【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造工艺
，特别涉及一种提高光刻胶抗刻蚀能力的 方法。
技术介绍
光刻技术伴随集成电路制造工艺的不断进步，线宽的不断缩小，半导体器件的面 积正变得越来越小，半导体的布局已经从普通的单一功能分离器件，演变成整合高密度多 功能的集成电路；由最初的IC (集成电路)随后到LSI (大规模集成电路)，VLSI (超大规 模集成电路)，直至今天的ULSI (特大规模集成电路)，器件的面积进一步缩小，功能更为全 面强大。考虑到工艺研发的复杂性，长期性和高昂的成本等等不利因素的制约，如何在现有 技术水平的基础上进一步提高器件的集成密度，缩小芯片的面积，在同一枚硅片上尽可能 多的得到有效的芯片数，从而提高整体利益，将越来越受到芯片设计者，制造商的重视。其 中光刻工艺就担负着关键的作用，对于光刻技术而言分辨率和对准精度即是其中的重中之 重。分辨率半导体生产中使用的光刻技术主要基于光学的衍射原理。光学的衍射是 光通过不透明体边缘、穿过狭缝或从划有平行直线的表面反射时产生偏折和出现一些彼此 平行的亮带和暗带。当光线通过掩膜版时，由于受到掩膜版图形的影响，使...
【技术保护点】
一种提高光刻胶抗刻蚀能力的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上涂布底部抗反射涂层；在所述底部抗反射涂层上涂布光刻胶；对所述光刻胶进行曝光、显影，露出部分底部抗反射涂层；对所述露出的底部抗反射涂层进行刻蚀，直至露出所述半导体衬底；利用低温淀积二氧化硅技术，在上述结构外表面淀积二氧化硅薄膜；对所述二氧化硅薄膜进行干法回刻刻蚀操作，形成二氧化硅保护侧墙。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：朱骏，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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