【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于脉宽调制（pwm），进一步来说涉及pwm波形调理领域，具体来说，涉及一种带死区的互补pwm信号电路。
技术介绍
1、在电力电子中，常利用脉宽调制（pwm）技术对电信号进行斩波从而进行电能转换。在脉宽调制技术中，往往需用到半桥或全桥结构组成的整流桥和逆变桥，这两种结构在运行不当时，会出现同一桥臂同时直通，从而导致短路，烧坏电路，引发危险。为了避免同一桥臂的同时直通造成短路，两路带有死区的互补pwm控制方式是常用的信号控制。实际应用中，生成两路互补的pwm信号的方法有多种。常用的方法是采用cpu芯片中定时器构成的pwm外设功能或者用定时器芯片，但是这样的方法需要的成本比较高，而对于低成本的产品往往受到限制，并且由于cpu芯片的pwm信号输出往往是固定通路数，在需要非常多路的pwm信号时候往往需要增加额外的芯片，这加大了应用成本。为了不使用具有定时功能的数字芯片，常用模拟电路搭建带有死区的互补电路，这些电路大多采用逻辑电路搭建而成，通过与门和非门组合逻辑实现带死区互补的pwm信号。但是这样的电路往往需要多个逻辑器件和多种逻辑电路，导致成本高，并且逻辑复杂，死区时间调整不够准确。
2、有鉴于此，特提出本专利技术。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是：解决现有生成两路互补的pwm信号的方法通路数固定、使用不灵活、逻辑复杂、死区时间调整不够准确、成本高的问题。
2、本专利技术的专利技术构思是：采用带死区互补的pwm信号以防止同桥臂直通。为了获
3、为此，本专利技术提供一种带死区的互补pwm信号调理电路，如图1所示。包括：非门器件u1a、u1b、u1c，死区生成模块m1，死区生成模块m2。
4、死区生成模块m1由二极管d1、电阻r1、电容c1组成。
5、死区生成模块m2由二极管d2、电阻r2、电容c2组成。
6、pwm1信号端与u1a的输入端、d1的正极、r1的一端连接，d1的负极、r1的另一端、c1的一端与u1b的输入端连接，u1a的输出端与d2的正极、r2的一端连接，d2的负极、r2的另一端、c2的一端与u1c的输入端连接，c1的另一端、c2的另一端接地，u1b的输出端与pwmh信号端连接，u1c的输出端与pwml信号端连接。
7、电路工作原理如下：
8、原pwm1信号通过非门（u1a）获得与原信号互补的信号pwm2。两路互补的pwm信号通过死区生成模块(m1、m2)，由于二极管的作用，输入信号上升沿很快通过二极管，而在输入信号下降沿的时候通过rc电路进行延时，通过该处理，可得到两路下降沿延时的信号hout、lout。两路下降沿延时的信号hout、lout通过非门整形电路（u1b、u1c）将具有下降延时的两路hout、lout进行整形，并且将下降延时的两路hout、lout转换成上升沿延时互补的pwm信号（pwmh、pwml），从而可获得两路带死区的互补pwm信号（pwmh、pwml）。
9、本专利技术选用三个非门，器件单一，不需要额外的逻辑电路，降低了器件选用的难度和成本。利用二极管的导通特性，可有效只对单边沿进行延时，当输入信号下降的时候二极管断开，信号通过rc延时慢慢下降，从而获得下降沿延时。上升时二极管导通，rc通路被旁路掉，信号能够快速通过。可通过修改电阻电容值，改变rc延迟来获得想要的死区时间，死区时间可通过一阶rc电路响应计算获得。
10、本专利技术具有逻辑器件单一、逻辑简单、死区配置方便、成本低的特点。
11、本专利技术实用性强、电路简单，可广泛应用于pwm波形调理相关
【技术保护点】
1.一种带死区的互补PWM信号调理电路，其特征在于：
2.如权利要求1所述的一种带死区的互补PWM信号调理电路，其特征在于，所述死区生成模块的死区时间计算公式如下：
3.如权利要求1所述的一种带死区的互补PWM信号调理电路，其特征在于，所述非门器件U1A、U1B、U1C为一体化半导体单片集成电路芯片。
4.如权利要求1所述的一种带死区的互补PWM信号调理电路，其特征在于，所述二极管D1、二极管D2为半导体二极管芯片。
5.如权利要求1所述的一种带死区的互补PWM信号调理电路，其特征在于，所述电阻R1、电阻R2为薄膜金属电阻。
6.如权利要求1所述的一种带死区的互补PWM信号调理电路，其特征在于，所述电容C1、电容C2为薄膜介质电容。
7.如权利要求1所述的一种带死区的互补PWM信号调理电路，其特征在于，所述互补PWM信号调理电路采用薄膜混合集成电路工艺进行集成。
【技术特征摘要】
1.一种带死区的互补pwm信号调理电路，其特征在于：
2.如权利要求1所述的一种带死区的互补pwm信号调理电路，其特征在于，所述死区生成模块的死区时间计算公式如下：
3.如权利要求1所述的一种带死区的互补pwm信号调理电路，其特征在于，所述非门器件u1a、u1b、u1c为一体化半导体单片集成电路芯片。
4.如权利要求1所述的一种带死区的互补pwm信号调理电路，其特征在于，所述二极管d...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨胜明，李平，吴光旭，马秀，付继先，何永江，
申请(专利权)人：贵州振华风光半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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