一种CsPbBr3微腔及其气相制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种钙钛矿CsPbBr3微腔的制备方法，包括步骤：S1.将一定计量比的CsBr、PbBr2粉末装入管式炉中，将衬底置于管式炉气体下游位置。S2.在步骤S1.之后，将管式炉密封，将管式炉中空气抽去，通入惰性气体，然后在一定的压强下以及载气流量下，将温度升高至650℃进行气相沉积。在沉积结束后，等待设备自然冷却至100℃以下，将沉积所得样品从炉内取出，得到CsPbBr3微腔。本发明专利技术提供的方法在制备过程中无需用到各种有机溶液和催化剂，对环境污染小，能够快速地在不同衬底上沉积出不同形貌的CsPbBr3微腔结构，并且操作步骤简单，设备要求低，可规模化生产，在不同条件下可制备得到不同形状的CsPbBr3微腔；而且，生产的CsPbBr3微腔有着良好的荧光特性。本发明专利技术具有广泛应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于发光材料，涉及一种钙钛矿cspbbr3微腔及其制备方法和应用。

技术介绍

1、钙钛矿(perovskite)是一种具有化学通式abx3的材料,其中a是有机阳离子，例如甲基铵(ma+)或甲脒(fa+)，或无机阳离子cs+，阳离子b通常为pb2+或sn2+，阴离子x是卤化物离子br-、cl-或i-。显然，钙钛矿的光学和电学性质直接取决于结晶质量。为了实现高性能的光电器件，需要获得均匀的薄膜和高质量的钙钛矿晶体。其中，金属卤化物钙钛矿(mhps)表现出优异的光电性能：首先，金属卤化物钙钛矿成本低，易于通过溶液或气相沉积法进行加工。其次，带隙很容易通过改变卤化物配置来调节。第三，高载流子迁移率和长载流子寿命可以导致长载流子迁移距离、双极电荷转移特性和低结合能。因此，其在太阳能电池(scs)、光电探测器、发光二极管(leds)、激光器等光电器件中表现出巨大的潜在应用。

2、目前，最常用的合成纳米晶的方法有逆温结晶法、溶液降温法、反溶剂重结晶法、蒸发结晶法、旋涂法和化学气相沉积法等。然而，上述钙钛矿cspbbr3制备方法均属于溶液法，需要用到本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钙钛矿CsPbBr3微腔的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述衬底为不同晶向的Si衬底和ITO玻璃衬底。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述CsBr、PbBr2粉末的摩尔比为1:1-1:2。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述温度升高包括快速升温速率，或者包括慢速升温速率；其中，

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种钙钛矿cspbbr3微腔的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤s1中，所述衬底为不同晶向的si衬底和ito玻璃衬底。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤s1中，所述csbr、pbbr2粉末的摩尔比为1:1-1:2。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤s2中，所述温度升高包括快速升温速率，或者包括慢速升温速率；其中，

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤s2中，

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述载气流量为0时，即不通入气体,将所述压强设定为0.1大气压，能够生长出方型钙钛矿cspbbr3微腔，所生长出的方型钙钛矿微腔均为完整的立方体或长方体，结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈少强，曹正浩，翁国恩，苏展，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：