【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文中描述的实施例涉及包含存储器单元串及与所述存储器单元串相关联的控制栅极的存储器装置。
技术介绍
1、存储器装置(例如快闪存储器装置)广泛用于计算机及许多其它电子物品中。存储器装置通常具有许多存储器单元，存储器单元具有用于存储信息(例如，数据)的电荷存储结构及用于将信息(呈电信号的形式)载送到存储器单元及从存储器单元载送信息的数据线。存储器装置也具有用于在将信息存储在存储器单元中的写入操作期间或在从存储器装置读取信息(例如，先前存储信息)的读取操作期间存取存储器单元的控制栅极。一些常规存储器装置具有用于对存储器单元执行的读取及写入操作两者的相同控制栅极。此类常规存储器装置可易受非所要状况(例如读取操作期间的读取干扰)的影响。此外，控制栅极与存储器单元的电荷存储结构之间的栅极氧化物结构可能潜在地发生降级。存储器装置中的读取干扰及结构降级可导致不佳装置性能、不可靠存储器操作或两者。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种设备，其包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括衬底，其中：
3.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括衬底，其中：
4.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括衬底及定位在所述衬底上方的额外电介质，其中：
5.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括衬底及形成在所述衬底上方的导电区，其中：
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述电荷存储结构包含介电材料。
7.根据权利要求1所述的设备，其中所述电荷存储结构包含多晶硅材料。
8.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括在所述第一栅极与所述沟道结构之间的额外介电结构，其中：
9.一种设备，其包括：
10.根据权利要求9所述的设备，其中所述额外操作包含写入操作。
11.根据权利要求9所述的设备，其中所述额外操作包含擦除操作。
12.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括与所述存储器单元串相关联的沟道结构，其中：
13.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括在所述存储器单元的相应电荷
14.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括在所述存储器单元的相应电荷存储结构与所述第二控制栅极之间的介电结构，其中所述介电结构经配置以阻挡所述电荷存储结构与所述第二控制栅极之间的电荷的穿隧。
15.根据权利要求9所述的设备，其中所述第一控制栅极及所述第二控制栅极包含导电掺杂多晶硅材料。
16.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括衬底，其中：
17.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括衬底，其中：
18.一种方法，其包括：
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述沟道结构形成在所述存储器装置的衬底上方，且所述第一控制栅极及所述第二控制栅极经形成以在从所述沟道结构到所述衬底的方向上具有相应长度。
20.根据权利要求18的方法，其进一步包括：
21.根据权利要求18的方法，其进一步包括：
22.根据权利要求21所述的方法，其中在形成所述第二介电结构之前形成所述第一介电结构。
23.一种方法，其包括：
24.根据权利要求23所述的方法，其中在形成所述第一介电结构之后形成所述第二介电结构。
25.根据权利要求23所述的方法，其中形成所述第一控制栅极包含：
26.根据权利要求23所述的方法，其中形成所述第二控制栅极包含：
27.根据权利要求23所述的方法，其中形成所述第一控制栅极及所述第二控制栅极包含：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种设备，其包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括衬底，其中：
3.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括衬底，其中：
4.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括衬底及定位在所述衬底上方的额外电介质，其中：
5.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括衬底及形成在所述衬底上方的导电区，其中：
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述电荷存储结构包含介电材料。
7.根据权利要求1所述的设备，其中所述电荷存储结构包含多晶硅材料。
8.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括在所述第一栅极与所述沟道结构之间的额外介电结构，其中：
9.一种设备，其包括：
10.根据权利要求9所述的设备，其中所述额外操作包含写入操作。
11.根据权利要求9所述的设备，其中所述额外操作包含擦除操作。
12.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括与所述存储器单元串相关联的沟道结构，其中：
13.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括在所述存储器单元的相应电荷存储结构与所述第二控制栅极之间的介电结构，其中所述介电结构经配置以促进所述电荷存储结构与所述第二控制栅极之间的电荷的穿隧。
14.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括在所述存储器单元的相应电荷存...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘海涛，K·M·考尔道，A·法鲁辛，Y·董，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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