【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请对应于在2021年7月21日向日本专利局提交的日本特愿2021-121046号以及在2021年7月21日向日本专利局提交的日本特愿2021-121047号，这些申请的全部公开通过引用而纳入其中。本公开涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、专利文献1的图6公开了一种半导体装置，其具有半导体层、2个沟槽场板构造、以及整流元件。沟槽场板构造包含埋设于沟槽的场电极。整流元件包含n型半导体区及p型半导体区，在半导体层中形成在两个沟槽场板构造之间的区域中。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：美国专利申请公开第2015/0207407号说明书
技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、一实施方式提供一种新的半导体装置，其具备具有高通用性的二极管。
3、用于解决课题的手段
4、一实施方式提供一种半导体装置，包含：芯片，其具有主面；二极管区，其设置于所述主面；多个沟槽构造，其在所述二极管区中隔开间隔地形成于所述主面，并分别具有包含上电极和下电极的电极构造，其中，所述上电极和下电极是隔着绝缘体在沟槽内沿上下方向埋设的；以及二极管，其具有在多个所述沟槽构造之间的区域中形成于所述主面的表层部的pn结部。
5、一实施方式提供一种半导体装置，包含：芯片，其具有主面；电路区，其设置于所述主面；保护区，其设置于所述主面；电气电路，其形成于所述电路区；多个沟槽构造，其在所述保护区中隔开间隔地形成于所述主面，并分别
6、一实施方式提供一种半导体装置，包含：芯片，其具有主面；多个测温区，其隔开间隔地设置于所述主面；多个沟槽构造，其在各所述测温区中隔开间隔地形成于所述主面，并分别具有包含上电极和下电极的电极构造，其中，所述上电极和下电极是隔着绝缘体在沟槽内沿上下方向埋设的；以及多个感温二极管，其分别具有pn结部，并检测对应的所述测温区的温度，其中，所述pn结部在对应的所述测温区中的多个所述沟槽构造之间的区域中形成于所述主面的表层部。
7、一实施方式提供一种半导体装置，包含：芯片，其具有主面；测温区，其设置于所述主面；控制区，其设置于所述主面；多个沟槽构造，其在所述测温区中隔开间隔地形成于所述主面，并分别具有包含上电极和下电极的电极构造，其中，所述上电极和下电极是隔着绝缘体在沟槽内沿上下方向埋设的；感温二极管，其具有在多个所述沟槽构造之间的区域中形成于所述主面的表层部的pn结部，并生成检测所述测温区的温度的测温信号；以及控制电路，其构成为根据来自所述感温二极管的所述测温信号来生成电信号。
8、一实施方式提供一种半导体装置，包含：芯片，其具有主面；测温区，其设置于所述主面；保护区，其设置于在所述主面中与所述测温区不同的区域；多个第一沟槽构造，其在所述测温区中隔开间隔地形成于所述主面，并分别具有包含第一上电极和第一下电极的电极构造，其中，所述第一上电极和第一下电极是隔着第一绝缘体在第一沟槽内沿上下方向埋设的；感温二极管，其具有在多个所述第一沟槽构造之间的区域中形成于所述主面的表层部的第一pn结部；多个第二沟槽构造，其在所述保护区中隔开间隔地形成于所述主面，并分别具有包含第二上电极和第二下电极的电极构造，其中，所述第二上电极和第二下电极是隔着第二绝缘体在第二沟槽内沿上下方向埋设的；以及静电破坏保护二极管，其具有在多个所述第二沟槽构造之间的区域中形成于所述主面的表层部的第二pn结部。
9、一实施方式提供一种半导体装置，包含：芯片，其具有主面；电流检测区，其设置于所述主面；二极管区，其设置于所述主面；电流监控器件，其以生成监视电流的方式形成于所述电流检测区；多个沟槽构造，其隔开间隔地形成于所述二极管区，并分别具有包含上电极和下电极的电极构造，其中，所述上电极和下电极是隔着绝缘体在沟槽内沿上下方向埋设的；以及二极管，其分别具有在所述二极管区隔开间隔地形成的多个所述沟槽构造之间的区域中形成于所述主面的表层部的pn结部。
10、一实施方式提供一种半导体控制装置，包含：芯片，其具有主面；测温区，其设置于所述主面；控制区，其设置于所述主面；多个沟槽构造，其在所述测温区中隔开间隔地形成于所述主面，并分别具有包含上电极和下电极的电极构造，其中，所述上电极和下电极是隔着绝缘体在沟槽内沿上下方向埋设的；感温二极管，其具有在多个所述沟槽构造之间的区域中形成于所述主面的表层部的pn结部，并生成检测所述测温区的温度的内部测温信号；以及控制电路，其构成为根据来自所述感温二极管的所述内部测温信号来生成电信号。
11、一实施方式提供一种半导体模块，包含半导体装置以及与所述半导体装置电连接的半导体控制装置，所述半导体装置包含：第一芯片；第一测温区，其设置于所述第一芯片；多个第一沟槽构造，其隔开间隔地形成于所述第一测温区，并分别具有包含第一上电极和第一下电极的电极构造，其中，所述第一上电极和第一下电极是隔着第一绝缘体在第一沟槽内沿上下方向埋设的；以及第一感温二极管，其分别具有在多个所述第一沟槽构造之间的区域中形成在所述第一芯片的表层部的第一pn结部，并生成表示所述第一测温区的温度的第一测温信号，所述半导体控制装置包含：第二芯片；第二测温区，其设置于所述第二芯片；控制区，其设置于所述第二芯片；多个第二沟槽构造，其在所述第二测温区中隔开间隔地形成于所述第二芯片，并分别具有包含第二上电极和第二下电极的电极构造，其中，所述第二上电极和第二下电极是隔着第二绝缘体在第二沟槽内沿上下方向埋设的；第二感温二极管，其具有在多个所述第二沟槽构造之间的区域中形成在所述第二芯片的表层部的第二pn结部，并生成表示所述第二测温区的温度的第二测温信号；以及控制电路，其形成于所述控制区，并生成根据所述第一测温信号以及所述第二测温信号来控制所述半导体装置的电信号。
12、上述的或者其他目的、特征以及效果通过参照附图说明的实施方式而变得清楚。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体装置，包含：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求2～4中任一项所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求2～5中任一项所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，
10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其中，
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，
12.根据权利要求10或11所述的半导体装置，其中，
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，
14.根据权利要求12或13所述的半导体装置，其中，
15.根据权利要求12～14中任一项所述的半导体装置，其中，
16.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其中，>
17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，
18.一种半导体装置，包含：
19.根据权利要求1～18中任一项所述的半导体装置，其中，
20.一种半导体模块，包含：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，包含：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求2～4中任一项所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求2～5中任一项所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，
10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其中，
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