【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子元器件，尤其涉及一种高q小型化加载分布式电容的谐振腔结构。
技术介绍
1、q值也称为品质因数，用来表征一个储能元件(如电感线圈、电容等)、谐振电路所储存能量与同周期损耗能量之比的一种质量指标。q值越高，谐振腔体的频率稳定度就越高，整体结构就更准确；对于谐振腔而言，谐振腔的无载q值越高，滤波器通频带带内热损耗越小，越有利于带内插损性能的提升。
2、甚高频(vhf)带通滤波器的谐振电路主要由lc谐振电路构成，并且随着带通滤波器通带带宽的减小，对谐振腔q值的要求也逐渐增高。在vhf频段通常采用集总电容，且市面上已有成熟的高q值电容，此类电容标称q值可以达到10000以上，但是集成到谐振腔体后，使得谐振腔整体q值仅为300左右，用其实现的带通滤波器曲线带内插损较大，最优时为3.862db，带宽变窄，通带边缘呈弧形，传输效率低。虽然满足了小型化的需求，但其性能损失非常大。其仿测对比图如图1所示。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种高q小型化加载分布式电容的谐振腔结构，利用特定的结构，在整体谐振腔尺寸变化不大且继续维持小型化优势的前提下，使带通滤波器获得更好的插损，且性能稳定。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：
3、一种高q小型化加载分布式电容的谐振腔结构，包括分布电容组件和电感，所述分布电容组件包括谐振腔外导体、调谐螺杆和谐振腔内导体；
4、所述电感和谐振腔内导体均设于谐振腔外导体
5、所述谐振腔内导体与谐振腔外导体之间具有间隔并形成一部分电容，所述谐振腔内导体为中空结构，使所述谐振腔内导体的内部形成一部分电容；所述调谐螺杆一端从谐振腔外导体一端相对的另一端探入至谐振腔外导体内部，且与谐振腔内导体间隔设置并形成一部分可变电容。
6、进一步的，还包括设于谐振腔外导体内部的调谐罩；
7、所述调谐罩固定于谐振腔内导体的外侧壁和谐振腔外导体一端相对的另一端的内侧壁之间，所述调谐罩与谐振腔外导体接触，且不与谐振腔内导体接触。
8、进一步的，所述调谐罩的材质均为铜合金镀银或铝合金镀银。
9、进一步的，所述谐振腔外导体、调谐螺杆和谐振腔内导体的材质均为铜合金镀银或铝合金镀银。
10、进一步的，所述调谐螺杆通过螺母固定在谐振腔外导体一端相对的另一端的侧壁上。
11、进一步的，所述调谐螺杆内置有集总式电容。
12、本专利技术的有益效果在于：
13、本专利技术提供的一种高q小型化加载分布式电容的谐振腔结构，所述电感和谐振腔内导体均设于谐振腔外导体内部，所述电感的一端与谐振腔外导体一端的内侧壁连接，所述电感的另一端与谐振腔内导体连接；所述谐振腔内导体与谐振腔外导体之间具有间隔并形成一部分电容，所述谐振腔内导体为中空结构，使所述谐振腔内导体的内部形成一部分电容；所述调谐螺杆一端从谐振腔外导体一端相对的另一端探入至谐振腔外导体内部，且与谐振腔内导体间隔设置并形成一部分可变电容。通过上述方案，介质(空气)损耗几乎不存在，同时能够增加各层之间的正对面积，降低电流密度，进而降低金属性发热损耗，且进一步增大互相之间所产生的平板电容容值，使得lc并联谐振腔的品质因数q增大。
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1.一种高Q小型化加载分布式电容的谐振腔结构，其特征在于，包括分布电容组件和电感，所述分布电容组件包括谐振腔外导体、调谐螺杆和谐振腔内导体；
2.根据权利要求1所述的一种高Q小型化加载分布式电容的谐振腔结构，其特征在于，还包括设于谐振腔外导体内部的调谐罩；
3.根据权利要求2所述的一种高Q小型化加载分布式电容的谐振腔结构，其特征在于，所述调谐罩的材质均为铜合金镀银或铝合金镀银。
4.根据权利要求1或3所述的一种高Q小型化加载分布式电容的谐振腔结构，其特征在于，所述谐振腔外导体、调谐螺杆和谐振腔内导体的材质均为铜合金镀银或铝合金镀银。
5.根据权利要求1所述的一种高Q小型化加载分布式电容的谐振腔结构，其特征在于，所述调谐螺杆通过螺母固定在谐振腔外导体一端相对的另一端的侧壁上。
6.根据权利要求1所述的一种高Q小型化加载分布式电容的谐振腔结构，其特征在于，所述调谐螺杆内置有集总式电容。
【技术特征摘要】
1.一种高q小型化加载分布式电容的谐振腔结构，其特征在于，包括分布电容组件和电感，所述分布电容组件包括谐振腔外导体、调谐螺杆和谐振腔内导体；
2.根据权利要求1所述的一种高q小型化加载分布式电容的谐振腔结构，其特征在于，还包括设于谐振腔外导体内部的调谐罩；
3.根据权利要求2所述的一种高q小型化加载分布式电容的谐振腔结构，其特征在于，所述调谐罩的材质均为铜合金镀银或铝合金镀银。
4.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘祎静，王中锋，朱陈华，吴保义，何凯伦，赵浩瀚，
申请(专利权)人：福建星海通信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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