用于PVD工作腔的脱气装置制造方法及图纸

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种用于PVD沉积腔的脱气装置，包括：脱气主管和压力调节管；脱气主管上设有主管控制阀；压力调节管包括外管和位于外管中的内管；外管的吸气端连接PVD工作腔的脱气口，出气端连通脱气主管；内管包括大开度内管和小开度内管；大开度内管包括相对的第一开口端和第二开口端，第一开口端为外管的吸气端，第二开口端向外管的出气端方向延伸，且第二开口端悬空；小开度内管包括相对的第三开口端和第四开口端，第三开口端连通大开度内管，第四开口端向外管的出气端延伸，且第四开口端悬空；压力调节管上还设有大开度阀和小开度阀；大开度阀控制大开度内管的开或关；小开度阀控制小开度内管的开或关。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体集成电路制造，具体涉及一种用于pvd沉积腔的脱气装置。

技术介绍

1、在半导体集成电路制造过程中，物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)工艺由于其工艺简单、耗材少、成膜均匀致密等特点经常被用到半导体器件膜层沉积过程中。

2、相关技术在进行pvd工艺前，需对pvd工作腔进行脱气和充氩气处理以促进达成pvd工作腔的目标工艺压力、去除pvd工作腔中的水气和杂质。

3、但是相关技术中的用于pvd工作腔的脱气装置以标准抽速对pvd工作腔进行脱气，无法调节抽速。

技术实现思路

1、本申请提供了一种用于pvd工作腔的脱气装置，可以解决相关技术中脱气装置抽速不可调的问题。

2、为了解决
技术介绍
中所述的技术问题，本申请提供一种用于pvd工作腔的脱气装置，所述用于pvd工作腔的脱气装置包括：脱气主管和压力调节管；

3、所述脱气主管上设有主管控制阀；

4、所述压力调节管包括外管和位于所述外管中的内管；

5、所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于PVD工作腔的脱气装置，其特征在于，所述用于PVD工作腔的脱气装置包括：脱气主管和压力调节管；

2.如权利要求1所述的用于PVD工作腔的脱气装置，其特征在于，所述脱气主管还连接测漏装置。

3.如权利要求2所述的用于PVD工作腔的脱气装置，其特征在于，所述测漏装置包括T型连接结构和测漏机；

4.如权利要求3所述的用于PVD工作腔的脱气装置，其特征在于，所述连接管与所述脱气主管连通的位置位于所述主管控制阀的出气侧；

5.如权利要求3所述的用于PVD工作腔的脱气装置，其特征在于，所述连接管的一端通过第一紧固抱箍固定在所述脱气主管上；<...

【技术特征摘要】

1.一种用于pvd工作腔的脱气装置，其特征在于，所述用于pvd工作腔的脱气装置包括：脱气主管和压力调节管；

2.如权利要求1所述的用于pvd工作腔的脱气装置，其特征在于，所述脱气主管还连接测漏装置。

3.如权利要求2所述的用于pvd工作腔的脱气装置，其特征在于，所述测漏装置包括t型连接结构和测漏机；

4.如权利要求3所述的用于pvd工作腔的脱气装置，其特征在于，所述连接管与所述脱气主管连通的位置位于所述主管控制阀的出气侧；

5.如权利要求3所述的用于pvd工作腔的脱气装置，其特征在于，所述连接管的一端通过第一紧固抱箍固定在所述脱气主管上；

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【专利技术属性】
技术研发人员：冯晨，曾军，高峰，常传栋，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：