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本发明公开了一种环栅堆叠纳米片沟道的源漏双掺杂可重构场效应晶体管，包括被栅极四面包裹的三层纳米片沟道，设于纳米片沟道两端具有双重掺杂的源端和漏端，设于纳米片沟道左右两侧对称分布的边墙，与边墙接触、四面包裹沟道的栅极氧化物，四面包裹栅极氧化物...
该专利属于华东师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华东师范大学授权不得商用。

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