一种控制三极管正向放大系数的电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种控制三极管正向放大系数的电路，利用一个运算放大器和一个第二ＭＯＳ管，通过将运算放大器的一个输入端耦合到电流为三极管的发射极电流的主功率开关管的漏极端，将运算放大器的另一个输入端耦合到第一ＭＯＳ管的漏极端，使运算放大器的两个输入端处的电压相等，这样流过第一ＭＯＳ管的电流将与三极管的发射极电流成比例，电流镜镜像流过第一ＭＯＳ管的电流并提供给三极管的基极，使得三极管的基极电流与发射极电流成比例，达到了控制三极管的正向放大系数的目的，且三极管的正向放大系数不受三极管制造工艺和环境温度的影响，从而使得初级线圈的峰值电流不受三极管的正向放大系数的不同产生影响。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种三极管控制电路，尤其是涉及一种控制三极管正向放大系数 的电路。
技术介绍
近年来，恒压恒流反激式电源控制IC(集成电路)已得到了快速地发展和应用，如 应用于离线式AC/DC电源适配器、充电器和移动设备的备用电源等装置中。图1给出了一种现有的典型的应用于恒压恒流反激式电源控制IC(集成电路)中 的使用三极管作为初级线圈开关的电路结构，其包括初级线圈Lp、次级线圈Ls、三极管T、 主功率开关管M0、脉宽调制器PWM、误差放大器EA、电流感应电阻Res、第一分压电阻Rl和 第二分压电阻R2，初级线圈Lp的一端接入输入电压Vin，初级线圈Lp的另一端与三极管T 的集电极连接，三极管T的基极接入基极电流，三极管T的发射极与主功率开关管MO的漏 极连接，主功率开关管MO的源极和衬底均与电流感应电阻Rcs的第一端连接，电流感应电 阻Rcs的第二端接地，第一分压电阻Rl的第二端与第二分压电阻R2的第一端连接，其公 共连接端与误差放大器EA的第一输入端连接，误差放大器EA的第二输入端接入基准电压 ref，误差放大器EA的输出端与脉宽调制器PWM的第二输入端连接，脉宽调制器PWM的第一 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种控制三极管正向放大系数的电路，其特征在于包括初级线圈、三极管、主功率开关管、用于比例所述的主功率开关管的电流且类型与所述的主功率开关管相同的第一ＭＯＳ管、第二ＭＯＳ管、运算放大器、电流感应电阻及用于镜像所述的第一ＭＯＳ管的电流的电流镜，所述的初级线圈的第一端接入输入电压，所述的初级线圈的第二端与所述的三极管的集电极相连接，所述的三极管的发射极分别与所述的运算放大器的第一输入端和所述的主功率开关管的漏极相连接，所述的主功率开关管的栅极和所述的第一ＭＯＳ管的栅极均接入驱动信号，所述的主功率开关管的衬底和源极及所述的第一ＭＯＳ管的衬底和源极均通过所述的电流感应电阻接地，所述的第一ＭＯＳ管的漏极分...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：滕谋艳，
申请(专利权)人：日银IMP微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：97[中国|宁波]