【技术实现步骤摘要】
实施方式涉及半导体器件和包括该半导体器件的电子系统，更具体地，涉及具有垂直沟道的半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。
技术介绍
1、在需要数据存储的电子系统中，期望能够存储高容量数据的半导体器件。因此，已经研究了增加半导体器件的数据存储容量的方法。例如，作为增加半导体器件的数据存储容量的方法之一，已经提出了包括三维布置的存储器单元而不是二维布置的存储器单元的半导体器件。
技术实现思路
1、实施方式可以涉及一种半导体器件，包括：多个栅电极，在基板上在垂直方向上彼此间隔开；多个沟道结构，分别穿透多个栅电极并且在垂直方向上延伸，每个沟道结构包括沟道层和栅极绝缘层，沟道层具有第一氧化物半导体沟道层和第二氧化物半导体沟道层的堆叠结构，第一氧化物半导体沟道层和第二氧化物半导体沟道层具有不同导电性，栅极绝缘层设置在沟道层与所述多个栅电极中的每个之间；以及多条位线，设置在所述多个沟道结构上并且分别连接到所述多个沟道结构，栅极绝缘层、第一氧化物半导体沟道层和第二氧化物半导体沟道层被依次设置。
2、实施方式还涉及一种半导体器件，包括：栅极堆叠，包括交替地堆叠在基板上的多个栅电极和多个绝缘层；多个沟道结构，分别填充穿透栅极堆叠的多个沟道孔；以及多条位线，设置在所述多个沟道结构上并且分别连接到所述多个沟道结构，其中所述多个沟道结构中的每个包括栅极绝缘层和沟道层，栅极绝缘层包括共形且依次地设置在所述多个沟道孔中的每个的侧壁上的阻挡电介质层、电荷存储层和隧穿电介质层，沟道层具有在栅极绝缘层上的
3、实施方式还可以涉及一种电子系统，包括主基板、在主基板上的半导体器件、以及在主基板上电连接到半导体器件的控制器，其中半导体器件包括：多个栅电极，在主基板上在垂直方向上彼此间隔开；多个沟道结构，分别穿透所述多个栅电极并且在垂直方向上延伸；多条位线，设置在所述多个沟道结构上并且分别连接到所述多个沟道结构；外围电路，电连接到所述多个栅电极和所述多条位线；以及输入/输出焊盘，电连接到外围电路，其中所述多个沟道结构中的每个包括沟道层，沟道层具有第一氧化物半导体沟道层和第二氧化物半导体沟道层的堆叠结构，第一氧化物半导体沟道层和第二氧化物半导体沟道层具有不同导电性。栅极绝缘层设置在沟道层与所述多个栅电极中的每个之间，栅极绝缘层、第一氧化物半导体沟道层和第二氧化物半导体沟道层被依次设置。
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一厚度大于所述第二厚度。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一厚度等于所述第二厚度。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一厚度大于所述第二厚度。
7.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一厚度等于所述第二厚度。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一氧化物半导体沟道层和所述第二氧化物半导体沟道层中的具有n型导电性的一个氧化物半导体沟道层的带隙具有比具有p型导电性的另一个氧化物半导体沟道层的带隙的值更大的值。
9.一种半导体器件，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述多个沟道结构中的每个进一步包括：
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中
12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中
13.根据权利要求9所述的半导体器
14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中
15.根据权利要求13所述的半导体器件，其中
16.根据权利要求9所述的半导体器件，其中
17.根据权利要求16所述的半导体器件，其中所述二元氧化物半导体材料包括构成所述第一氧化物半导体沟道层的氧化物半导体材料中包括的金属元素当中的一种相同的金属元素。
18.根据权利要求9所述的半导体器件，其中
19.一种电子系统，包括：
20.根据权利要求19所述的电子系统，其中
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一厚度大于所述第二厚度。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一厚度等于所述第二厚度。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一厚度大于所述第二厚度。
7.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一厚度等于所述第二厚度。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一氧化物半导体沟道层和所述第二氧化物半导体沟道层中的具有n型导电性的一个氧化物半导体沟道层的带隙具有比具有p型导电性的另一个氧化物半导体沟道层的带隙的值更大的值。
9.一种半导体器件，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑在珉，金秉柱，朴圆浚，李烔和，千昌宪，崔铜成，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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