【技术实现步骤摘要】
本专利技术主要涉及显示模组，具体涉及一种基板坏点修复方法及修复装置。
技术介绍
1、目前的micro led全彩显示模组完成芯片的键合后，需要对显示模组上的芯片进行点亮测试，对于无法点亮以及存在外观缺陷的不良芯片，需要通过激光去除不良芯片，并将新芯片补位到对应的空缺位置上。
2、由于芯片的焊接和去除对金属焊料造成损耗，通过激光去除不良芯片后，形成的空缺位置上的金属焊料余量较少，导致后续进行芯片补位时，芯片和基板的焊接稳定性不足，经过坏点修复后的显示模组的整体可靠性下降。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提出了一种基板坏点修复方法及修复装置，所述修复方法通过设置带有激光反应胶的临时载膜，通过在激光反应胶上附着焊料，对基板上的空缺位置进行焊料补料，从而提高芯片补位的焊接稳定性，提高坏点修复后的显示模组的整体可靠性。
2、本专利技术提出了一种用于基板坏点的修复方法，所述方法包括：
3、对基板上的芯片进行点亮测试，去除不良芯片并标记不良芯片位置，获取不良芯片分布图像；
4、制备临时载板，在临时载板上覆盖胶膜；
5、根据不良芯片分布图像刻蚀胶膜，在临时载板上形成临时载膜；
6、在临时载膜上粘附预设厚度的金属层；
7、将临时载板对位贴合在基板上，通过第一预设波段的激光在不良芯片对应安装位置上补充金属层；
8、通过第二预设波段的激光去除临时载膜。
9、进一步的，所
10、通过aoi设备进行外观测试及点亮测试，判断不良芯片位置，并针对不良芯片具体位置输出不良芯片分布图像。
11、进一步的，所述修复方法还包括：
12、通过激光去除不良芯片，所述激光的波段在248nm到1064nm之间。
13、进一步的，所述制备临时载板，在临时载板上覆盖胶膜包括：
14、临时载板上旋涂固化形成所述胶膜，所述胶膜上任意两点的厚度差值为δh，所述δh的取值范围为：δh≤3μm：
15、进一步的，所述根据不良芯片分布图像刻蚀胶膜，在临时载板上形成临时载膜包括：
16、通过icp刻蚀形成临时载膜，临时载膜包括若干个胶膜凸台。
17、进一步的，所述胶膜凸台的尺寸大小为a，对应的不良芯片的尺寸大小为b；
18、所述a和所述b之间的约束关系为：2μm≤a-b≤3μm。
19、进一步的，胶膜材质为气化胶，气化胶的光透过率＜5％。
20、进一步的，所述在临时载膜上粘附预设厚度的金属层包括：
21、对所述胶膜凸台进行hmds增粘处理，在所述胶膜凸台上镀设形成金属层。
22、进一步的，金属层厚度为h1，不良芯片焊接位的残留焊料厚度为h2，芯片电极厚度为h3，所述h1、h2、h3之间的约束关系为：h3≤h1+h2≤2h3。
23、进一步的，胶膜厚度为h4，键合后芯片顶面到基板表面距离为h5，所述h1、h4和h5之间的约束关系为：h1+h4＞h5。
24、进一步的，所述第一预设波段的激光波段为980nm，或所述第一预设波的激光波段为1080nm。
25、进一步的，所述第二预设波段为355nm。
26、进一步的，所述用于基板坏点的修复方法还包括：
27、通过激光焊接的方式实现芯片和基板的二次键合。
28、本专利技术还提供了一种基板坏点修复装置，所述修复装置用于执行所述修复方法，其中包括：临时载板、位于所述临时载板底面的临时载膜以及设置在所述临时载膜上的金属层；
29、所述临时载膜设置有若干个胶膜凸台，且所述若干个胶膜凸台基于所述基板坏点位置形成图案化阵列排布。
30、本专利技术提出了一种基板坏点修复方法及修复装置，所述修复方法通过设置带有激光反应胶的临时载膜，通过在激光反应胶上附着焊料，对基板上的空缺位置进行焊料补料，从而提高芯片补位的焊接稳定性，提高坏点修复后的显示模组的整体可靠性。
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1.一种用于基板坏点的修复方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的用于基板坏点的修复方法，其特征在于，所述对基板上的芯片进行点亮测试，去除不良芯片并标记不良芯片位置，获取不良芯片分布图像包括：
3.如权利要求1所述的用于基板坏点的修复方法，其特征在于，所述修复方法还包括：
4.如权利要求1所述的用于基板坏点的修复方法，其特征在于，所述制备临时载板，在临时载板上覆盖胶膜包括：
5.如权利要求1所述的用于基板坏点的修复方法，其特征在于，所述根据不良芯片分布图像刻蚀胶膜，在临时载板上形成临时载膜包括：
6.如权利要求5所述的用于基板坏点的修复方法，其特征在于，所述胶膜凸台的尺寸大小为a，对应的不良芯片的尺寸大小为b；
7.如权利要求4所述的用于基板坏点的修复方法，其特征在于，所述胶膜材质为气化胶，所述气化胶的光透过率小于5％。
8.如权利要求5所述的用于基板坏点的修复方法，其特征在于，所述在临时载膜上粘附预设厚度的金属层包括：
9.如权利要求8所述的用于基板坏点的修复方法，其
10.如权利要求9所述的用于基板坏点的修复方法，其特征在于，胶膜厚度为h4，键合后芯片顶面到基板表面距离为h5，所述h1、h4和h5之间的约束关系为：h1+h4＞h5。
11.如权利要求1所述的用于基板坏点的修复方法，其特征在于，所述第一预设波段的激光波段为980nm，或所述第一预设波段的激光波段为1080nm。
12.如权利要求1所述的用于基板坏点的修复方法，其特征在于，所述第二预设波段为355nm。
13.如权利要求1所述的用于基板坏点的修复方法，其特征在于，所述用于基板坏点的修复方法还包括：
14.一种基板坏点修复装置，其特征在于，所述修复装置用于执行如权利要求1至13任一所述的修复方法，其中包括：临时载板、位于所述临时载板底面的临时载膜以及设置在所述临时载膜上的金属层；
...【技术特征摘要】
1.一种用于基板坏点的修复方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的用于基板坏点的修复方法，其特征在于，所述对基板上的芯片进行点亮测试，去除不良芯片并标记不良芯片位置，获取不良芯片分布图像包括：
3.如权利要求1所述的用于基板坏点的修复方法，其特征在于，所述修复方法还包括：
4.如权利要求1所述的用于基板坏点的修复方法，其特征在于，所述制备临时载板，在临时载板上覆盖胶膜包括：
5.如权利要求1所述的用于基板坏点的修复方法，其特征在于，所述根据不良芯片分布图像刻蚀胶膜，在临时载板上形成临时载膜包括：
6.如权利要求5所述的用于基板坏点的修复方法，其特征在于，所述胶膜凸台的尺寸大小为a，对应的不良芯片的尺寸大小为b；
7.如权利要求4所述的用于基板坏点的修复方法，其特征在于，所述胶膜材质为气化胶，所述气化胶的光透过率小于5％。
8.如权利要求5所述的用于基板坏点的修复方法，其特征在于，所述在临时载膜上粘附预设厚度的金属层包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：谭孟苹，梁丽芳，赵龙，章金惠，赵志学，
申请(专利权)人：佛山市国星光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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