【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶片的加工方法。
技术介绍
1、随着近年来的器件芯片的薄型化和高集成化，正在进行三维层叠而得的半导体晶片的开发。例如tsv(through-silicon via：硅通孔)晶片通过贯通电极使由两个芯片彼此贴合而实现的双芯片的电极的连接成为可能。
2、这样的晶片在与作为基台的支承晶片(硅、玻璃、陶瓷等)贴合的状态下进行磨削而薄化。通常，晶片的外周缘被倒角，因此当极薄地被磨削时，外周缘成为所谓刀刃状，在磨削中容易产生边缘的缺损。由此，存在缺损延长至器件而导致器件的破损的可能性。
3、作为解决刀刃的对策，开发了将晶片的正面侧的外周缘呈环状切削的所谓的边缘修剪技术(参照专利文献1)。另外，还考虑了如下的边缘修剪方法：沿着器件的外周缘照射激光束而形成环状的改质层，之后进行磨削，由此抑制磨削中产生的晶片的边缘缺损向器件伸展(参照专利文献2)。
4、专利文献1：日本特许第4895594号公报
5、专利文献2：日本特开2020-057709号公报
6、但是，专利文献1的方法存在如下的课题：在将晶片的正面侧的外周缘呈环状切削时，反而存在产生到达器件的崩边而使器件破损的可能性，另外，由于产生大量的切削屑，器件容易被污染物污染。另外，专利文献2的方法存在如下的情况：由于存在使晶片贴合至比呈环状形成的改质层靠外周缘侧的位置的接合层，外周缘侧的区域黏在一起，外周区域的边角料无法剥离而残留。当外周区域残留时，存在比环状改质层靠外侧的区域与内侧的区域相互碰撞而破损的可能性以及在之后的研
技术实现思路
1、因此，本专利技术的目的在于提供晶片的加工方法，在贴合晶片的磨削中，能够一边抑制器件的破损一边去除外周剩余区域。
2、根据本专利技术，提供晶片的加工方法，该晶片的加工方法具有如下的步骤：第一改质层形成步骤，对正面侧形成有多个器件且外周缘被倒角的第一晶片沿着该第一晶片的比该外周缘靠内侧规定的距离的位置呈环状照射透过该第一晶片的波长的激光束，在该第一晶片的内部形成环状的第一改质层和从该第一改质层伸展并在该第一晶片的该正面侧露出的第一裂纹，由此在比该第一改质层和该第一裂纹靠该外周缘侧的外周区域中产生翘曲；贴合晶片形成步骤，在实施了该第一改质层形成步骤之后，使该第一晶片的正面侧与第二晶片贴合，形成贴合晶片；以及磨削步骤，在实施了该贴合晶片形成步骤之后，对该贴合晶片的该第一晶片从背面侧进行磨削而薄化至完工厚度。
3、优选晶片的加工方法还具有如下的步骤：第二改质层形成步骤，在实施了该贴合晶片形成步骤之后且在实施该磨削步骤之前，从该第一晶片的该背面侧沿着该第一晶片的比该外周缘靠内侧该规定的距离的位置呈环状照射透过该第一晶片的波长的激光束，在该第一晶片的内部形成环状的第二改质层和从该第二改质层伸展并与该第一改质层相连的第二裂纹；以及去除步骤，对该外周区域赋予外力而将该外周区域去除。
4、优选晶片的加工方法还具有如下的第三改质层形成步骤：在实施了该第一改质层形成步骤之后且在实施该磨削步骤之前，对该外周区域呈放射状照射透过该第一晶片的波长的激光束而形成放射状的第三改质层，该第三改质层将该外周区域划分为至少两个以上的部分。
5、优选晶片的加工方法还具有如下的第四改质层形成步骤：在实施该贴合晶片形成步骤之前，沿着比通过该第一改质层形成步骤形成该第一改质层的位置靠该外周缘侧规定的距离的位置呈环状照射透过该第一晶片的波长的激光束，在该第一晶片的内部形成环状的多个第四改质层和从该第四改质层伸展并在该第一晶片的该正面侧露出的多个第四裂纹。
6、优选晶片的加工方法还具有如下的第五改质层形成步骤：在实施该贴合晶片形成步骤之前，对该外周区域照射透过该第一晶片的波长的激光束，在该第一晶片的内部形成第五改质层和从该第五改质层沿着与该第一晶片的正面平行的方向伸展的第五裂纹。
7、本专利技术能够在贴合晶片的磨削中一边抑制器件的破损一边去除外周剩余区域。
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1.一种晶片的加工方法，其中，
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，
4.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，
5.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，
【技术特征摘要】
1.一种晶片的加工方法，其中，
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工...
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