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本发明公开了一种双脊型波导半导体激光器及其制作方法，其中，第一掩膜层形成于n型电极上，第一掩膜层内形成有第一条形窗口；n型脊型波导形成于第一条形窗口内；外延结构形成于n型脊型波导表面；第二掩膜层形成于外延结构表面，第二掩膜层内形成有第二条形...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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