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本发明涉及半导体封装技术领域，涉及一种基于TSV晶圆重构多芯片立体集成微模组及制备方法，包括TSV硅基板和埋置在硅基板正背面的若干芯片；TSV硅基基板内制备导电通孔，导电通孔与硅基衬底之间制备绝缘层；TSV通孔采用导电材料填充，TSV硅基板...
该专利属于西安微电子技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过西安微电子技术研究所授权不得商用。

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