一种半桥驱动电路和电机驱动电路制造技术

技术编号:40066096 阅读:24 留言:0更新日期:2024-01-16 23:26
本发明专利技术提供了一种半桥驱动电路和电机驱动电路,所述半桥驱动电路包括:隔离地转换电路、电压隔离电路、第一驱动芯片、第一钳位电路、第二驱动芯片和第二钳位电路;通过电压隔离电路将输入电压转换成第一正电压、第一负电压、第二正电压和第二负电压,使得第一钳位电路和第二钳位电路将输入到MOS管的高电压分别钳位到第一正电压和第二正电压,MOS管彻底导通,并使得第一钳位电路和第二钳位电路将输入到MOS管的低电压分别钳位到第一负电压和第二负电压,MOS管彻底截止,使得半桥臂中MOS管的导通或截止与驱动脉冲信号的脉冲频率无关,降低了对脉冲频率的要求,还可以使得上桥臂MOS管可以持续长时间导通,提高了电机动能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及h桥驱动,尤其涉及一种半桥驱动电路和电机驱动电路


技术介绍

1、h桥电路是指由4个功率开关构成的,形状类似字母“h”的电路结构;h桥电路是一种典型的直流有刷电机驱动控制电路,广泛应用于电机驱动控制领域中。该驱动系统常采用h桥双极驱动模式,通过两组互补的pwm信号对h桥mos管进行开断,通过控制mos管的开断顺序和开断时间来控制电机转速和转向。

2、在电机驱动领域,h桥的上桥臂mos管常采用自举电容进行驱动控制,但是在该驱动方式的电路中,自举电容的电压需要下桥臂进行电压跳变才能自举,如果控制上桥臂的驱动控制信号的脉冲频率低,使得上桥臂的导通时间较长,此时的自举电容将持续放电,在压差逐渐减小的同时使得上桥臂mos管的栅源电压小于mos管的开启电压,导致上桥臂mos管关断;因此,自举电容带来的影响就是使h桥电路无法适应频率较低的驱动控制信号,同时由于上桥臂不能保持较长时间的导通,将使得电机无法获得最大动能,最终的结果就是导致电机的最高转速无法满足设计要求。

3、可见,现有技术中的h桥驱动电路存在对驱动控制信号的脉冲频率要求本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半桥驱动电路,其特征在于,所述驱动电路包括:

2.如权利要求1所述的一种半桥驱动电路,其特征在于,所述电压隔离电路包括:

3.如权利要求2所述的一种半桥驱动电路,其特征在于,所述电压隔离电路还包括:

4.如权利要求2所述的一种半桥驱动电路,其特征在于,所述第一自举模块包括:

5.如权利要求2所述的一种半桥驱动电路,其特征在于,所述第二自举模块包括:

6.如权利要求3所述的一种半桥驱动电路,其特征在于,所述吸波模块包括:

7.如权利要求3所述的一种半桥驱动电路,其特征在于,所述电压调节模块包括:

8...

【技术特征摘要】

1.一种半桥驱动电路,其特征在于,所述驱动电路包括:

2.如权利要求1所述的一种半桥驱动电路,其特征在于,所述电压隔离电路包括:

3.如权利要求2所述的一种半桥驱动电路,其特征在于,所述电压隔离电路还包括:

4.如权利要求2所述的一种半桥驱动电路,其特征在于,所述第一自举模块包括:

5.如权利要求2所述的一种半桥驱动电路,其特征在于,所述第二自举模块包括:

6.如权利要求3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:李平何永江段方姚平平吴光旭付继先
申请(专利权)人:贵州振华风光半导体股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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