一种基于TSV晶圆重构多芯片立体集成微模组及制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体封装技术领域，涉及一种基于TSV晶圆重构多芯片立体集成微模组及制备方法，包括TSV硅基板和埋置在硅基板正背面的若干芯片；TSV硅基基板内制备导电通孔，导电通孔与硅基衬底之间制备绝缘层；TSV通孔采用导电材料填充，TSV硅基板正背面设计凹槽用于埋置芯片，每个凹槽埋置对应的芯片，基板正面和背面的表面依次制备和TSV通孔互联电连通的背面多层金属布线层和凸下金属层和正背面对外连微凸点，形成多芯片立体集成结构水平方向的电连接；实现多个芯片高密度、高性能、高可靠的TSV立体堆叠集成，解决了因随着堆叠层数增加导致键合引线的扇出面积呈指数级增长的问题，同时降低多层芯片Flipchip模组立体集成后模组高度，提升TSV模组立体集成密度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装，具体为一种基于tsv晶圆重构多芯片立体集成微模组及制备方法。

技术介绍

1、随着人们对电子器件功能性和便携性的要求越来越高，近几年来，三维芯片堆叠技术的得益于其高带宽、低延迟、低功耗、小尺寸等优点获得快速发展，极大地提高了集成电路系统的性能，丰富了在电子器件中的应用。基于三维硅通孔(through-silicon-via，tsv)封装的多芯片立体集成模块逐渐成为研究热点。tsv立体集成技术被认为是一种超越摩尔(more than moore)的技术途径延续有效摩尔定律技术，通过利用第三维度，tsv使硅芯片正面的电信号垂直互连接穿过硅衬底，缩小了信号互联路径，实现多层芯片间的电学连通，改善平面集成电路高速信号所面临的互连延时问题。

2、三维集成的核心是将多层芯片堆叠，并加工垂直互连通道，实现多层芯片的通信。chiplet技术可以实现低制程芯片的集成以实现高制程芯片的功能。目前，并非所有前道晶圆均留有tsv打孔位置，而且在有源芯片上打tsv孔，一不小心就会损坏内部电路，所以对工艺要求高，需要对芯片内部的电路和结构有充分的了本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于TSV晶圆重构多芯片立体集成微模组，其特征在于，由封装基板和若干个多芯片集成结构通过倒装FC键合而成；

2.根据权利要求1所述的基于TSV晶圆重构多芯片立体集成微模组，其特征在于，基板采用硅基板、玻璃基板或者有机基板。

3.根据权利要求2所述的基于TSV晶圆重构多芯片立体集成微模组，其特征在于，当基板采用硅基板时，导电通孔设置于正面凹槽周围。

4.根据权利要求3所述的基于TSV晶圆重构多芯片立体集成微模组，其特征在于，导电通孔的孔壁上设置有孔壁介质绝缘层。

5.根据权利要求4所述的基于TSV晶圆重构多芯片立体集成微模组，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种基于tsv晶圆重构多芯片立体集成微模组，其特征在于，由封装基板和若干个多芯片集成结构通过倒装fc键合而成；

2.根据权利要求1所述的基于tsv晶圆重构多芯片立体集成微模组，其特征在于，基板采用硅基板、玻璃基板或者有机基板。

3.根据权利要求2所述的基于tsv晶圆重构多芯片立体集成微模组，其特征在于，当基板采用硅基板时，导电通孔设置于正面凹槽周围。

4.根据权利要求3所述的基于tsv晶圆重构多芯片立体集成微模组，其特征在于，导电通孔的孔壁上设置有孔壁介质绝缘层。

5.根据权利要求4所述的基于tsv晶圆重构多芯片立体集成微模组，其特征在于，孔壁介质绝缘层为氮氧化物或者有机介质，孔壁介质绝缘层与硅基板直接接触的绝缘介质为二氧化硅。

6.根据权利要求2所述的基于tsv晶圆重构多芯片立体集成微模组，其特征在于，当基板采用玻璃基板或者有机基板时，导电通孔设置于正面凹...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈新鹏，李宝霞，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：