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本发明提供晶片的加工方法，在贴合晶片的磨削中，能够一边抑制器件的破损一边去除外周剩余区域。晶片的加工方法包含如下的步骤：第一改质层形成步骤，对在正面侧形成有多个器件且外周缘被倒角的第一晶片沿着第一晶片的比外周缘靠内侧规定的距离的位置呈环状照...
该专利属于株式会社迪思科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社迪思科授权不得商用。

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