System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 贴合晶片的加工方法和加工装置制造方法及图纸_技高网

贴合晶片的加工方法和加工装置制造方法及图纸

技术编号:40672238 阅读:4 留言:0更新日期:2024-03-18 19:09
本发明专利技术提供贴合晶片的加工方法和加工装置,能够解决倒角部的去除耗费时间因而生产率差的问题,并且能够解决对另一方的晶片造成损伤的问题。贴合晶片的加工方法包含如下的工序:改质层形成工序,将对于第一晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从第一晶片的背面定位于能够去除倒角部的内部而进行照射,呈环状形成多个改质层;以及磨削工序,将第二晶片侧保持于卡盘工作台,对第一晶片的背面进行磨削而薄化。在改质层形成工序中,按照从晶片的内侧朝向外侧逐渐接近接合层的方式设定激光光线的聚光点,由此呈下行台阶状而形成多个环状的改质层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及贴合晶片的加工方法和加工装置


技术介绍

1、由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有ic、lsi等多个器件的晶片通过切割装置而分割成各个器件芯片,将分割得到的器件芯片利用于移动电话、个人计算机等电子设备。

2、另外,有时为了提高器件的集成度,将形成图案后的晶片贴合之后对一方的晶片进行磨削而薄化。

3、但是,当对一方的晶片的背面进行磨削而薄化时,存在如下的问题:形成于晶片的外周的倒角部成为刀刃那样的锐利的形状,会导致作业者受伤,或者裂纹从该刀刃向晶片的内部伸展而损伤器件。

4、因此,提出了如下的技术:在对背面进行磨削的晶片的外周直接定位切削刀具或磨削磨具而将该倒角部去除,抑制刀刃的产生(例如,参照专利文献1、专利文献2)。

5、专利文献1:日本特开2010-225976号公报

6、专利文献2:日本特开2016-96295号公报

7、在专利文献1、专利文献2所公开的技术中,存在耗费与利用切削刀具或磨削磨具进行的倒角部的去除相当的时间因而生产率差的问题,而且存在对贴合晶片的另一方的晶片造成损伤的问题。


技术实现思路

1、因此,本专利技术的目的在于提供贴合晶片的加工方法和加工装置,能够解决倒角部的去除耗费时间因而生产率差的问题,并且能够解决对贴合晶片的另一方的晶片造成损伤的问题。

2、根据本专利技术的一个方面,提供贴合晶片的加工方法,该贴合晶片是将第一晶片的正面利用接合层与第二晶片的正面或背面贴合而形成的,该第一晶片在该正面上具有形成有多个器件的器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域,该外周剩余区域在外周缘形成有倒角部,其中,该贴合晶片的加工方法具有如下的工序:聚光点设定工序,将对于该第一晶片具有透过性的波长的激光光线分支成多个激光光线,将分支得到的各激光光线的聚光点设定于不同的位置;改质层形成工序,利用第一卡盘工作台对该第二晶片侧进行保持,将分支得到的该激光光线的聚光点从该第一晶片的背面定位于相对于该倒角部靠径向内侧的晶片的内部而照射该激光光线,呈环状形成多个改质层;以及磨削工序,在实施了该改质层形成工序之后,利用第二卡盘工作台对该第二晶片侧进行保持,对该第一晶片的背面进行磨削而薄化,在该改质层形成工序中,将激光光线的聚光点呈从该第一晶片的内侧朝向外侧逐渐接近接合层的下行台阶状而形成多个,使连结通过该多个聚光点而形成的该多个改质层的面形成圆锥台的侧面。

3、优选裂纹从形成为圆锥台的侧面的改质层朝向接合层伸展,在该磨削工序中,通过背面的磨削将改质层去除,通过该裂纹将倒角部从第一晶片去除。优选该裂纹朝向该接合层的径向外侧伸展。

4、根据本专利技术的另一方面,提供加工装置,其对晶片进行加工,其中,该加工装置具有:卡盘工作台,其对晶片进行保持,具有旋转驱动机构;激光光线照射单元,其照射对于该卡盘工作台所保持的该晶片具有透过性的波长的激光光线;x轴进给机构,其将该卡盘工作台和该激光光线照射单元相对地在x轴方向上进行加工进给;y轴进给机构,其将该卡盘工作台和该激光光线照射单元相对地在y轴方向上进行加工进给;以及控制器,该激光光线照射单元包含聚光点形成单元,该聚光点形成单元能够将激光光线的聚光点呈下行台阶状而形成多个,该控制器具有存储应加工的晶片的x坐标y坐标的坐标存储部,根据存储于该坐标存储部的坐标对该x轴进给机构、该y轴进给机构以及该卡盘工作台的旋转驱动机构进行控制。

5、根据本专利技术的贴合晶片的加工方法,与使用切削刀具或磨削磨具直接去除倒角部的情况相比,加工时间缩短,生产率提高,而且还解决了对另一方的晶片造成损伤的问题。

6、根据本专利技术的加工装置,与使用切削刀具或磨削磨具直接去除倒角部的情况相比,加工时间缩短,生产率提高,而且还解决了对另一方的晶片造成损伤的问题。

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【技术保护点】

1.一种贴合晶片的加工方法,该贴合晶片是将第一晶片的正面利用接合层与第二晶片的正面或背面贴合而形成的,该第一晶片在该正面上具有形成有多个器件的器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域,该外周剩余区域在外周缘形成有倒角部,

2.根据权利要求1所述的贴合晶片的加工方法,其中,

3.根据权利要求2所述的贴合晶片的加工方法,其中,

4.一种加工装置,其对晶片进行加工,其中,

【技术特征摘要】

1.一种贴合晶片的加工方法,该贴合晶片是将第一晶片的正面利用接合层与第二晶片的正面或背面贴合而形成的,该第一晶片在该正面上具有形成有多个器件的器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域,该外周剩余区域在外...

【专利技术属性】
技术研发人员:关家一马平田和也伊贺勇人
申请(专利权)人:株式会社迪思科
类型:发明
国别省市:

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