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半导体器件和包括其的电子系统技术方案
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下载半导体器件和包括其的电子系统的技术资料
文档序号:40661472
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本公开涉及半导体器件和包括其的电子系统。该半导体器件包括:多个栅电极,在基板上在垂直方向上彼此间隔开;多个沟道结构,分别穿透多个栅电极并且在垂直方向上延伸,每个沟道结构包括沟道层和栅极绝缘层,沟道层具有第一氧化物半导体沟道层和第二氧化物半导...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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