环栅堆叠纳米片沟道的源漏双掺杂可重构场效应晶体管制造技术

本发明专利技术公开了一种环栅堆叠纳米片沟道的源漏双掺杂可重构场效应晶体管，包括被栅极四面包裹的三层纳米片沟道，设于纳米片沟道两端具有双重掺杂的源端和漏端，设于纳米片沟道左右两侧对称分布的边墙，与边墙接触、四面包裹沟道的栅极氧化物，四面包裹栅极氧化物的控制栅极和极性栅极。特征是器件的源端和漏端均具备双掺杂，两端同一侧为同种掺杂半导体，沟道为本征硅或轻掺杂的硅，形成n‑i‑n与p‑i‑p结构。本发明专利技术与现有的肖特基结隧穿型可重构场效应晶体管（SBRFET）相比，源端不受费米能级钉扎影响，容易获得电流对称性；源漏双掺杂可在器件导通的情况下提供大量电子或空穴，驱动电流提高的同时泄漏电流变化不大，故有更大的电流开关比，逻辑响应更快。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件中的场效应晶体管领域，具体涉及一种环栅堆叠纳米片沟道的源漏双掺杂可重构场效应晶体管。

技术介绍

1、近几十年来，集成电路产业已经取得飞速发展，半导体工艺和器件的进步使得集成电路产业在过去的几十年间一直得以遵循着摩尔定律发展。为了追赶摩尔定律、追求集成度更高功能更多的集成电路，器件的特征尺寸一再缩小。器件的缩小意味着寄生电容面积的缩小，也就意味着更好的速度和功耗性能。然而器件尺寸的缩小也带来了短沟道效应，使得器件性能退化。单纯依靠工艺节点的进步来提升器件性能与集成度面临工艺壁垒以及经济制约，无法满足时代需求。在后摩尔定律时代，业界开始将目光更多地投向新型器件结构。

2、可重构场效应晶体管(rfet)凭借结构上的优势，可以在电路中实现互补的逻辑运算，增强电路设计的灵活性。这类器件通常使用金属作为源端和漏端，故电子和空穴均可以导电。设有控制栅极和极性栅极两种栅极，通过对极性栅极施加不同的电压偏置，能够选择性地控制两端肖特基结中发生隧穿的载流子类型，使器件表征出n型或p型的特性。控制栅极则通过影响沟道势垒决定器件的导通与关断。由本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种环栅堆叠纳米片沟道的源漏双掺杂可重构场效应晶体管，其特征在于，它包括：

2.根据权利要求1所述的源漏双掺杂环栅堆叠纳米片可重构场效应晶体管，其特征在于，所述堆叠纳米片沟道（1）为本征硅或轻掺杂的硅；

【技术特征摘要】

1.一种环栅堆叠纳米片沟道的源漏双掺杂可重构场效应晶体管，其特征在于，它包括：

2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙亚宾，张佳宁，石艳玲，刘赟，李小进，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：