System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种液晶化合物、组合物及其应用制造技术_技高网

一种液晶化合物、组合物及其应用制造技术

技术编号:40678776 阅读:3 留言:0更新日期:2024-03-18 19:17
本发明专利技术提供一种液晶化合物、组合物及其应用,所述液晶化合物具有式I所示的结构。本发明专利技术所述液晶化合物、组合物具有较低的旋转粘度低、较高的介电各向异性、互溶性好、性能稳定等优点,且具有降低器件驱动电压的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于液晶显示材料领域,具体涉及一种液晶化合物、组合物及其应用


技术介绍

1、近几年,液晶化合物的应用领域已经显著拓宽到各类显示器件、电光器件、电子元件、传感器等。为此,已经提出许多不同的结构,特别是在向列型液晶领域,向列型液晶化合物迄今已经在平板显示器中得到最为广泛的应用。特别是用于tft有源矩阵的系统中。

2、彩色显示大多采用有源矩阵显示方式。tft-lcd已经广泛用于直视型电视、大屏幕投影电视、计算机终端显示和某些军用仪表显示,相信tft-lcd技术具有更为广阔的应用前景。

3、其中“有源矩阵”包括两种类型:1、在作为基片的硅晶片上的oms(金属氧化物半导体)或其它二极管。2、在作为基片的玻璃板上的薄膜晶体管(tft)。

4、单晶硅作为基片材料限制了显示尺寸,因为各部分显示器件甚至模块组装在其结合处出现许多问题。因而,第二种薄膜晶体管是具有前景的有源矩阵类型,所利用的光电效应通常是tn效应。tft包括化合物半导体,如cdse,或以多晶或无定形硅为基础的tft。

5、目前,tft-lcd产品技术已经成熟,成功地解决了视角、分辨率、色饱和度和亮度等技术难题,其显示性能已经接近或超过crt显示器。大尺寸和中小尺寸tft-lcd显示器在各自的领域已逐渐占据平板显示器的主流地位。但是因受液晶材料本身的限制,tft-lcd仍然存在着响应不够快,电压不够低,电荷保持率不够高等诸多缺陷。因此寻找低粘度、高介电各向异性的单晶化合物尤为重要。

6、早在1989年德国默克公司在专利us5045229中对含有二氟甲氧基桥键的液晶化合物单体进行阐述,但并未得到理想的相应化合物。


技术实现思路

1、针对上述问题,本专利技术提供一种具有二氟甲氧基桥键单元结构的液晶化合物、组合物及其应用。

2、本专利技术的第一方面,提供一种液晶化合物,所述化合物具有式i所示的结构:

3、

4、其中:r选自h、未取代或取代的含有1-12个碳原子的烷基或烷氧基;所述取代是指含有1-12个碳原子的烷基或烷氧基中一个或多个ch2基团各自彼此独立地被-c≡c-,-cf2o-,-ch=ch-,-o-,-co-o-或-o-co-以o原子彼此不直接键接的方式取代,并且其中一个或多个h被卤素取代;

5、环a选自1,4-环己基或1,4-苯基,其中1,4-环己基上的c各自独立地被一个或多个o取代;1,4-苯基中的h各自独立地被一个或多个卤素取代;

6、n为0,1或2;

7、l1、l2和l3各自独立地选自h或卤素;

8、z选自单键、-(ch2)2-、-c≡c-,-cf2o-,-ch=ch-,-o-,-co-o-或-c-o-。

9、根据本专利技术所述化合物的一些实施方案,所述化合物中:r选自h、未取代或取代的含有1-5个碳原子的烷基或烷氧基,所述取代是指含有1-5个碳原子的烷基或烷氧基中一个或多个ch2基团各自彼此独立地被-ch=ch-或-o-取代,并且其中一个或多个h被f取代;

10、环a选自1,4-环己基或1,4-苯基,其中1,4-环己基上的c各自独立地被一个或二个o取代;1,4-苯基中的h各自独立地可被一个或多个f取代;

11、n为0,1或2;

12、l1、l2和l3各自独立地选自h或f;

13、z为单键。

14、根据本专利技术所述化合物的一些实施方案,所述化合物中,r选自h、未取代含有1-5个碳原子的烷基;

15、环a选自1,4-环己基或1,4-苯基,其中1,4-环己基上的c各自独立地可被一个或二个o取代;1,4-苯基中的h各自独立地可被一个或二个f取代;

16、n为0,1或2;

17、l2和l3均为h,l1为f;

18、z为单键。

19、根据本专利技术所述化合物的一些实施方案,所述化合物具有通式i-1至i-15中任意一种或几种所示结构;

20、

21、

22、其中,r选自含有1-7个碳原子的烷基或烷氧基,优选r各自独立地表示具有2-5个碳原子的烷基。

23、根据本专利技术所述化合物的一些实施方案,所述化合物选自如下结构中的一种或几种:

24、

25、

26、

27、

28、

29、本专利技术的第二方面,提供一种液晶组合物,包括本专利技术第一方面所述液晶化合物。

30、根据本专利技术所述液晶组合物的一些实施方案,所述液晶组合物中液晶化合物的重量百分含量为1%-80%(比如:1%、5%、10%、12%、15%、23%、28%、35%、43%、48%、57%、68%、72%、75%、78%、80%)。

31、根据本专利技术所述液晶组合物的一些实施方案,所述液晶组合物中液晶化合物的重量百分含量为3%-50%。

32、本专利技术的第三方面,提供一种本专利技术第一方面所述液晶化合物或本专利技术第二方面所述液晶组合物在液晶显示装置中的应用。

33、根据本专利技术所述应用的一些实施方案,所述液晶显示装置为tn、ads、ffs或ips液晶显示器。

34、本专利技术的有益效果为:本专利技术所述液晶化合物、组合物具有较低的旋转粘度低、较高的介电各向异性、互溶性好、性能稳定等优点,且具有降低器件驱动电压的效果。

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【技术保护点】

1.一种液晶化合物,所述化合物具有式I所示的结构:

2.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述化合物中,R选自H、未取代或取代的含有1-5个碳原子的烷基或烷氧基,所述取代是指含有1-5个碳原子的烷基或烷氧基中一个或多个CH2基团各自彼此独立地被-CH=CH-或-O-取代,并且其中一个或多个H被F取代;

3.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述化合物中,R选自H、未取代含有1-5个碳原子的烷基;

4.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述化合物具有通式I-1至I-15中任意一种或几种所示结构;

5.根据利要求1所述的化合物,其特征在于,所述化合物选自如下结构中

6.一种液晶组合物,包括权利要求1-5任一项所述液晶化合物。

7.根据权利要求6所述的组合物,其特征在于,所述液晶组合物中液晶化合物的重量百分含量为1%-80%。

8.根据权利要求6所述的组合物,其特征在于,所述液晶组合物中液晶化合物的重量百分含量为3%-50%。

9.权利要求1-5任一项所述液晶化合物或权利要求6-8任一项所述液晶组合物在液晶显示装置中的应用。

10.根据权利要求9所述的应用,其特征在于,所述液晶显示装置为TN、ADS、FFS或IPS液晶显示器。

...

【技术特征摘要】

1.一种液晶化合物,所述化合物具有式i所示的结构:

2.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述化合物中,r选自h、未取代或取代的含有1-5个碳原子的烷基或烷氧基,所述取代是指含有1-5个碳原子的烷基或烷氧基中一个或多个ch2基团各自彼此独立地被-ch=ch-或-o-取代,并且其中一个或多个h被f取代;

3.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述化合物中,r选自h、未取代含有1-5个碳原子的烷基;

4.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述化合物具有通式i-1至i-15中任意一种或几种所示结构;

5.根据利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:石志亮张朝霞王家豪班全志杭德余
申请(专利权)人:安徽宇贝新材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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