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本申请提供一种电子元器件的检测方法，包括：调整待检测器件的偏置电压，以使得待检测器件处于工作环境下的电路中；使用辐射源产生的高能粒子照射所述待检测器件；获取照射前后待检测器件的参数变化数据；基于参数变化数据，确定所述待检测器件的输出特性曲线...
该专利属于航天科工防御技术研究试验中心所有，仅供学习研究参考，未经过航天科工防御技术研究试验中心授权不得商用。

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