高频放大器、射频芯片及雷达制造技术

技术编号:40714496 阅读:56 留言:0更新日期:2024-03-22 12:51
本技术提供了一种高频放大器、一种射频芯片及一种雷达。所述高频放大器包括:第一晶体管,其中,电源经由所述第一晶体管的漏极和源极接地,所述第一晶体管的栅极经由第一LC结构连接所述高频放大器的输入端,所述第一晶体管的漏极经由波导结构及第二LC结构连接所述高频放大器的输出端;以及RC反馈电路,其第一端连接所述第一晶体管的栅极,而其第二端经由所述波导结构连接所述第一晶体管的漏极。通过采用上述配置,本技术能在不影响放大器输入输出阻抗匹配的情况下,通过配置适应放大器电路参数的波导结构参数,降低放大器输出端输出阻抗的品质因子,以提升放大器的高频增益。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及射频通信,尤其涉及一种高频放大器、一种射频芯片,以及一种雷达。


技术介绍

1、放大器(amplifier)是一种用于放大输入信号的电压或功率的电子装置,由电源、晶体管和其他电子元件组成,被广泛应用于通讯、广播、雷达、电视、自动控制等各种
然而,由于cmos晶体管的最大增益会随工作频率上升而逐渐降低,当工作频率上升到ka频段(26.5ghz~40ghz)时,传统的cmos放大器电路往往就难以实现较高的增益,因而难以满足射频(尤其是ka频段)设备的高增益需求。

2、为了克服现有技术存在的上述缺陷,本领域亟需一种射频信号的放大技术,用于在不影响放大器输入输出阻抗匹配的情况下提升放大器的高频增益。


技术实现思路

1、以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览,并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高频放大器,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的高频放大器,其特征在于,还包括至少一个第二晶体管,其中,

3.如权利要求2所述的高频放大器,其特征在于,所述波导结构包括共面波导线和/或微带线。

4.如权利要求3所述的高频放大器,其特征在于,还包括第三电感及第四电感,其中,所述第一晶体管的源极经由所述第三电感接地,所述电源经由所述第四电感连接所述波导结构。

5.如权利要求4所述的高频放大器,其特征在于,还包括至少一个串联连接的第五电感,其中,所述波导结构经由所述至少一个串联连接的第五电感,分别连接所述第四电感及所述第二LC结构。...

【技术特征摘要】

1.一种高频放大器,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的高频放大器,其特征在于,还包括至少一个第二晶体管,其中,

3.如权利要求2所述的高频放大器,其特征在于,所述波导结构包括共面波导线和/或微带线。

4.如权利要求3所述的高频放大器,其特征在于,还包括第三电感及第四电感,其中,所述第一晶体管的源极经由所述第三电感接地,所述电源经由所述第四电感连接所述波导结构。

5.如权利要求4所述的高频放大器,其特征在于,还包括至少一个串联连接的第五电感,其中,所述波导结构经由所述至少一个串联连接的第五电感,分别连接所述第四电感及所述第二lc结构。

6.如权利要求5所述的高频放大器,其特征在于,所述第五电感包括设于至少两层电路...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈瑞
申请(专利权)人:上海安其威微电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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