有机金属化合物、发光装置、电子装置以及电子设备制造方法及图纸

技术编号：40678236 阅读：3 留言：0更新日期：2024-03-18 19:17

本申请提供包括由式1表示的有机金属化合物的发光装置、包括该发光装置的电子装置、包括该发光装置的电子设备以及由式1表示的有机金属化合物。由式1表示的有机金属化合物发射具有约500nm至约650nm的最大发射波长的光，并且具有大于或等于16.0％的<supgt;3</supgt;MLCT比例(％)。

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【技术实现步骤摘要】

本公开的一个或多个实施方式涉及有机金属化合物、包括有机金属化合物的发光装置、包括发光装置的电子装置以及包括发光装置的电子设备。

技术介绍

1、发光装置中的有机发光装置为自发射装置，与现有技术中的装置相比，具有宽视角，高对比度，短响应时间，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面卓越的或适当的特性。

2、有机发光装置可包括位于基板上的第一电极以及以叙述的顺序依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴穿过空穴传输区朝着发射层移动，并且从第二电极提供的电子穿过电子传输区朝着发射层移动。载流子比如空穴和电子，在发射层中复合以产生激子。激子可从激发态跃迁和弛豫至基态，从而生成光。

技术实现思路

1、本公开的实施方式的一个或多个方面涉及具有卓越的或适当的发光效率和寿命特性的有机金属化合物、利用该有机金属化合物的发光装置、包括该发光装置的电子装置以及包括发光装置的电子设备。

2、另外的方面将部分在如下的描述中陈述，并且部分将从描述中是显而易见的，或可通过呈现的本公开的实施方式的实践而了解到。

3、根据本公开的一个或多个实施方式，发光装置可包括：

4、第一电极，

5、面向第一电极的第二电极，以及

6、在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，并且

7、发光装置可进一步包括由式1表示的有机金属化合物：

8、式1

9、

10、其中，在式1中，</p>

11、m可为铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、银(ag)或铜(cu)，

12、x1可为n，x2可为c，x3可为n，x4可为c，

13、x1和m之间的键以及x3和m之间的键中的每一个可为配位键，x2和m之间的键可为共价键，x4和o之间的键以及o和m之间的键中的每一个可为共价键，

14、环a1可为喹啉基或异喹啉基，

15、环a3可为吡咯基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、吲哚基、苯并咪唑基、苯并噁唑基或苯并噻唑基，

16、环a2和环a4可各自独立地为c5-c30碳环基或c1-c30杂环基，

17、l1可为单键、*-c(r5)(r6)-*'、*-c(r5)＝c(r6)-*'、*-n(r5)-*'、*-o-*'、*-p(r5)-*'、

18、*-si(r5)(r6)-*'、*-p(＝o)(r5)-*'、*-s-*'、*-s(＝o)-*'、*-s(＝o)2-*'或*-ge(r5)(r6)-*'，*和*'可各自指示与相邻原子的键合位点，

19、n1可为选自1至5的整数，

20、r1至r6可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代或被至少一个r10a取代的c1-c60烷基、未取代或被至少一个r10a取代的c2-c60烯基、未取代或被至少一个r10a取代的c2-c60炔基、未取代或被至少一个r10a取代的c1-c60烷氧基、未取代或被至少一个r10a取代的c3-c60碳环基、未取代或被至少一个r10a取代的c1-c60杂环基、未取代或被至少一个r10a取代的c6-c60芳氧基、未取代或被至少一个r10a取代的c6-c60芳硫基、未取代或被至少一个r10a取代的c7-c60芳烷基、未取代或被至少一个r10a取代的c2-c60杂芳烷基、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，

21、a1至a4可各自独立地为选自0至10的整数，

22、r10a可为：

23、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；

24、各自未取代或被以下取代的c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基或者c1-c60烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c7-c60芳烷基、c2-c60杂芳烷基、-si(q11)(q12)(q13)、-n(q11)(q12)、-b(q11)(q12)、-c(＝o)(q11)、-s(＝o)2(q11)、-p(＝o)(q11)(q12)或其任何组合；

25、各自未取代或被以下取代的c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c7-c60芳烷基或者c2-c60杂芳烷基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c7-c60芳烷基、c2-c60杂芳烷基、-si(q21)(q22)(q23)、-n(q21)(q22)、-b(q21)(q22)、-c(＝o)(q21)、-s(＝o)2(q21)、-p(＝o)(q21)(q22)或其任何组合；或者

26、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-p(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)或-p(＝o)(q31)(q32)，并且

27、q1至q3、q11至q13、q21至q23和q31至q33可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；或者各自未取代或被氘、-f、氰基、c1-c60烷基、c1-c60烷氧基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或者其任何组合取代的c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c60碳环基或c1-c60杂环基。

28、本公开的一个或多个实施方式可包括包含发光装置的电子装置。

29、本公开的一个或多个实施方式可包括包含发光装置的电子设备。

30、本公开的一个或多个实施方式可包括由式1表示的有机金属化合物。

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【技术保护点】

1.一种发光装置包括：

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极为阳极，

3.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层包括所述由式1表示的有机金属化合物。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层发射具有500nm至650nm的最大发射波长的光。

5.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层包括主体和掺杂剂，并且所述掺杂剂包括所述由式1表示的有机金属化合物。

6.一种电子装置，包括根据权利要求1至5中任一项所述的发光装置。

7.根据权利要求6所述的电子装置，进一步包括薄膜晶体管，

8.根据权利要求7所述的电子装置，进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任何组合。

9.一种电子设备，包括根据权利要求1至5中任一项所述的发光装置，

10.一种由式1表示的有机金属化合物：

11.根据权利要求10所述的有机金属化合物，其中式1中由表示的基团为由选自式A1-1、式A1-2和式A1-3中的任何一个表示的基团：

12.根据权利

13.根据权利要求10所述的有机金属化合物，其中式1中的环A2和环A4各自独立地为苯基、吡啶基、嘧啶基、萘基、二苯并呋喃基、氮杂二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、芴基或二苯并噻咯基。

14.根据权利要求10所述的有机金属化合物，其中满足条件a和条件b中的至少一个：

15.根据权利要求10所述的有机金属化合物，其中选自式1中的环A2和环A4中的至少一个为二苯并呋喃基。

16.根据权利要求10所述的有机金属化合物，其中式1中的L1为单键或*-C(R5)(R6)-*'。

17.根据权利要求10所述的有机金属化合物，其中R1至R6各自独立地为：

18.根据权利要求10所述的有机金属化合物，其中所述由式1表示的有机金属化合物由选自式1-1至式1-4、式2-1和式2-2中的任何一个表示：

19.根据权利要求10所述的有机金属化合物，其中所述由式1表示的有机金属化合物发射具有500nm至650nm的最大发射波长的光。

20.根据权利要求10所述的有机金属化合物，其中利用密度泛函理论方法评估的所述由式1表示的有机金属化合物的3MLCT比例大于或等于16.0％。

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【技术特征摘要】