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本发明涉及一种InP基半导体激光器的制作方法，包括在InP衬底上生长含Al的量子阱材料，并划分出激光器区和无源波导区；去除无源波导区的量子阱材料；在无源波导区的InP衬底上对接生长含Al的刻蚀停止层材料、InP间隔层材料以及无源波导材料；在...
该专利属于河南承明光电新材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河南承明光电新材料股份有限公司授权不得商用。

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