【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，具体涉及一种双脊型波导半导体激光器及其制作方法。
技术介绍
1、半导体激光二极管(ld)在各类激光器中拥有最佳的能量转化效率，随着其在功率、效率、亮度、寿命、多波长、调制速率等方面的不断突破，被广泛应用于材料加工、医疗、光通信、传感、国防等领域。
2、为了增强半导体激光器的横向光场限制和电流限制，目前国内外传统半导体激光器通常在p型限制层和p型接触层设计脊型波导。且，目前国内外制备传统半导体激光器的脊型波导的主要技术方案是采用干法刻蚀工艺，然而这种制备方法会造成侧壁损伤且难以修复，损伤p型接触层表面，减小p型欧姆接触面积和p侧的导电通道，从而会增加光吸收损耗，形成漏电通道，不利于散热且容易增加激光器的工作电压。
3、公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种双脊型波导半导体激光器及其制作方...
【技术保护点】
1.一种双脊型波导半导体激光器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的双脊型波导半导体激光器，其特征在于，所述第一条形窗口，其靠近所述n型电极的一端的宽度大于或等于其靠近所述外延结构的一端的宽度；和/或，
3.根据权利要求1所述的双脊型波导半导体激光器，其特征在于，所述n型脊型波导是通过如下步骤形成：
4.一种双脊型波导半导体激光器的制作方法，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的双脊型波导半导体激光器的制作方法，其特征在于，在所述第一条形窗口内利用横向外延过生长技术进行所述n型覆盖层以及所述n型限制层的外延
【技术特征摘要】
1.一种双脊型波导半导体激光器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的双脊型波导半导体激光器，其特征在于，所述第一条形窗口，其靠近所述n型电极的一端的宽度大于或等于其靠近所述外延结构的一端的宽度；和/或，
3.根据权利要求1所述的双脊型波导半导体激光器，其特征在于，所述n型脊型波导是通过如下步骤形成：
4.一种双脊型波导半导体激光器的制作方法，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的双脊型波导半导体激光器的制作方法，其特征在于，在所述第一条形窗口内利用横向外延过生长技术进行所述n型覆盖层以及所述n型限制层的外延生长；和/或，
6.根据权利要求4所述的双脊型波导半导体激光器的制作方法，其特征在于，通过光刻、湿法腐蚀、干法刻蚀工艺，在所述第一掩膜层上制备出并列排设的第一条形窗...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱建军，龚毅，杨文献，陆书龙，华浩文，张鹏，顾颖，黄梦洋，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：
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