【技术实现步骤摘要】
本申请涉及器件检测，尤其涉及一种电子元器件的检测方法。
技术介绍
1、随着各国对空天和国防领域的日益重视，功率mos器件(电子元器件)作为众多型号上装应用的主要芯片之一，已经被广泛应用在航空航天等高精尖领域之中。
2、然而功率mos器件在实际使用过程中，宇宙射线、高能粒子和电磁干扰会对mos器件的功能产生影响，严重者甚至会产生功能失效。
3、基于此，为了保证mos器件在轨运行期间具有高可靠性和正常的使用寿命，亟需提出一种对mos类别的器件进行辐照试验来验证器件的抗辐照性能的方法。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请的目的在于提出一种利用辐射源产生的高能粒子来验证器件的抗辐照性能的辐照方法。
2、基于上述目的，本申请提供了一种电子元器件的检测方法，包括：
3、调整待检测器件的偏置电压，以使得所述待检测器件处于工作环境下的电路中；
4、使用辐射源产生的高能粒子照射所述待检测器件；
5、获取照射前后所述待检测器件的参数变化数据；
6、基于所述参数变化数据，确定所述待检测器件的输出特性曲线，判断所述待检测器件是否发生单粒子烧毁和/或单粒子栅穿。
7、在一些实施例中，所述参数变化数据至少包括所述待检测器件在不同栅极电压下，漏极持续工作电流与漏极和源极之间电压变化关系。
8、在一些实施例中，基于所述参数变化数据，确定所述待检测器件的输出特性曲线，判断所述待检测器件是否发生单粒子烧毁和/或
9、在不同的所述栅极电压下，若所述待检测器件的漏极持续工作电流随着源极和漏极之间电压变化而变化，则确定所述待检测器件未发生单粒子损毁；
10、若所述待检测器件的漏极持续工作电流不随源极和漏极之间电压变化而变化，则确定所述待检测器件发生单粒子损毁；
11、若所述待检测器件的漏极持续工作电流到第一阈值则不随源极和漏极之间电压变化而变化，则确定所述第一阈值为所述待检测器件的漏极稳定工作电流。
12、在一些实施例中，还包括：
13、若所述待检测器件未发生单粒子烧毁和/或单粒子栅穿效应，则增加所述高能粒子的照射量、照射时间和偏置电压值；
14、再次执行所述获取参数变化数据和判断所述待检测器件是否发生单粒子烧毁和/或单粒子栅穿效应的步骤。
15、在一些实施例中，还包括：
16、若检测到所述待检测器件发生单粒子烧毁和/或单粒子栅穿效应，则对所述待检测元件进行断电保护处理。
17、在一些实施例中，在调整待检测器件的偏置电压的步骤之前，还包括：
18、对所述待检测器件进行预处理，所述预处理至少包括开帽处理、减薄处理和清洁处理。
19、在一些实施例中，使用辐射源产生的高能粒子照射所述待检测器件，包括：
20、通过所述辐射源，向所述待检测器件的垂直方向上发射高能粒子。
21、在一些实施例中，还包括：
22、基于产品说明，对所述待检测器件的电学性能进行检测。
23、在一些实施例中，基于所述参数变化数据，判断所述待检测器件是否发生单粒子烧毁和/或单粒子栅穿效应，包括：
24、利用所述参数变化数据，生成参数变化特征图；
25、利用所述参数变化特征图，判断所述待检测器件是否发生单粒子烧毁和/或单粒子栅穿效应。
26、在一些实施例中，还包括：
27、在静电环境中对所述待检测器件进行检测。
28、从上面所述可以看出，本申请提供的电子元器件的检测方法，利用辐射源产生的高能粒子来验证器件的抗辐照性能的辐照方法，不会对其他功能产生影响，可以有效剔除辐照能力不合格的器件。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种电子元器件的检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子元器件的检测方法，其特征在于，所述参数变化数据至少包括所述待检测器件在不同栅极电压下，漏极持续工作电流与漏极和源极之间电压变化关系。
3.根据权利要求2所述的电子元器件的检测方法，其特征在于，基于所述参数变化数据，确定所述待检测器件的输出特性曲线，判断所述待检测器件是否发生单粒子烧毁和/或单粒子栅穿，包括：
4.如权利要求1所述的电子元器件的检测方法，其特征在于，还包括：
5.如权利要求1所述的电子元器件的检测方法，其特征在于，还包括：
6.如权利要求1所述的电子元器件的检测方法，其特征在于，在调整待检测器件的偏置电压的步骤之前，还包括：
7.如权利要求1所述的电子元器件的检测方法，其特征在于，使用辐射源产生的高能粒子照射所述待检测器件，包括：
8.如权利要求1所述的电子元器件的检测方法，其特征在于，还包括：
9.如权利要求2所述的电子元器件的检测方法，其特征在于，基于所述参数变化数据，判断所述待检测器件是否
10.如权利要求1所述的电子元器件的检测方法，其特征在于，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种电子元器件的检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子元器件的检测方法，其特征在于，所述参数变化数据至少包括所述待检测器件在不同栅极电压下，漏极持续工作电流与漏极和源极之间电压变化关系。
3.根据权利要求2所述的电子元器件的检测方法，其特征在于，基于所述参数变化数据，确定所述待检测器件的输出特性曲线，判断所述待检测器件是否发生单粒子烧毁和/或单粒子栅穿，包括：
4.如权利要求1所述的电子元器件的检测方法，其特征在于，还包括：
5.如权利要求1所述的电子元器件的检测方法，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：路浩通，刘恒，郑学恒，高祎璠，
申请(专利权)人：航天科工防御技术研究试验中心，
类型：发明
国别省市：
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