过第三区域的所述第一磁场,并且所述电气连接中的电流生成所述第三磁场。

4.根据权利要求2所述的传感器装置,其中所述第二磁场中的变化由所述电气连接中的开路缺陷或短路缺陷引起。

5.根据权利要求4所述的传感器装置,其中与没有短路缺陷的电气连接相比,所述短路缺陷阻挡了来自所述同轴中间电流回路的所述第一磁场,并且导致由所述传感器测量的所述第二磁场具有较低的磁场。

6.根据权利要求4所述的传感器装置,其中与没有开路的电气连接相比,所述开路缺陷导致磁场通过所述开路缺陷泄漏到所述传感器,并且导致由所述传感器测量的所述第二磁场具有更大的量值。

7.根据权利要求1所述的传感器装置,其中所述表面线圈是设置在平面中的静态负磁导率超表面线圈。

8.根据权利要求1所述的传感器装置,其中电气连接是被测装置的部件,并且所述电气连接位于第三区域中。

9.根据权利要求8所述的传感器装置,其中所述被测装置包括电路封装,所述电路封装包括电子部件和电气连接。

10.根据权利要求1所述的传感器装置,其中所述电气连接包括多个导电球,所述导电球被配置成提供电路封装和印刷电路板之间的电气连接。

11.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:S·黄邱铁A·泰克M·普拉贾帕蒂
申请(专利权)人:是德科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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