System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种半桥驱动电路和电机驱动电路制造技术_技高网

一种半桥驱动电路和电机驱动电路制造技术

技术编号:40066096 阅读:10 留言:0更新日期:2024-01-16 23:26
本发明专利技术提供了一种半桥驱动电路和电机驱动电路,所述半桥驱动电路包括:隔离地转换电路、电压隔离电路、第一驱动芯片、第一钳位电路、第二驱动芯片和第二钳位电路;通过电压隔离电路将输入电压转换成第一正电压、第一负电压、第二正电压和第二负电压,使得第一钳位电路和第二钳位电路将输入到MOS管的高电压分别钳位到第一正电压和第二正电压,MOS管彻底导通,并使得第一钳位电路和第二钳位电路将输入到MOS管的低电压分别钳位到第一负电压和第二负电压,MOS管彻底截止,使得半桥臂中MOS管的导通或截止与驱动脉冲信号的脉冲频率无关,降低了对脉冲频率的要求,还可以使得上桥臂MOS管可以持续长时间导通,提高了电机动能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及h桥驱动,尤其涉及一种半桥驱动电路和电机驱动电路


技术介绍

1、h桥电路是指由4个功率开关构成的,形状类似字母“h”的电路结构;h桥电路是一种典型的直流有刷电机驱动控制电路,广泛应用于电机驱动控制领域中。该驱动系统常采用h桥双极驱动模式,通过两组互补的pwm信号对h桥mos管进行开断,通过控制mos管的开断顺序和开断时间来控制电机转速和转向。

2、在电机驱动领域,h桥的上桥臂mos管常采用自举电容进行驱动控制,但是在该驱动方式的电路中,自举电容的电压需要下桥臂进行电压跳变才能自举,如果控制上桥臂的驱动控制信号的脉冲频率低,使得上桥臂的导通时间较长,此时的自举电容将持续放电,在压差逐渐减小的同时使得上桥臂mos管的栅源电压小于mos管的开启电压,导致上桥臂mos管关断;因此,自举电容带来的影响就是使h桥电路无法适应频率较低的驱动控制信号,同时由于上桥臂不能保持较长时间的导通,将使得电机无法获得最大动能,最终的结果就是导致电机的最高转速无法满足设计要求。

3、可见,现有技术中的h桥驱动电路存在对驱动控制信号的脉冲频率要求高的问题,同时无法满足上桥臂长时间导通的需求,从而降低了电机的动能。


技术实现思路

1、针对现有技术中所存在的不足,本专利技术提供了一种半桥驱动电路和电机驱动电路,其解决了现有技术中的h桥驱动电路存在对驱动控制信号的脉冲频率要求高的问题,本专利技术使上桥臂mos管在不受到mos管栅极寄生电容影响的同时也不会受到电机输出的反电动势的影响,使得mos管的导通或截止与驱动脉冲信号的脉冲频率无关,降低了对脉冲频率的要求,还可以使得上桥臂mos管可以持续长时间导通,提高了电机动能。

2、第一方面,本专利技术提供一种半桥驱动电路,所述驱动电路包括:隔离地转换电路、电压隔离电路、第一驱动芯片、第一钳位电路、第二驱动芯片和第二钳位电路;所述隔离地转换电路用于将输入电压相匹配的电源地转换成第一隔离地和第二隔离地;所述电压隔离电路与电压输入端相连,用于将输入电压转换成第一正电压、第一负电压、第二正电压和第二负电压;所述第一驱动芯片的电源端与所述电压隔离电路的第一正电压输出端相连,所述第一驱动芯片的输出端与所述第一钳位电路的第一端相连,所述第一钳位电路的第二端与所述电压隔离电路的第一负电压输出端相连,所述第一钳位电路的第三端与所述半桥电路中上桥臂mos管的栅极相连;所述第二驱动芯片的电源端与所述电压隔离电路的第二正电压输出端相连,所述第二驱动芯片的输出端与所述第二钳位电路的第一端相连,所述第二钳位电路的第二端与所述电压隔离电路的第二负电压输出端相连,所述第二钳位电路的第三端与所述半桥电路中下桥臂mos管的栅极相连;其中,所述上桥臂mos管的漏极与电源输出端相连,所述上桥臂mos管的源极与所述第一隔离地相连,所述下桥臂mos管的漏极与所述上桥臂mos管的源极相连,所述下桥臂mos管的源极与所述第二隔离地相连。

3、可选地,所述电压隔离电路包括:脉冲信号发生器、开关mos管、隔离变压器、第一自举模块和第二自举模块;所述脉冲信号发生器的输出端与所述开关mos管的栅极相连,所述开关mos管的源极与电源地相连;所述隔离变压器的原边第一绕组的第一端与所述电压输入端相连,所述隔离变压器的原边第一绕组的第二端与所述开关mos管的漏极相连,所述隔离变压器的副边第一绕组的两端分别与所述第一自举模块相连,所述隔离变压器的副边第二绕组的两端分别与所述第二自举模块相连;所述第一自举模块的第一输出端与所述第一驱动芯片的电源端相连,所述第一自举模块的第二输出端与所述第一钳位电路的第二端相连,所述第二自举模块的第一输出端与所述第二驱动芯片的电源端相连,所述第二自举模块的第二输出端与所述第二钳位电路的第二端相连。

4、可选地,所述电压隔离电路还包括:吸波模块,与所述隔离变压器的原边第一绕组的两端相连,用于消除所述隔离变压器的原边第一绕组中的反电动势;电压调节模块,与所述隔离变压器的原边第二绕组的两端相连,用于调节所述隔离变压器的输出电压。

5、可选地,所述第一自举模块包括:第一二极管、第一电阻、第一电容、第二电容、第二二极管和第三二极管;所述第一二极管的阳极与所述隔离变压器的副边第一绕组的第一端相连,所述第一二极管的阴极通过所述第一电阻与所述第一电容的第一端和所述第二二极管的阴极相连,所述第一电容的第二端和所述第二二极管的阳极与所述第一隔离地相连;所述第二电容的第一端和所述第三二极管的阳极分别与所述隔离变压器的副边第一绕组的第二端相连,所述第二电容的第一端和所述第三二极管的阴极与所述第一隔离地相连。

6、可选地,所述第二自举模块包括:第四二极管、第二电阻、第三电容、第四电容、第五二极管和第六二极管;所述第四二极管的阳极与所述隔离变压器的副边第二绕组的第一端相连,所述第四二极管的阴极通过所述第二电阻与所述第三电容的第一端和所述第五二极管的阴极相连,所述第三电容的第二端和所述第五二极管的阳极与所述第二隔离地相连;所述第四电容的第一端和所述第六二极管的阳极分别与所述隔离变压器的副边第二绕组的第二端相连,所述第四电容的第一端和所述第六二极管的阴极与所述第二隔离地相连。

7、可选地,所述吸波模块包括:第三电阻、第五电容和第七二极管;所述所述第三电阻的第一端、所述第五电容的第一端分别与所述隔离变压器的原边第一绕组的第一端相连,所述第三电阻的第二端和所述第五电容的第二端分别与所述第七二极管的阴极相连,所述第七二极管的阳极与所述隔离变压器的原边第一绕组的第二端相连。

8、可选地,所述电压调节模块包括:第四电阻、第五电阻、第六电阻、第六电容和第八二极管;所述第四电阻的第一端与所述脉冲信号发生器相连,所述第四电阻的第一端还通过所述第五电阻与电源地相连,所述第四电阻的第二端分别与所述第六电阻的第一端、第六电容的第一端和所述第八二极管的阴极相连,所述第八二极管的阳极与所述隔离变压器的原边第二绕组的第一端相连,所述第六电阻的第二端、所述第六电容的第二端和所述隔离变压器的原边第二绕组的第二端分别与所述电源地相连。

9、可选地,所述第一钳位电路包括:第七电阻和第一三极管;所述第七电阻的第一端与所述第一驱动芯片的输出端相连,所述第七电阻的第二端与所述上桥臂mos管的栅极相连;所述第一三极管的基极与所述第七电阻的第一端相连,所述第一三极管的发射极与所述第七电阻的第二端相连,所述第一三极管的集电极与所述电压隔离电路的第一负电压输出端相连。

10、可选地,所述第二钳位电路包括:第八电阻和第二三极管;所述第八电阻的第一端与所述第二驱动芯片的输出端相连,所述第八电阻的第二端与所述下桥臂mos管的栅极相连;所述第二三极管的基极与所述第八电阻的第一端相连,所述第二三极管的发射极与所述第八电阻的第二端相连,所述第二三极管的集电极与所述电压隔离电路的第二负电压输出端相连。

11、第二方面,本专利技术提供一种电机驱动电路,所述电机驱动电路包括:h桥电路和两个所述的半本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半桥驱动电路,其特征在于,所述驱动电路包括:

2.如权利要求1所述的一种半桥驱动电路,其特征在于,所述电压隔离电路包括:

3.如权利要求2所述的一种半桥驱动电路,其特征在于,所述电压隔离电路还包括:

4.如权利要求2所述的一种半桥驱动电路,其特征在于,所述第一自举模块包括:

5.如权利要求2所述的一种半桥驱动电路,其特征在于,所述第二自举模块包括:

6.如权利要求3所述的一种半桥驱动电路,其特征在于,所述吸波模块包括:

7.如权利要求3所述的一种半桥驱动电路,其特征在于,所述电压调节模块包括:

8.如权利要求1所述的一种半桥驱动电路,其特征在于,所述第一钳位电路包括:

9.如权利要求1所述的一种半桥驱动电路,其特征在于,所述第二钳位电路包括:

10.一种电机驱动电路,其特征在于,所述电机驱动电路包括:H桥电路和两个权利要求1-9任一项所述的半桥驱动电路。

【技术特征摘要】

1.一种半桥驱动电路,其特征在于,所述驱动电路包括:

2.如权利要求1所述的一种半桥驱动电路,其特征在于,所述电压隔离电路包括:

3.如权利要求2所述的一种半桥驱动电路,其特征在于,所述电压隔离电路还包括:

4.如权利要求2所述的一种半桥驱动电路,其特征在于,所述第一自举模块包括:

5.如权利要求2所述的一种半桥驱动电路,其特征在于,所述第二自举模块包括:

6.如权利要求3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:李平何永江段方姚平平吴光旭付继先
申请(专利权)人:贵州振华风光半导体股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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