【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成电路，具体而言，涉及一种比较电路及应用该比较电路的存储器。
技术介绍
1、在dram电源系统中，为了同时追求在工作时的快速响应和待机时的低功耗，会设置工作(active)和待机(standby)两套电流系统。为了节省版图布局面积，会将有些相对没有驱动要求的比较电路的工作模式电路和待机模式电路合在一起，这种比较电路在面对工作模式和待机模式两种模式下的电流时，会产生晶体管在某个模式下工作点不匹配的问题，从而造成工作模式切换时比较电路性能下降。
2、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、本公开的目的在于提供一种比较电路及应用该比较电路的存储器，用于至少解决比较电路在工作模式切换时晶体管的工作点不匹配的问题。
2、根据本公开的第一方面，提供一种比较电路，所述比较电路用于接收第一输入信号和第二输入信号，比较所述第一输入信号和所述第二输入信号的电压大小，包括：电流调节模块，用于提供第一电流或第二电流，所述第一电流大于所述第二电流；输入模块，连接所述电流调节模块，包括第一输入端和第二输入端，所述第一输入端用于接收所述第一输入信号，所述第二输入端用于接收所述第二输入信号，所述输入模块通过多个晶体管实现；输出模块，连接所述输入模块，包括输出端，所述输出端用于输出所述第一输入信号和所述第二输入信号的比较结果信号，所述输出模块通过多个晶体管实现；其中，
3、在本公开的一种示例性实施例中，所述在所述电流调节模块提供所述第一电流时，所述输入模块和所述输出模块中的晶体管对应第一组晶体管参数；在所述电流调节模块提供所述第二电流时，所述输入模块和所述输出模块中的晶体管对应第二组晶体管参数包括：在所述电流调节模块提供所述第一电流时，所述输入模块中运行的晶体管数量为第一数量，所述输出模块中运行的晶体管数量为第二数量；在所述电流调节模块提供所述第二电流时，所述输入模块中运行的晶体管数量为第三数量，所述输出模块中运行的晶体管数量为第四数量；其中，所述第一数量大于所述第三数量，所述第二数量大于所述第四数量。
4、在本公开的一种示例性实施例中，所述输入模块包括：第一输入晶体管，栅极作为所述第一输入端用于接收第一输入信号，源极连接所述电流调节模块，漏极通过第一节点连接所述输出模块；第二输入晶体管，栅极作为所述第一输入端用于接收所述第一输入信号，源极连接所述电流调节模块，漏极通过第一开关元件连接所述第一节点；第三输入晶体管，栅极作为所述第二输入端用于接收第二输入信号，源极连接所述电流调节模块，漏极通过第二节点连接所述输出模块；第四输入晶体管，栅极作为所述第二输入端用于接收所述第二输入信号，源极连接所述电流调节模块，漏极通过第二开关元件连接所述第二节点；其中，所述第一输入晶体管和所述第三输入晶体管的晶体管参数相同，所述第二输入晶体管和所述第四输入晶体管的晶体管参数相同。
5、在本公开的一种示例性实施例中，所述输出模块包括：第一负载晶体管，源极连接电源电压，栅极和漏极连接所述第一节点；第二负载晶体管，源极通过第三开关元件连接所述电源电压，栅极和漏极连接所述第一节点；第三负载晶体管，源极连接所述电源电压，栅极连接所述第一节点，漏极连接所述第二节点；第四负载晶体管，源极通过第四开关元件连接所述电源电压，栅极连接所述第一节点，漏极连接所述第二节点；其中，所述第一负载晶体管和所述第三负载晶体管的晶体管参数相同，所述第二负载晶体管和所述第四负载晶体管的晶体管参数相同。
6、在本公开的一种示例性实施例中，所述第二输入晶体管与所述第一输入晶体管的晶体管参数相同，所述第四输入晶体管与所述第三输入晶体管的晶体管参数相同。
7、在本公开的一种示例性实施例中，所述第二负载晶体管的晶体管参数与所述第一负载晶体管的晶体管参数相同，所述第四负载晶体管的晶体管参数与所述第三负载晶体管的晶体管参数相同。
8、在本公开的一种示例性实施例中，所述第一输入晶体管、所述第二输入晶体管、所述第三输入晶体管、所述第四输入晶体管均为n型晶体管，所述第一负载晶体管、所述第二负载晶体管、所述第三负载晶体管、所述第四负载晶体管均为p型晶体管。
9、在本公开的一种示例性实施例中，所述输出模块还包括：第五负载晶体管，源极连接所述电源电压，栅极连接所述第二节点，漏极连接第三节点；第六负载晶体管，源极通过第五开关元件连接所述电源电压，栅极连接所述第二节点，漏极连接第三节点；第一子电流源，通过第六开关元件连接所述第三节点，用于提供第三电流；第二子电流源，通过第七开关元件连接所述第三节点，用于提供第四电流；输出驱动单元，输入端连接所述第三节点，输出端用于输出所述比较结果信号。
10、在本公开的一种示例性实施例中，所述第五负载晶体管和所述第六负载晶体管均为p型晶体管。
11、在本公开的一种示例性实施例中，所述第五负载晶体管和所述第六负载晶体管的晶体管参数相同。
12、在本公开的一种示例性实施例中，所述第一开关元件、所述第二开关元件、所述第三开关元件、所述第四开关元件在所述电流调节模块提供所述第一电流时导通，在所述电流调节模块提供所述第二电流时关断。
13、在本公开的一种示例性实施例中，所述第一开关元件和所述第二开关元件均为n型晶体管，所述第三开关元件、所述第四开关元件均为p型晶体管。
14、在本公开的一种示例性实施例中，所述第五开关元件在所述电流调节模块提供所述第一电流时导通，在所述电流调节模块提供所述第二电流时关断。
15、在本公开的一种示例性实施例中，所述第五开关元件为p型晶体管。
16、在本公开的一种示例性实施例中，所述第一开关元件的控制端和所述第二开关元件的控制端均连接第一控制信号，所述第三开关元件的控制端、所述第四开关元件的控制端均连接第二控制信号，所述第一控制信号和所述第二控制信号在所述电流调节模块提供所述第一电流时均为使能状态，在所述电流调节模块提供所述第二电流时均为失效状态。
17、在本公开的一种示例性实施例中，所述第五开关元件的控制端连接所述第二控制信号。
18、在本公开的一种示例性实施例中，所述比较器还包括：反相器，所述反相器的输入端用于接收所述第一控制信号，所述反相器的输出端用于输出所述第二控制信号。
19、在本公开的一种示例性实施例中，所述电流调节模块包括：第一电流源，通过第八开关元件连接所述输入模块；第二电流源，通过第九开关元件连接所述输入模块。
20、在本公开的一种示例性实施例中，所述第一电流源用于提供所述第一电流，所述第二电流源用于提供所述第二本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种比较电路，所述比较电路用于接收第一输入信号和第二输入信号，比较所述第一输入信号和所述第二输入信号的电压大小，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的比较电路，其特征在于，所述在所述电流调节模块提供所述第一电流时，所述输入模块和所述输出模块中的晶体管对应第一组晶体管参数；在所述电流调节模块提供所述第二电流时，所述输入模块和所述输出模块中的晶体管对应第二组晶体管参数包括：
3.如权利要求2所述的比较电路，其特征在于，所述输入模块包括：
4.如权利要求3所述的比较电路，其特征在于，所述输出模块包括：
5.如权利要求3所述的比较电路，其特征在于，所述第二输入晶体管与所述第一输入晶体管的晶体管参数相同，所述第四输入晶体管与所述第三输入晶体管的晶体管参数相同。
6.如权利要求4所述的比较电路，其特征在于，所述第二负载晶体管的晶体管参数与所述第一负载晶体管的晶体管参数相同，所述第四负载晶体管的晶体管参数与所述第三负载晶体管的晶体管参数相同。
7.如权利要求4所述的比较电路，其特征在于，所述第一输入晶体管、所述第二
8.如权利要求4所述的比较电路，其特征在于，所述输出模块还包括：
9.如权利要求8所述的比较电路，其特征在于，所述第五负载晶体管和所述第六负载晶体管均为P型晶体管。
10.如权利要求9所述的比较电路，其特征在于，所述第五负载晶体管和所述第六负载晶体管的晶体管参数相同。
11.如权利要求4所述的比较电路，其特征在于，所述第一开关元件、所述第二开关元件、所述第三开关元件、所述第四开关元件在所述电流调节模块提供所述第一电流时导通，在所述电流调节模块提供所述第二电流时关断。
12.如权利要求11所述的比较电路，其特征在于，所述第一开关元件和所述第二开关元件均为N型晶体管，所述第三开关元件、所述第四开关元件均为P型晶体管。
13.如权利要求8所述的比较电路，其特征在于，所述第五开关元件在所述电流调节模块提供所述第一电流时导通，在所述电流调节模块提供所述第二电流时关断。
14.如权利要求13所述的比较电路，其特征在于，所述第五开关元件为P型晶体管。
15.如权利要求11所述的比较电路，其特征在于，所述第一开关元件的控制端和所述第二开关元件的控制端均连接第一控制信号，所述第三开关元件的控制端、所述第四开关元件的控制端均连接第二控制信号，所述第一控制信号和所述第二控制信号在所述电流调节模块提供所述第一电流时均为使能状态，在所述电流调节模块提供所述第二电流时均为失效状态。
16.如权利要求15所述的比较电路，其特征在于，所述第五开关元件的控制端连接所述第二控制信号。
17.如权利要求15所述的比较电路，其特征在于，还包括：
18.如权利要求1～17任一项所述的比较电路，其特征在于，所述电流调节模块包括：
19.如权利要求18所述的比较电路，其特征在于，所述第一电流源用于提供所述第一电流，所述第二电流源用于提供所述第二电流；在所述电流调节模块提供所述第一电流时，所述第八开关元件导通，所述第九开关元件关断；在所述电流调节模块提供所述第二电流时，所述第八开关元件关断，所述第九开关元件导通。
20.如权利要求18所述的比较电路，其特征在于，所述第一电流源用于提供第五电流，所述第二电流源用于提供所述第二电流，所述第五电流与所述第二电流之和等于所述第一电流；在所述电流调节模块提供所述第一电流时，所述第八开关元件和所述第九开关元件均导通；在所述电流调节模块提供所述第二电流时，所述第八开关元件关断，所述第九开关元件导通。
21.如权利要求8所述的比较电路，其特征在于，所述第四电流小于所述第三电流，在所述电流调节模块提供所述第一电流时，所述第六开关元件导通，所述第七开关元件关断；在所述电流调节模块提供所述第二电流时，所述第六开关元件关断，所述第七开关元件导通。
22.如权利要求8所述的比较电路，其特征在于，在所述电流调节模块提供所述第一电流时，所述第六开关元件和所述第七开关元件均导通；在所述电流调节模块提供所述第二电流时，所述第六开关元件关断，所述第七开关元件导通。
23.一种存储器，其特征在于，包括权利要求1-22任一项所述的比较电路。
...【技术特征摘要】
1.一种比较电路，所述比较电路用于接收第一输入信号和第二输入信号，比较所述第一输入信号和所述第二输入信号的电压大小，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的比较电路，其特征在于，所述在所述电流调节模块提供所述第一电流时，所述输入模块和所述输出模块中的晶体管对应第一组晶体管参数；在所述电流调节模块提供所述第二电流时，所述输入模块和所述输出模块中的晶体管对应第二组晶体管参数包括：
3.如权利要求2所述的比较电路，其特征在于，所述输入模块包括：
4.如权利要求3所述的比较电路，其特征在于，所述输出模块包括：
5.如权利要求3所述的比较电路，其特征在于，所述第二输入晶体管与所述第一输入晶体管的晶体管参数相同，所述第四输入晶体管与所述第三输入晶体管的晶体管参数相同。
6.如权利要求4所述的比较电路，其特征在于，所述第二负载晶体管的晶体管参数与所述第一负载晶体管的晶体管参数相同，所述第四负载晶体管的晶体管参数与所述第三负载晶体管的晶体管参数相同。
7.如权利要求4所述的比较电路，其特征在于，所述第一输入晶体管、所述第二输入晶体管、所述第三输入晶体管、所述第四输入晶体管均为n型晶体管，所述第一负载晶体管、所述第二负载晶体管、所述第三负载晶体管、所述第四负载晶体管均为p型晶体管。
8.如权利要求4所述的比较电路，其特征在于，所述输出模块还包括：
9.如权利要求8所述的比较电路，其特征在于，所述第五负载晶体管和所述第六负载晶体管均为p型晶体管。
10.如权利要求9所述的比较电路，其特征在于，所述第五负载晶体管和所述第六负载晶体管的晶体管参数相同。
11.如权利要求4所述的比较电路，其特征在于，所述第一开关元件、所述第二开关元件、所述第三开关元件、所述第四开关元件在所述电流调节模块提供所述第一电流时导通，在所述电流调节模块提供所述第二电流时关断。
12.如权利要求11所述的比较电路，其特征在于，所述第一开关元件和所述第二开关元件均为n型晶体管，所述第三开关元件、所述第四开关元件均为p型晶体管。
13.如权利要求8所述的比较电路，其特征在于，所述第五开关元件在所述电流调节模块提供所述第一电流时...
【专利技术属性】
技术研发人员：郁佳，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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