【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种改善多晶硅形貌的方法。
技术介绍
1、左右结构的选择栅sgt，多晶硅顶部的尖角会被后续的高温氧化制程放大，造成在后续填充层间介质层ild时，槽的开口cd比底部小，从而导致填充有缝隙，火山效应导致ild有裂纹，后续裂纹内进入ti，造成栅极和源极短接。
2、因此需要提出一种新的方法来解决上述问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善多晶硅形貌的方法，用于解决现有技术中选择栅的多晶硅顶部尖角导致后续填充有缝隙，从而进一步导致栅极和源极出现短接的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种改善多晶硅形貌的方法，至少包括：
3、步骤一、提供基底，在所述基底上刻蚀形成多个凹槽；
4、步骤二、在所述基底上形成一层氧化层以覆盖所述凹槽壁；
5、步骤三、在所述凹槽内填充多晶硅，并刻蚀所述多晶硅至所述多晶硅顶部高度低于所述氧化层顶部的高度；刻蚀后的多晶硅顶部两侧形成尖角；
6、步骤四、采用cde刻蚀法刻蚀所述凹槽内的多晶硅，消除所述尖角，以圆角化所述多晶硅顶部两侧的部分。
7、优选地，步骤一中的所述多个凹槽用于形成选择栅。
8、优选地，步骤二中在所述基底上形成的所述氧化层为氧化硅，所述氧化层覆盖在所述凹槽内壁以及所述基底上表面。
9、优选地，步骤三中刻蚀所述多晶硅至所述多晶硅顶部高度与所述基底上表面平
10、优选地，步骤三中刻蚀所述多晶硅的方法为湿法刻蚀。
11、优选地，步骤三中刻蚀所述多晶硅采用的刻蚀气体为cl2和hbr的混合气体。
12、优选地，步骤四中的所述cde刻蚀法为化学干法刻蚀。
13、优选地，步骤四中的所述cde刻蚀采用的刻蚀气体为cf4和o2的混合气体。
14、优选地，步骤四中的所述cf4和o2的配比为2.5:1。
15、优选地，步骤五、在所述凹槽内填充层间介质层。
16、如上所述，本专利技术的改善多晶硅形貌的方法，具有以下有益效果：本专利技术在刻蚀选择栅多晶硅的过程中，在多晶硅刻蚀后增加cde刻蚀，以圆角化多晶硅顶部两侧的部分，消除尖角，从而改善后续填充效果。
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1.一种改善多晶硅形貌的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的改善多晶硅形貌的方法，其特征在于：步骤一中的所述多个凹槽用于形成选择栅。
3.根据权利要求1所述的改善多晶硅形貌的方法，其特征在于：步骤二中在所述基底上形成的所述氧化层为氧化硅，所述氧化层覆盖在所述凹槽内壁以及所述基底上表面。
4.根据权利要求1所述的改善多晶硅形貌的方法，其特征在于：步骤三中刻蚀所述多晶硅至所述多晶硅顶部高度与所述基底上表面平齐为止。
5.根据权利要求1所述的改善多晶硅形貌的方法，其特征在于：步骤三中刻蚀所述多晶硅的方法为湿法刻蚀。
6.根据权利要求5所述的改善多晶硅形貌的方法，其特征在于：步骤三中刻蚀所述多晶硅采用的刻蚀气体为CL2和HBR的混合气体。
7.根据权利要求1所述的改善多晶硅形貌的方法，其特征在于：步骤四中的所述CDE刻蚀法为化学干法刻蚀。
8.根据权利要求7所述的改善多晶硅形貌的方法，其特征在于：步骤四中的所述CDE刻蚀采用的刻蚀气体为CF4和O2的混合气体。
9.根据权利要
10.根据权利要求1所述的改善多晶硅形貌的方法，其特征在于：本专利技术还包括步骤五、在所述凹槽内填充层间介质层。
...【技术特征摘要】
1.一种改善多晶硅形貌的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的改善多晶硅形貌的方法，其特征在于：步骤一中的所述多个凹槽用于形成选择栅。
3.根据权利要求1所述的改善多晶硅形貌的方法，其特征在于：步骤二中在所述基底上形成的所述氧化层为氧化硅，所述氧化层覆盖在所述凹槽内壁以及所述基底上表面。
4.根据权利要求1所述的改善多晶硅形貌的方法，其特征在于：步骤三中刻蚀所述多晶硅至所述多晶硅顶部高度与所述基底上表面平齐为止。
5.根据权利要求1所述的改善多晶硅形貌的方法，其特征在于：步骤三中刻蚀所述多晶硅的方法为湿法刻蚀。
6.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁佳，王玉新，谭理，杨鑫，殷敏，王学静，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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