【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种升降销、外延生长装置及晶圆外延生长方法。
技术介绍
1、晶圆的外延生长工艺是半导体芯片制造过程中的一个重要工艺，该工艺是在一定条件下，在抛光片上再生长一层电阻率和厚度可控、无晶体原生粒子(crystal originatedparticles，cop)缺陷且无氧沉淀的硅单晶层。
2、由于晶圆在外延生长装置腔室中进行外延生长的温度较高，晶圆本身就会伴随着翘曲现象的发生，在晶圆进行完外延生长后，由升降销顶起晶圆，该过程中升降销与晶圆背面直接接触，导致晶圆产生弯曲现象。同时，升降销与外延生长装置的基座和基座支撑杆之间存在接触以及摩擦振动；又因为基座的材质一般为石墨，基座支撑杆的材质一般为石英，导致升降销在与外延生长装置的基座及基座支撑杆进行摩擦振动的过程中会产生污染颗粒，导致晶圆表面的质量进一步恶化。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种升降销、外延生长装置及晶圆外延生长方法，用以解决现有技术中升降销在与外延生长装置的基座及基座支撑杆进行摩擦振动的过程中会产生污染颗粒，导致晶圆表面的质量恶化的问题。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：
3、本专利技术实施例提供了一种升降销，包括：
4、依次连接的升降销头部、第一销轴以及第二销轴，所述升降销头部、所述第一销轴与所述第二销轴的轴线位于同一直线上；
5、所述升降销用于外延生长装置中，所述第一销轴用以与所述外
6、所述第一销轴的表面粗糙度小于所述第二销轴的表面粗糙度。
7、进一步地，所述升降销头部的直径大于所述第一销轴的直径和所述第二销轴的直径，所述第一销轴的直径与所述第二销轴的直径相等。
8、进一步地，所述升降销头部的曲率半径为15nm±4nm。
9、进一步地，所述升降销头部的表面粗糙度为0.4μm±0.1μm。
10、进一步地，所述第一销轴的表面粗糙度为0.4μm±0.1μm。
11、进一步地，所述第二销轴的表面粗糙度为2μm±0.5μm。
12、进一步地，所述第一销轴与所述第二销轴的高度比例为1:2至1:3之间。
13、本专利技术实施例还提供了一种外延生长装置，其特征在于，包括如上所述的升降销，还包括：
14、基座，所述基座用于承载晶圆；
15、基座支撑杆，所述基座支撑杆用于支撑所述基座；
16、晶圆支撑轴，所述晶圆支撑轴嵌套于所述基座支撑杆上且能够沿所述基座支撑杆移动，在所述晶圆支撑轴接触到所述升降销的第二销轴时推动所述升降销上升。
17、进一步地，所述基座上设置有预留通孔；
18、所述升降销穿过所述预留通孔设置；
19、所述预留通孔上端部分的直径大于所述预留通孔下端部分的直径；
20、所述预留通孔上端部分的直径大于或者等于所述升降销头部的直径，所述预留通孔下端部分的直径小于所述升降销头部的直径且大于或者等于所述第一销轴的直径；
21、在所述晶圆支撑轴沿所述基座支撑杆上移时，推动所述升降销上升，直至至少部分所述第一销轴位于所述基座的上方；
22、所述晶圆支撑轴沿所述基座支撑杆下移时，所述升降销随着所述晶圆支撑轴下移，直至所述升降销与所述晶圆支撑轴脱离，并通过所述预留通孔悬挂于所述基座上。
23、本专利技术实施例还提供了一种晶圆外延生长方法，应用于如上所述的外延生长装置，包括：
24、通过转运装置将晶圆转运至所述外延生长装置内的所述基座上方；
25、在所述晶圆被转运至所述基座上方后，所述晶圆支撑轴沿所述基座支撑杆上移，推动所述升降销上移，直至穿过所述基座上的预留通孔将所述晶圆顶起，以使所述转运装置退出所述外延生长装置；
26、所述晶圆支撑轴沿所述基座支撑杆下移，直至所述升降销悬挂在所述基座上；
27、所述基座支撑杆上升，托起承载着所述晶圆的所述基座，进行所述晶圆的外延生长。
28、本专利技术的有益效果是：
29、本专利技术实施例的升降销，通过依次连接的升降销头部、第一销轴以及第二销轴构成所述升降销；通过所述第一销轴的表面粗糙度小于所述第二销轴的表面粗糙度，能够降低所述第一销轴与基座接触过程中因振动摩擦产生的颗粒，从而降低对晶圆的污染引入概率。本专利技术实施例的升降销，能够解决现有技术中升降销在与外延生长装置的基座及基座支撑杆进行摩擦振动的过程中产生污染颗粒，导致晶圆表面的质量恶化的问题。
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1.一种升降销，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的升降销，其特征在于，所述升降销头部的直径大于所述第一销轴的直径和所述第二销轴的直径，所述第一销轴的直径与所述第二销轴的直径相等。
3.根据权利要求1所述的升降销，其特征在于，所述升降销头部的曲率半径为15nm±4nm。
4.根据权利要求1所述的升降销，其特征在于，所述升降销头部的表面粗糙度为0.4μm±0.1μm。
5.根据权利要求1所述的升降销，其特征在于，所述第一销轴的表面粗糙度为0.4μm±0.1μm。
6.根据权利要求1所述的升降销，其特征在于，所述第二销轴的表面粗糙度为2μm±0.5μm。
7.根据权利要求1所述的升降销，其特征在于，所述第一销轴与所述第二销轴的高度比例为1:2至1:3之间。
8.一种外延生长装置，其特征在于，包括如权利要求1至7任一项所述的升降销，还包括：
9.根据权利要求8所述的外延生长装置，其特征在于，所述基座上设置有预留通孔；
10.一种晶圆外延生长方法，应用于如权利要求8或9所述
...【技术特征摘要】
1.一种升降销，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的升降销，其特征在于，所述升降销头部的直径大于所述第一销轴的直径和所述第二销轴的直径，所述第一销轴的直径与所述第二销轴的直径相等。
3.根据权利要求1所述的升降销，其特征在于，所述升降销头部的曲率半径为15nm±4nm。
4.根据权利要求1所述的升降销，其特征在于，所述升降销头部的表面粗糙度为0.4μm±0.1μm。
5.根据权利要求1所述的升降销，其特征在于，所述第一销轴的表面粗糙度为0.4μm±0.1...
【专利技术属性】
技术研发人员：闫闯，王力，高尚梁，梁鹏欢，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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