【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微波传输，尤其涉及一种波导到微带线的功分结构。
技术介绍
1、矩形波导与微带线是微波传输领域广泛应用的两种射频传输线，微带线具有体积小，易于集成的特点，常用于在毫米波以及太赫兹集成电路中实现不同射频网络之间的互联，然而，微带线损耗大，更多用于板内互联，对于不同射频微波系统之间的互联往往需要借助损耗更小的矩形波导进行信号传输。
2、为了实现不同射频微波系统之间的信号传输，需要设计宽带的波导-微带线的转换结构，实现这两种类型的传输线之间的匹配。且在部分复杂的馈电网络中，往往还需要对电磁信号进行功分，实现对不同射频网络的馈电。
3、常见的功分方式有两种，信号通过波导与微带线的转换结构馈入微波pcb板，在板内做功分器，但该方式馈电网络复杂，走线长，微带线损耗大。另一种功分实现方式为先采用波导功分，再通过不同的波导口馈入微波pcb板，该方式能实现较小的损耗，但需要较大的空间，不利于实现小型化。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种波导到微带线的功分结构，以解决现有功分结构无法兼顾小体积和低损耗的问题。
2、本专利技术通过下述技术方案实现：
3、本专利技术的第一方面，提供了一种波导到微带线的功分结构，所述功分结构包括波导结构件和pcb板；
4、所述波导结构件垂直设置于所述pcb板上表面一侧，所述pcb板上设有siw结构和两个微带线输出端口；
5、两个所述微带线输出端口对称设置于所述pcb板上表面的边缘位置，且
6、所述pcb板上还设有波导到所述siw结构的过渡耦合缝隙，和siw结构分别到两个微带线输出端口的过渡结构。
7、在本专利技术的功分结构中，电磁场信号自波导结构件的输入端口输入，经过波导到siw结构的过渡耦合缝隙转换至pcb板内结构，电磁信号在pcb板上的siw结构中传输，经过siw结构分别到两个微带线输出端口的过渡结构，实现siw结构到两个微带线输出端口的转换。在pcb板上设置微带线输出端口、siw结构、波导到siw结构的过渡耦合缝隙以及siw结构到微带线的过渡结构，实现波导到微带线的转换和功分，使得结构紧凑，易于集成制作，相比较先采用波导功分，再通过不同的波导口馈入微波pcb板的方式，后者需要较大空间设置不同的波导口，而本专利技术的结构体积更小。通过siw结构和波导到siw结构的过渡耦合缝隙可同时实现波导到siw结构的过渡和功分，再转换为微波输出，相比较先进行波导到微带线的转换，再在pcb板内进行微带线功分的方式，本专利技术所需的微带线传输路径更短，微带线走线越长，传输损耗越大，siw的损耗和波导的损耗小于微带线的损耗。因此本专利技术的功分结构可以兼顾小体积和低损耗的特点。
8、在一种实施方式中，所述siw结构由所述pcb板上对称的两条金属化过孔形成，每条所述金属化过孔由一侧微带线输出端口沿着所述过渡耦合缝隙和所述过渡结构的外缘延伸至另一侧微带线输出端口。
9、在一种实施方式中，所述金属化过孔为机械孔，每个所述金属化过孔的半径为0.1mm,间距为0.35～0.6mm。
10、在一种实施方式中，所述渡耦合缝隙的形状与所述波导结构件的下端面形状相同。
11、在一种实施方式中，所述波导结构件为三层两级阶梯结构。
12、在一种实施方式中，所述波导结构件的第一层为标准矩形波导结构，第二层为工字形双面脊波导结构，第三层为王字形波导结构；所述第一层远离所述pcb板，所述第三层临近所述pcb板。
13、在一种实施方式中，所述第一层波导结构和所述第二层波导结构的高度均为四分之一波长。
14、在一种实施方式中，所述波导结构件的第一层为标准矩形波导结构，第二层为工字形双面脊波导结构，第三层为非对称的王字形结构；所述第一层远离所述pcb板，所述第三层临近所述pcb板。
15、在一种实施方式中，所述pcb板为双面板。
16、在一种实施方式中，所述过渡结构为渐变巴伦结构。
17、本专利技术与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
18、通过siw结构、波导到siw结构的过渡耦合缝隙、以及siw结构分别到两个微带线输出端口的过渡结构实现波导到微带线的过渡和功分，相比现有技术所需的微带线传输路径更短，从而传输损耗更小。
19、siw结构、波导到siw结构的过渡耦合缝隙、以及siw结构分别到两个微带线输出端口的过渡结构构成的转换结构易于在pcb板上集成制作，该过渡方式无需设置多个波导口，使得功分结构体积更小，兼顾小体积和低功耗。
20、三层两级阶梯的波导结构件实现波导到siw结构的阻抗匹配，第一层设置为标准矩形波导结构，便于实现与其他射频微波器件的互联；第二层“工”字形和第三层“王”字形的阶梯过渡增大工作带宽，且完全对称的波导结构实现等幅度功分；通过非对称形式和调整波导结构尺寸可实现不同功分比。
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1.一种波导到微带线的功分结构，其特征在于，所述功分结构包括波导结构件和PCB板；
2.根据权利要求1所述的波导到微带线的功分结构，其特征在于，所述SIW结构由所述PCB板上对称的两条金属化过孔形成，每条所述金属化过孔由一侧微带线输出端口沿着所述过渡耦合缝隙和所述过渡结构的外缘延伸至另一侧微带线输出端口。
3.根据权利要求2所述的波导到微带线的功分结构，其特征在于，所述金属化过孔为机械孔，每个所述金属化过孔的半径为0.1mm,间距为0.35～0.6mm。
4.根据权利要求1所述的波导到微带线的功分结构，其特征在于，所述过渡耦合缝隙的形状与所述波导结构件的下端面形状相同。
5.根据权利要求1所述的波导到微带线的功分结构，其特征在于，所述波导结构件为三层两级阶梯结构。
6.根据权利要求5所述的波导到微带线的功分结构，其特征在于，所述波导结构件的第一层为标准矩形波导结构，第二层为工字形双面脊波导结构，第三层为王字形波导结构；所述第一层远离所述PCB板，所述第三层临近所述PCB板。
7.根据权利要求6所述的波导到微带
8.根据权利要求4所述的波导到微带线的功分结构，其特征在于，所述波导结构件的第一层为标准矩形波导结构，第二层为工字形双面脊波导结构，第三层为非对称的王字形结构；所述第一层远离所述PCB板，所述第三层临近所述PCB板。
9.根据权利要求1所述的波导到微带线的功分结构，其特征在于，所述PCB板为双面板。
10.根据权利要求1所述的波导到微带线的功分结构，其特征在于，所述过渡结构为渐变巴伦。
...【技术特征摘要】
1.一种波导到微带线的功分结构，其特征在于，所述功分结构包括波导结构件和pcb板；
2.根据权利要求1所述的波导到微带线的功分结构，其特征在于，所述siw结构由所述pcb板上对称的两条金属化过孔形成，每条所述金属化过孔由一侧微带线输出端口沿着所述过渡耦合缝隙和所述过渡结构的外缘延伸至另一侧微带线输出端口。
3.根据权利要求2所述的波导到微带线的功分结构，其特征在于，所述金属化过孔为机械孔，每个所述金属化过孔的半径为0.1mm,间距为0.35～0.6mm。
4.根据权利要求1所述的波导到微带线的功分结构，其特征在于，所述过渡耦合缝隙的形状与所述波导结构件的下端面形状相同。
5.根据权利要求1所述的波导到微带线的功分结构，其特征在于，所述波导结构件为三层两级阶梯结构。
6.根据权利要求5所...
【专利技术属性】
技术研发人员：管玉静，李灿，周杰，蒋立平，郑灵，
申请(专利权)人：北京天地一格科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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