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本发明提出一种提高光刻胶抗刻蚀能力的方法,其特点是利用低温淀积二氧化硅(LTO)技术,在完成底部抗反射涂层干法刻蚀后,在光刻胶和底部抗反射涂层外表面淀积薄膜二氧化硅,随后进行干法回刻操作,进而在光刻图形侧壁底部形成二氧化硅保护侧墙,进而提高...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。
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本发明提出一种提高光刻胶抗刻蚀能力的方法,其特点是利用低温淀积二氧化硅(LTO)技术,在完成底部抗反射涂层干法刻蚀后,在光刻胶和底部抗反射涂层外表面淀积薄膜二氧化硅,随后进行干法回刻操作,进而在光刻图形侧壁底部形成二氧化硅保护侧墙,进而提高...