存储单元、存储器、存储器的制备方法、芯片及电子设备技术

本申请公开了一种存储单元、存储器、存储器的制备方法、芯片及电子设备，属于半导体技术领域。该存储单包括沿平行于衬底的第一方向排布的第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管的第一栅极沿垂直于衬底的第二方向延伸，第一晶体管的第二栅极和第一半导体层均沿第一方向延伸，第一栅极环绕第一半导体层，第一半导体层环绕第二栅极；第二晶体管的第三栅极沿第二方向延伸，第二晶体管的第二半导体层与第二栅极连接。本申请提供的新型结构的2T0C存储单元，有利于提高存储器的集成密度和存储密度。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及半导体，特别涉及一种存储单元、存储器、存储器的制备方法、芯片及电子设备。

技术介绍

1、随着半导体技术的发展，存储器的类型越来越多，动态随机存取存储器（dynamicrandom access memory，dram）便是其中的一种，存储器包括多个存储单元。

2、近年来，为克服1t1c（1 transistor 1 capacitor，单晶体管单电容）结构的存储单元需要制备较大的电容，导致存储单元进一步微缩较难的问题，2t0c结构的存储单元备受关注，但是，包括2t0c结构的存储单元的存储器的存储密度还有待提高。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种存储单元、存储器、存储器的制备方法、芯片及电子设备，可用于提高存储器的集成密度和存储密度。

2、一方面，本申请实施例提供了一种存储单元，所述存储单元包括沿平行于衬底的第一方向排布的第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管的第一栅极沿垂直于所述衬底的第二方向延伸，所述第一晶体管的第二栅极和第一半导体层均沿所述第一方向延伸，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储单元，其特征在于，所述存储单元（100）包括沿平行于衬底的第一方向排布的第一晶体管（110）和第二晶体管（120）；

2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第一半导体层（113）为开口朝向所述第一方向的筒状结构，所述筒状结构包括内表面和外表面，所述内表面为构成所述筒状结构的中空部分的表面，所述外表面为所述筒状结构的表面中除所述内表面外的表面；

3.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第一栅极（111）和所述第一半导体层（113）之间包括第一绝缘层，所述第一半导体层（113）和所述第二栅极（112）之间包括第二绝缘层；

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【技术特征摘要】

1.一种存储单元，其特征在于，所述存储单元（100）包括沿平行于衬底的第一方向排布的第一晶体管（110）和第二晶体管（120）；

2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第一半导体层（113）为开口朝向所述第一方向的筒状结构，所述筒状结构包括内表面和外表面，所述内表面为构成所述筒状结构的中空部分的表面，所述外表面为所述筒状结构的表面中除所述内表面外的表面；

3.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第一栅极（111）和所述第一半导体层（113）之间包括第一绝缘层，所述第一半导体层（113）和所述第二栅极（112）之间包括第二绝缘层；

4.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第一半导体层（113）用于与第一位线（200）连接，所述第一半导体层（113）在所述第二方向上的尺寸与所述第一位线（200）在所述第二方向上的尺寸相同。

5.根据权利要求1-4任一所述的存储单元，其特征在于，所述第三栅极（121）环绕所述第二半导体层（122）。

6.根据权利要求5所述的存储单元，其特征在于，所述第二半导体层（122）通过第一导电层与所述第二栅极（112）连接，所述第二半导体层（122）还通过第二导电层与第二位线（300）连接；

7.根据权利要求1-4任一所述的存储单元，其特征在于，所述第二半导体层（122）环绕所述第三栅极（121）。

8.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括在衬底上垂直堆叠的多个存储单元层以及与所述多个存储单元层连接的多个第一位线（200）、多个第二位线（300）、多个第一字线（400）和多个第二字线（500）；

9.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述多个第一位线（200）和所述多个第二位线（300）均沿第三方向延伸，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向；

10.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述多个第一字线（400）和所述多个第二字线（500）均沿所述第二方向延伸；

11.根据权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述第一字线（400）所连接的各个存储单元（100）的第一栅极（111）为所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李庚霏，董博闻，胡琪，王桂磊，赵超，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：