【技术实现步骤摘要】
本实施方式涉及半导体存储装置。
技术介绍
1、伴随着半导体存储装置的高集成化，关于半导体存储装置的三维化的研究正在进行。
2、现有技术文献
3、专利文献1：美国专利第9514792号说明书
技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、提供良好地工作的半导体存储装置。
3、用于解决课题的技术方案
4、一个实施方式涉及的半导体存储装置具备：基板；多个存储层，在与基板的表面交叉的第1方向上排列；以及第1过孔布线和第2过孔布线，在第1方向上延伸且在与第1方向交叉的第2方向上的位置不同。多个存储层各自具备：与第1过孔布线电连接的第1晶体管；与第1晶体管电连接的存储部；与第1晶体管电连接且在第2方向上延伸的第1布线；与第2过孔布线电连接且与第1布线电连接的第2晶体管；与第2晶体管电连接且设置于第2晶体管与第1布线之间的电流路径的电极；以及与第2晶体管电连接且在与第1方向和第2方向交叉的第3方向上延伸的第2布线。第2晶体管具备：与电极和第2过孔...
【技术保护点】
1.一种半导体存储装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，
3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，
4.根据权利要求2所述的半导体存储装置，
5.根据权利要求2所述的半导体存储装置，
6.根据权利要求2所述的半导体存储装置，
7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，
8.根据权利要求2所述的半导体存储装置，
9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，
10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，
11.根据权利要求1所述的半导体存储装置，
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【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，
3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，
4.根据权利要求2所述的半导体存储装置，
5.根据权利要求2所述的半导体存储装置，
6.根据权利要求2所述的半导体存储装置，
7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，
8.根据权利要求2所述的半导体存储装置，
9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，
10.根据权利要求1所述的半导体存储装...
【专利技术属性】
技术研发人员：增田贵史，齐藤信美，冈岛睦，池田圭司，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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