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本技术提供了一种高频放大器、一种射频芯片及一种雷达。所述高频放大器包括：第一晶体管，其中，电源经由所述第一晶体管的漏极和源极接地，所述第一晶体管的栅极经由第一LC结构连接所述高频放大器的输入端，所述第一晶体管的漏极经由波导结构及第二LC结构...
该专利属于上海安其威微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海安其威微电子科技有限公司授权不得商用。

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