【技术实现步骤摘要】
本申请涉及芯片封装，具体涉及一种变压器及制备方法。
技术介绍
1、目前，在芯片封装领域，常见的片上变压器巴伦主要是通过高频变压器实现平衡与不平衡转换的，其中的初级线圈、次级线圈及铁芯均在衬底表面功能层上制作，受限于功能层厚度限制，线圈厚度通常不超过20μm，线圈电阻较大，难以满足大功率电路的设计需求。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种变压器及制备方法，通过将线圈和磁芯柱结构设置于基体的凹槽和开孔中，不仅将变压器减薄满足器件小型化，并且能够大幅提高部分线圈厚度，减小部分线圈电阻，以适应更大功率电路。
2、一方面，根据本申请实施例提出一种变压器，包括：
3、基体，包括从基体表面沿基体厚度方向设置的预设深度的第一开孔和凹槽，第一开孔位于基体的中部区域，凹槽环绕第一开孔设置；第一线圈，设置于凹槽；部分第一磁芯柱，设置于第一开孔；第二线圈膜层，设置于第一线圈远离基体表面一侧，包括第二线圈，第二线圈环绕另一部分第一磁芯柱设置；其中，至少部分的第一线圈及第一磁芯柱均从基体穿出至与第二线圈同层暴露设置。
4、根据本申请实施例的一个方面，凹槽为通槽并贯穿基体设置，第一线圈通过凹槽从基体厚度方向上相背的两侧表面均贯穿所述基体设置；或者，凹槽为盲槽并沿基体厚度方向从基体表面凹陷预定深度，第一线圈通过凹槽从基体厚度方向上从基体的一侧表面透出基体设置；优选的，部分第一线圈设置于凹槽的厚度等于凹槽厚度。
5、根据本申请实施例的一个方面，第一线圈环绕第一磁
6、根据本申请实施例的一个方面，第二线圈的匝圈从中间匝圈向两侧匝圈方向一一与第一线圈的匝圈对称对齐。
7、根据本申请实施例的一个方面，第二线圈同样从基体表面沿基体厚度方向嵌入基体。
8、根据本申请实施例的一个方面，变压器还包括第一绝缘层，设置于第一线圈和第二线圈之间；第二绝缘层，设置于第二线圈膜层背向基体一侧；优选的，变压器还包括第三绝缘层，设置于基体背向第一绝缘层的一侧；优选的，变压器还包括磁芯层，分别设置于第二绝缘层背向基体一侧和第三绝缘层背向基体一侧，第一磁芯柱贯穿第一绝缘层、第二绝缘层、基体和第三绝缘层与磁芯层连接；优选的，变压器还包括第二磁芯柱，基体包括第二开孔，第二磁芯柱设置于第二开孔，贯穿第一绝缘层、第二绝缘层、基体和第三绝缘层设置，并连接磁芯层，并与第一磁芯柱、磁芯层一同构成磁芯圈；
9、优选的，设置于第二绝缘层背向基体一侧和设置于第三绝缘层背向基体一侧的磁芯层对称设置。
10、根据本申请实施例的一个方面，变压器还包括焊盘，焊盘与磁芯层同层设置，焊盘贯穿第二绝缘层与第一线圈、第二线圈两端电连接；优选的，保护层上设置有焊球，焊球贯穿保护层并与焊盘电连接。
11、又一方面，本申请实施例提供一种变压器制备方法，包括：
12、提供基体，从基体表面沿基体厚度方向设置预设深度的第一开孔和凹槽，第一开孔位于基体的中部区域，凹槽环绕开孔设置；在凹槽沉积第一线圈；在第一开孔沉积部分第一磁芯柱；在机体表面远离第一线圈一侧形成功能层，功能层为磁芯层及第二线圈膜层中的一者。
13、根据本申请实施例的一个方面，功能层为第二线圈膜层，在基体表面远离第一线圈一侧形成功能层之后还包括：在第二线圈膜层背向基体一侧制作磁芯层；在基体背向功能层一侧制作另一磁芯层。
14、根据本申请实施例的一个方面，功能层为磁芯层，在基体表面远离第一线圈一侧形成功能层之后还包括：在基体背向功能层一侧制作第二线圈膜层；在第二线圈膜层背向基体一侧制作另一磁芯层。
15、本申请实施例提供的变压器及制备方法，通过将线圈和磁芯柱结构设置于基体的凹槽和开孔中，减薄变压器实现器件小型化，相比于在基体表面功能层上制作线圈，能够大幅提升部分线圈厚度，减小电阻，实现在大功率电路中的应用。
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1.一种变压器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的变压器，其特征在于，所述凹槽为通槽并贯穿所述基体设置，所述第一线圈通过所述凹槽从所述基体厚度方向上相背的两侧表面均贯穿所述基体设置；
3.根据权利要求1所述的变压器，其特征在于，所述第一线圈环绕所述第一磁芯柱的匝圈数量大于所述第二线圈环绕所述第一磁芯柱的匝圈数量；
4.根据权利要求1所述的变压器，其特征在于，所述第二线圈的匝圈从中间匝圈向两侧匝圈方向一一与所述第一线圈的匝圈对称对齐。
5.根据权利要求1所述的变压器，其特征在于，所述第二线圈从所述基体表面沿所述基体厚度方向嵌入所述基体。
6.根据权利要求1所述的变压器，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的变压器，其特征在于，还包括焊盘，所述焊盘与所述磁芯层同层设置，所述焊盘贯穿所述第二绝缘层与所述第一线圈、所述第二线圈两端电连接；
8.一种变压器制备方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的变压器制备方法，其特征在于，所述功能层为所述第二线圈膜层，在所述基体表
10.根据权利要求8所述的变压器封装结构制备方法，其特征在于，所述功能层为所述磁芯层，在所述基体表面远离所述第一线圈一侧形成功能层之后还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种变压器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的变压器，其特征在于，所述凹槽为通槽并贯穿所述基体设置，所述第一线圈通过所述凹槽从所述基体厚度方向上相背的两侧表面均贯穿所述基体设置；
3.根据权利要求1所述的变压器，其特征在于，所述第一线圈环绕所述第一磁芯柱的匝圈数量大于所述第二线圈环绕所述第一磁芯柱的匝圈数量；
4.根据权利要求1所述的变压器，其特征在于，所述第二线圈的匝圈从中间匝圈向两侧匝圈方向一一与所述第一线圈的匝圈对称对齐。
5.根据权利要求1所述的变压器，其特征在于，所述第二线圈从所述基体表面沿所述基体厚度方向嵌入所述基体。...
【专利技术属性】
技术研发人员：张文斌，吕奎，
申请(专利权)人：云谷固安科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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