晶片的加工方法技术

本发明专利技术提供晶片的加工方法，在贴合晶片的磨削中，能够一边抑制器件的破损一边去除外周剩余区域。晶片的加工方法包含如下的步骤：第一改质层形成步骤，对在正面侧形成有多个器件且外周缘被倒角的第一晶片沿着第一晶片的比外周缘靠内侧规定的距离的位置呈环状照射透过第一晶片的波长的激光束，在内部形成环状的第一改质层和从第一改质层伸展并在正面侧露出的第一裂纹，由此在比第一改质层和第一裂纹靠外周缘侧的外周区域中产生翘曲；贴合晶片形成步骤，将第一晶片的正面侧贴合于第二晶片，形成贴合晶片；以及磨削步骤，对贴合晶片的第一晶片从背面侧进行磨削而薄化至完工厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶片的加工方法。

技术介绍

1、随着近年来的器件芯片的薄型化和高集成化，正在进行三维层叠而得的半导体晶片的开发。例如tsv(through-silicon via：硅通孔)晶片通过贯通电极使由两个芯片彼此贴合而实现的双芯片的电极的连接成为可能。

2、这样的晶片在与作为基台的支承晶片(硅、玻璃、陶瓷等)贴合的状态下进行磨削而薄化。通常，晶片的外周缘被倒角，因此当极薄地被磨削时，外周缘成为所谓刀刃状，在磨削中容易产生边缘的缺损。由此，存在缺损延长至器件而导致器件的破损的可能性。

3、作为解决刀刃的对策，开发了将晶片的正面侧的外周缘呈环状切削的所谓的边缘修剪技术(参照专利文献1)。另外，还考虑了如下的边缘修剪方法：沿着器件的外周缘照射激光束而形成环状的改质层，之后进行磨削，由此抑制磨削中产生的晶片的边缘缺损向器件伸展(参照专利文献2)。

4、专利文献1：日本特许第4895594号公报

5、专利文献2：日本特开2020-057709号公报

6、但是，专利文献1的方法存在如下的课题：在将晶片的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶片的加工方法，其中，

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，

4.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，

5.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，

【技术特征摘要】

1.一种晶片的加工方法，其中，

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林贤史，南崎开，水谷彬，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：