【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电，具体涉及一种深紫外发光二极管及制备方法。
技术介绍
1、gan基led技术是实现半导体照明的关键技术，gan基深紫外led具有高的白光转化效率，在医疗、净化等方面有重要的应用；制备深紫外led所需的高al组份algan材料的生长一直是限制器件发展的关键因素。相比于在衬底上生长gan薄膜，生长高质量的algan薄膜难度更大，algan薄膜中往往存在有大量的缺陷。
2、目前algan材料生长存在以下难点，第一，因algan的晶格常数与al组份成线性关系，所以algan薄膜与衬底间的晶格失配会随al组份的增加而增大，失配产生的应力将会通过产生位错来释放，最终导致大量位错的出现。第二，algan在成核生长的过程会形成高密度的小岛，导致后续成核小岛合并产生大量的位错，使得algan外延层晶体质量下降，甚至导致algan外延层薄膜龟裂。
技术实现思路
1、基于此，本专利技术的目的是提供一种深紫外发光二极管及制备方法，以解决现有技术中存在的问题。
2、本专利技术第一方面提供一种深紫外发光二极管，其特征在于，包括衬底，以及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、非掺杂gan层、复合n型gan层、有源层、电子阻挡层、p型algan层和p型接触层；
3、其中，所述复合n型gan层包括依次沉积在所述非掺杂gan层的复合层和n型ingan层，所述复合层包括m个周期结构，所述周期结构包括交替沉积在所述非掺杂gan层上的si3n4层、n型algan层、inn层。<...
【技术保护点】
1.一种深紫外发光二极管，其特征在于，包括衬底，以及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、复合n型GaN层、有源层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；
2.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述复合层中M的取值范围为1-100。
3.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述Si3N4层的厚度为1nm ~10 nm，所述InN层的厚度为0.5nm ~5 nm。
4.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述n型AlGaN层的厚度为10nm ~500 nm，Al组分为0.1-0.9，采用Si掺杂，Si掺杂浓度为1E+19atoms/cm3~1E+20 atoms/cm3。
5.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述n型InGaN层的厚度为1nm ~10 nm，In组分为0.01-0.5，采用Si掺杂，Si掺杂浓度为1E+17atoms/cm3~1E+19atoms/cm3。
6.一种如权利要求1~5任意一项所述的深紫外发光二极管的制备方法，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述Si3N4层的沉积温度为900℃~1100℃，压力为50 torr ~300 torr，沉积生长气氛为N2/NH3的混合气。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述n型AlGaN层的沉积温度为1100℃~1300℃，压力为50 torr ~300 torr，沉积生长气氛为N2/ H2/NH3的混合气。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述InN层的沉积温度为800℃~1000℃，压力为50 torr ~300 torr，沉积生长气氛为N2/NH3的混合气。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述n型InGaN层的沉积温度为800℃~1000℃，压力为50 torr ~300 torr，沉积生长气氛为N2/NH3的混合气。
...【技术特征摘要】
1.一种深紫外发光二极管，其特征在于，包括衬底，以及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、非掺杂gan层、复合n型gan层、有源层、电子阻挡层、p型algan层和p型接触层；
2.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述复合层中m的取值范围为1-100。
3.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述si3n4层的厚度为1nm ~10 nm，所述inn层的厚度为0.5nm ~5 nm。
4.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述n型algan层的厚度为10nm ~500 nm，al组分为0.1-0.9，采用si掺杂，si掺杂浓度为1e+19atoms/cm3~1e+20 atoms/cm3。
5.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述n型ingan层的厚度为1nm ~10 nm，in组分为0.01-0.5，采用si掺杂，si掺杂浓度为1e+17atoms/cm3~1e+19atoms/...
【专利技术属性】
技术研发人员：程龙，郑文杰，高虹，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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