【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体激光器，具体涉及一种inp基半导体激光器的制作方法。
技术介绍
1、光子集成芯片中经常需要制作半导体激光器与无源波导单片集成的结构，其中为了获得低阈值电流及高发光效率，激光器区域通常采用潜脊波导结构，波导刻蚀停止于量子阱材料层之上，而为了提高对光的限制能力，无源波导区域通常采用深脊波导结构，其刻蚀穿过无源波导层材料至衬底材料之中。为了获得不同深度的激光器波导与无源波导，器件制作中通常需要采用两次icp刻蚀工艺对两个区域进行分别刻蚀，这增加了器件制作的复杂度，降低了器件制作成品率，从而提高了器件制作成本。由此，为了降低单片集成深脊无源波导的inp基半导体激光器的制作复杂度，本专利技术现提出一种带有icp干法刻蚀停止层结构的inp基半导体激光器的制作方法。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种inp基半导体激光器的制作方法，可在单次icp刻蚀中同时形成激光器区的潜脊波导及无源波导区的深脊波导，以解决上述问题。
2、为实现上述目的，本专利技术所采用的技术方案是：一种inp基半导体激光器的制作方法，包括如下步骤：
3、s1、在inp衬底上生长含al的量子阱材料，并划分出激光器区和无源波导区；
4、s2、去除无源波导区的量子阱材料；
5、s3、在无源波导区的inp衬底上依次对接生长含al的刻蚀停止层材料、inp间隔层材料以及无源波导材料；
6、s4、在激光器区的量子阱材料上以及无源波导区的无源
7、s5、在包层inp材料上覆上掩膜条；
8、s6、采用icp刻蚀技术以ch4/h2/o2的气氛组合对激光器区和无源波导区进行刻蚀，在掩膜条的配合下制作脊型波导，刻蚀完成后，激光器区的刻蚀停止于量子阱材料而形成潜脊波导，无源波导区的刻蚀停止于刻蚀停止层材料而形成深脊波导。
9、优选的，s2中，位于无源波导区的inp衬底的一部分随该区的量子阱材料共同被去除。
10、优选的，s3中，所述无源波导材料不含al，其带隙波长小于量子阱带隙波长。
11、优选的，s5中，激光器区对应的掩膜条的宽度与无源波导区对应的掩膜条的宽度相同。
12、优选的，s5中，激光器区对应的掩膜条的宽度与无源波导区对应的掩膜条的宽度不同。
13、本专利技术的有益效果是：通过在激光器区设置含al的量子阱材料，在无源波导区的inp衬底上设置al的刻蚀停止层材料，可在采用icp刻蚀技术以ch4/h2/o2的气氛组合对激光器区和无源波导区同时进行刻蚀时，使激光器区的刻蚀能够自动停止于量子阱材料而形成潜脊波导，使无源波导区的刻蚀能够自动停止于刻蚀停止层材料而形成深脊波导。以此，使得在制作该器件时只需进行一次全区域刻蚀，即可同时形成所需的潜脊波导和深脊波导，无需对两个区域分别刻蚀，从而能有效降低制作该器件的复杂度，简化相应制作工艺，进而更有利于提高相应器件的制作成品率，降低相应器件的制作成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种InP基半导体激光器的制作方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的InP基半导体激光器的制作方法，其特征在于，S2中，位于无源波导区（11）的InP衬底（1）的一部分随该区的量子阱材料（2）共同被去除。
3.根据权利要求1所述的InP基半导体激光器的制作方法，其特征在于，S3中，所述无源波导材料（5）不含Al，其带隙波长小于量子阱带隙波长。
4.根据权利要求1所述的InP基半导体激光器的制作方法，其特征在于，S5中，激光器区（10）对应的掩膜条（7）的宽度与无源波导区（11）对应的掩膜条（7）的宽度相同。
5.根据权利要求1所述的InP基半导体激光器的制作方法，其特征在于，S5中，激光器区（10）对应的掩膜条（7）的宽度与无源波导区（11）对应的掩膜条（7）的宽度不同。
【技术特征摘要】
1.一种inp基半导体激光器的制作方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的inp基半导体激光器的制作方法，其特征在于，s2中，位于无源波导区（11）的inp衬底（1）的一部分随该区的量子阱材料（2）共同被去除。
3.根据权利要求1所述的inp基半导体激光器的制作方法，其特征在于，s3中，所述无源波导材料（5）不含al，其带隙波长...
【专利技术属性】
技术研发人员：李洋洋，张志伟，王科峰，
申请(专利权)人：河南承明光电新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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