基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质，可抑制伴随由形成于石英容器的内周面的氢氧化硅膜引起的石英容器的裂纹产生的石英容器的更换。根据该技术，具备：石英容器，其形成有配置基板的处理室；气体供给部，其向处理室供给处理气体；线圈，其以包围石英容器的方式以螺旋状设置，配置成使石英容器的内周面中形成有氢氧化硅膜的部分的与石英容器的外周面的距离比未形成氢氧化硅膜的部分的与石英容器的外周面的距离大，且被供给来自高频电源的高频电力而将处理气体等离子体激发；以及控制部，其构成为能够控制高频电源及气体供给部，以通过被等离子体激发的处理气体处理基板。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质。

技术介绍

1、近年来，闪存等半导体装置倾向于高集成化。随之，图案尺寸显著地细微化。在形成这些图案时，作为制造工序的一工序，有时实施对基板进行氧化处理或氮化处理等预定的处理的工序。

2、例如，专利文献1中公开了使用进行了等离子体激发的处理气体对形成于基板上的图案表面进行改性处理。

3、专利文献1：国际公开wo2019/082569

技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、在目前的结构中，在处理基板时，有时在石英容器的内周面形成氢氧化硅膜。在此，在维护石英容器时，石英容器的温度降低。如果形成于石英容器的内周面的氢氧化硅膜的厚度较厚，则有时随着石英容器的温度的降低，应力作用于氢氧化硅膜，在氢氧化硅膜上产生微细的裂纹。有时该氢氧化硅膜的微细的裂纹发展，在石英容器产生裂纹而需要更换石英容器。

3、根据本公开，提供一种技术，抑制伴随由形成于石英容器的内周面的氢氧化硅膜引起的石英容器的裂纹产生的石英容器的更本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

10.一种半导体装置的制造方...

【技术特征摘要】

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

9.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：原田幸一郎，舟木克典，竹岛雄一郎，阮文昭，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：