【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于车辆驱动，具体涉及一种可自适应处理的h桥驱动电路。
技术介绍
1、商用车作为汽车工业的主力军，承载着物流运输的重要职能，因此做好负载的驱动设计在电动化的发展中尤为重要。其中电机、电磁阀等执行机构共同参与车辆工作，不同工况时这些负载通常要实现的功能状态也不尽相同，比如控制电机的正反转来完成车辆的行车与倒车功能；或者控制电机的转速来完成车辆的加速与减速功能。为了实现上述对电机等感性负载的驱动设计，比较普遍的应用是脉宽调制(以下简称为pwm)形式来驱动h桥，但通常会出现驱动电路过热、负载突然停机时高电压电流的反冲等现象，容易造成h桥的控制故障。
技术实现思路
1、针对现有技术的上述不足，本专利技术提供一种可自适应处理的h桥驱动电路，以解决上述技术问题。
2、本专利技术提供一种可自适应处理的h桥驱动电路，包括mcu、h桥驱动子电路、第一图腾柱子电路、第二图腾柱子电路、第三图腾柱子电路、第四图腾柱子电路、电荷泵升压子电路、光耦隔离子电路、供电电压检测子电路和驱动电路检测子电路；
3、h桥驱动子电路的第一端连接到第一图腾柱子电路的第一端，第一图腾柱子电路的第二端通过光耦隔离子电路连接到mcu的输出端，第一图腾柱子电路的第三端通过电荷泵升压子电路连接到供电电压检测子电路的第一端，h桥驱动子电路的第二端连接到第二图腾柱子电路的第一端，第二图腾柱子电路的第二端连接到mcu的输出端，h桥驱动子电路的第三端连接到第三图腾柱子电路的第一端，第三图腾柱子电路的第二端连接
4、本技术方案的进一步改进还有，h桥驱动子电路包括mos管q1、mos管q2、mos管q3、mos管q4、电容c1、电阻r1、二极管d1、二极管d2、二极管d3和二极管d4；
5、mos管q1的栅极连接到第一图腾柱子电路，mos管q1的漏极连接到供电电压检测子电路和电容c1的第一端，mos管q1的源极连接到待驱动感性负载的正极，mos管q2的栅极连接到第二图腾柱子电路，mos管q2的漏极连接到供电电压检测子电路和电容c1的第一端，mos管q2的源极连接到待驱动感性负载的负极，mos管q3的栅极连接到第三图腾柱子电路，mos管q3的漏极连接到待驱动感性负载的负极，mos管q3的源极连接到驱动电流检测子电路，mos管q4的栅极连接到第四图腾柱子电路，mos管q4的漏极连接到待驱动感性负载的正极，mos管q4的源极连接到驱动电流检测子电路，电容c1得到第二端通过电阻r1连接到待驱动感性负载的正极和待驱动感性负载的负极，待驱动感性负载的正极还连接到二极管d1的正极和二极管d4的负极，待驱动感性负载的负极还连接到二极管d2的正极和二极管d3的负极，二极管d1的负极和二极管d2的负极均连接到24v电源，二极管d3的正极和二极管d4的正极均接地。
6、本技术方案的进一步改进还有，第一图腾柱子电路包括三极管q5、三极管q6、电阻r2和电容c2；
7、三极管q5的基极连接到光耦隔离子电路，三极管q5的集电极连接到电荷泵升压子电路，三极管q5的发射极连接到电阻r2的第一端，电阻r2的第二端连接到mos管q1的栅极和电容c2的第一端，电容c2的第二端接地，三极管q6的基极连接到光耦隔离子电路，三极管q6的发射极连接到电阻r2的第一端，三极管q6的集电极接地。
8、本技术方案的进一步改进还有，光耦隔离子电路包括光耦合隔离器u1和电阻r6，光耦合隔离器u1中发光器的正极连接到mcu的输出端，光耦合隔离器u 1中发光器的正极通过电阻r6信号接地，光耦合隔离器u1中受光器的集电极连接到5v电源，光耦合隔离器u1中受光器的发射极连接到三极管q5的基极和三极管q6的基极。
9、本技术方案的进一步改进还有，电荷泵升压子电路包括电容c6、电容c7、二极管d5和二极管d6，电容c6的第一端接地，电容c6的第二端连接到三极管q5的集电极、升压电源和二极管d5的负极，二极管d5的正极连接到电容c7的第一端和二极管d6的负极，电容c7的第二端连接到mcu的输出端，二极管d6的正极连接到供电电压检测子电路。
10、本技术方案的进一步改进还有，供电电压检测子电路包括采样电阻r7和比较器u2，采样电阻r7的第一端连接到24v电源，采样电阻r7的第二端连接到比较器u2的反向输入端，比较器u2的反向输入端还连接到电容c1的第一端和二极管d6的正极，比较器u2的正向输入端连接到24v电源，比较器u2的电源端连接到外部电源vcc，比较器u2的接地端接地，比较器u2的输出端连接到mcu的输入端。
11、本技术方案的进一步改进还有，第二图腾柱子电路包括三极管q7、三极管q8、电容c3和电阻r3；
12、三极管q7的基极连接到mcu的输出端，三极管q7的集电极接地，三极管q7的发射极连接到电阻r3的第一端，电阻r3的第二端连接到mos管q2的栅极和电容c3的第一端，电容c3的第二端接地，三极管q8的基极连接到mcu的输出端，三极管q8的发射极连接到电阻r3的第一端，三极管q8的集电极连接到升压电源。
13、本技术方案的进一步改进还有，第三图腾柱子电路包括三极管q9、三极管q 10、电容c4和电阻r4；
14、三极管q9的基极连接到mcu的输出端，三极管q9的集电极接地，三极管q9的发射极连接到电阻r4的第一端，电阻r4的第二端连接到mos管q3的栅极和电容c4的第一端，电容c4的第二端接地，三极管q10的基极连接到mcu的输出端，三极管q10的发射极连接到电阻r4的第一端，三极管q10的集电极连接到升压电源。
15、本技术方案的进一步改进还有，第四图腾柱子电路包括三极管q11、三极管q12、电容c5和电阻r5；
16、三极管q11的基极连接到mcu的输出端，三极管q11的集电极连接到升压电源，三极管q11的发射极连接到电阻r5的第一端，电阻r5的第二端连接到mos管q4的栅极和电容c5的第一端，电容c5的第二端接地，三极管q12的基极连接到mcu的输出端，三极管q12的发射极连接到电阻r5的第一端，三极管q 12的集电极接地。
17、本技术方案的进一步改进还有，驱动电路检测子电路包括电阻r8和比较器u3，电阻r8的第一端接地，电阻r8的第二端连接到比较器u3的反向输入端，比较器u3的反向输入端还连接到mos管q3的源极和mos管q4的源极，比较器u3的正向输入端接地，比较器u3的输出端连接到mcu的输入端。
18、本专利技术的有益效果在于，本专利技术通过分立式器件搭建图腾式电路，应用其放大电流的增益效果减少功率器件mo本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种可自适应处理的H桥驱动电路，其特征在于，包括MCU、H桥驱动子电路、第一图腾柱子电路、第二图腾柱子电路、第三图腾柱子电路、第四图腾柱子电路、电荷泵升压子电路、光耦隔离子电路、供电电压检测子电路和驱动电路检测子电路；
2.根据权利要求1所述的可自适应处理的H桥驱动电路，其特征在于，H桥驱动子电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、电容C1、电阻R 1、二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4；
3.根据权利要求2所述的可自适应处理的H桥驱动电路，其特征在于，第一图腾柱子电路包括三极管Q5、三极管Q6、电阻R2和电容C2；
4.根据权利要求3所述的可自适应处理的H桥驱动电路，其特征在于，光耦隔离子电路包括光耦合隔离器U1和电阻R6，光耦合隔离器U1中发光器的正极连接到MCU的输出端，光耦合隔离器U1中发光器的正极通过电阻R6信号接地，光耦合隔离器U1中受光器的集电极连接到5V电源，光耦合隔离器U1中受光器的发射极连接到三极管Q5的基极和三极管Q6的基极。
5.根据权利要求3所述的可自适应处理的H桥驱
6.根据权利要求5所述的可自适应处理的H桥驱动电路，其特征在于，供电电压检测子电路包括采样电阻R7和比较器U2，采样电阻R7的第一端连接到24V电源，采样电阻R7的第二端连接到比较器U2的反向输入端，比较器U2的反向输入端还连接到电容C1的第一端和二极管D6的正极，比较器U2的正向输入端连接到24V电源，比较器U2的电源端连接到外部电源VCC，比较器U2的接地端接地，比较器U2的输出端连接到MCU的输入端。
7.据权利要求2的可自适应处理的H桥驱动电路，其特征在于，第二图腾柱子电路包括三极管Q7、三极管Q8、电容C3和电阻R3；
8.根据权利要求2所述的可自适应处理的H桥驱动电路，其特征在于，第三图腾柱子电路包括三极管Q9、三极管Q10、电容C4和电阻R4；
9.根据权利要求2所述的可自适应处理的H桥驱动电路，其特征在于，第四图腾柱子电路包括三极管Q11、三极管Q12、电容C5和电阻R5；
10.根据权利要求2所述的可自适应处理的H桥驱动电路，其特征在于，驱动电路检测子电路包括电阻R8和比较器U3，电阻R8的第一端接地，电阻R8的第二端连接到比较器U3的反向输入端，比较器U3的反向输入端还连接到MOS管Q3的源极和MOS管Q4的源极，比较器U3的正向输入端接地，比较器U3的输出端连接到MCU的输入端。
...【技术特征摘要】
1.一种可自适应处理的h桥驱动电路，其特征在于，包括mcu、h桥驱动子电路、第一图腾柱子电路、第二图腾柱子电路、第三图腾柱子电路、第四图腾柱子电路、电荷泵升压子电路、光耦隔离子电路、供电电压检测子电路和驱动电路检测子电路；
2.根据权利要求1所述的可自适应处理的h桥驱动电路，其特征在于，h桥驱动子电路包括mos管q1、mos管q2、mos管q3、mos管q4、电容c1、电阻r 1、二极管d1、二极管d2、二极管d3和二极管d4；
3.根据权利要求2所述的可自适应处理的h桥驱动电路，其特征在于，第一图腾柱子电路包括三极管q5、三极管q6、电阻r2和电容c2；
4.根据权利要求3所述的可自适应处理的h桥驱动电路，其特征在于，光耦隔离子电路包括光耦合隔离器u1和电阻r6，光耦合隔离器u1中发光器的正极连接到mcu的输出端，光耦合隔离器u1中发光器的正极通过电阻r6信号接地，光耦合隔离器u1中受光器的集电极连接到5v电源，光耦合隔离器u1中受光器的发射极连接到三极管q5的基极和三极管q6的基极。
5.根据权利要求3所述的可自适应处理的h桥驱动电路，其特征在于，电荷泵升压子电路包括电容c6、电容c7、二极管d5和二极管d6，电容c6的第一端接地，电容c6的第二端连接到三极管q5的集电极、升压电源和二极管d5的负极，二极管d5的正极连接到电容c7的第一端和二极管d6的负极，电容c7的第二端...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢宇杰，刘永春，高崧林，李兆杰，田欣雨，王宽廷，
申请(专利权)人：中国重汽集团济南动力有限公司，
类型：发明
国别省市：
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