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本发明提出一种提高光刻胶抗刻蚀能力的方法，其特点是利用低温淀积二氧化硅（ＬＴＯ）技术，在完成底部抗反射涂层干法刻蚀后，在光刻胶和底部抗反射涂层外表面淀积薄膜二氧化硅，随后进行干法回刻操作，进而在光刻图形侧壁底部形成二氧化硅保护侧墙，进而提高...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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