【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，特别是涉及一种版图结构、半导体结构以及存储器。
技术介绍
1、标准单元是集成电路设计的基础，标准单元可包括反相器、逻辑门电路、寄存器、缓冲器等集成电路中常使用的逻辑器件。在进行集成电路设计时，可根据设计需要，调用标准单元库中的标准单元版图来完成集成电路的版图布局设计，能够提高电路的设计效率。随着半导体器件的高集成度和高性能，优化标准单元是一种既能提高设计效率，又能提高半导体器件集成度和性能的可行手段。
技术实现思路
1、根据本公开的第一个方面，提供了一种半导体结构，包括：
2、逻辑器件，包括位于同一布线层的第一电源线和第二电源线，所述第一电源线和所述第二电源线均沿第一方向延伸，且沿第二方向并列排布，所述第一方向和所述第二方向相交且均平行于所述布线层所在平面；
3、开关驱动器件，与所述逻辑器件沿所述第一方向并列排布，所述开关驱动器件包括第一输入线和第一输出线，所述第一输入线和所述第一输出线与所述第一电源线位于同一布线层，所述第一输入线和所述第一输出线均沿所述第一方向延伸，且沿所述第二方向并列排布，其中，所述第一输出线与所述第一电源线或者所述第二电源线连接。
4、根据本公开的第二个方面，提供了一种存储器，包括如本公开第一个方面所述的半导体结构。
5、根据本公开的第二个方面，提供了一种版图结构，包括：
6、逻辑器件版图，包括位于同一版图布线层的第一电源线图形和第二电源线图形，所述第一电源线图形和所述第二电源线图
7、开关驱动器件版图，与所述逻辑器件版图沿所述第一方向并列排布，所述开关驱动器件版图包括第一输入线图形和第一输出线图形，所述第一输入线图形和所述第一输出线图形与所述第一电源线图形位于同一版图布线层，所述第一输入线图形和所述第一输出线图形均沿所述第一方向延伸，且沿所述第二方向并列排布，其中，所述第一输出线图形沿所述第一方向延伸，且与所述第一电源线图形或者所述第二电源线图形连接；所述开关驱动器件版图用于定义开关驱动器件，所述第一输入线图形用于定义第一输入线，所述第一输出线图形用于定义第一输出线。
8、本公开实施例提供的半导体结构中，逻辑器件和开关驱动器件沿第一方向并列排布，逻辑器件的第一电源线和第二电源线沿第一方向延伸，开关驱动器件的第一输出线、第一电源线和第二电源线位于同一布线层，其中，第一输出线与第一电源线连接，或者第一输出线或第二电源线连接。当开关驱动器件向逻辑器件提供本地电源时，电流从开关驱动器件的第一输出线直接流入逻辑器件的第一电源线或第二电源线，不会经过互连孔，因此可以大大减小本地电源网络的电阻值，减少电流传递过程中的损失，从而提高逻辑器件的本地电源的稳定性，进而提高逻辑器件的延迟时间的稳定性。
9、进一步地，第一电源线(或第二电源线)和第一输出线均是沿第一方向延伸至二者相互连接，因此，第一电源线(或第二电源线)和第一输出线的线路较短，可进一步减小本地网络的电阻值，减小电流传递过程中的损耗，提高逻辑器件的延迟时间的稳定性。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电源线包括第一主体线和第一本地线，所述第一主体线和所述第一本地线沿所述第二方向并列排布；
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电源线包括第二主体线和第二本地线，所述第二主体线和所述第二本地线沿所述第二方向并列排布；
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一输出线沿所述第二方向的线宽，等于所述第一本地线沿所述第二方向的线宽；
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述逻辑器件还包括：在所述第二方向并列设置的第一部件和第二部件，所述第一部件具有位于第一布线层的第一电源引出线，所述第二部件具有位于所述第一布线层的第二电源引出线，所述第一电源引出线和所述第二电源引出线均沿所述第二方向延伸；
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述开关驱动器件还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阱区包括多个所述第一源极区和多个所述第一漏极区，所述第一源极
8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述开关驱动器件还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第二阱区包括多个所述第二源极区和多个所述第二漏极区，所述第二源极区和所述第二漏极区沿所述第一方向交替排布，相邻所述第二源极区和所述第二漏极区之间设置有所述第二沟道，每一所述第二沟道上设置有所述第二栅极；
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述开关驱动器件还包括：
11.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括多个标准单元，所述标准单元包括所述逻辑器件和所述开关驱动器件，多个所述标准单元呈阵列排布；
12.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述逻辑器件包括反相器、逻辑门电路、缓冲器或锁存器中的至少一种。
13.一种存储器，其特征在于，包括如权利要求1至12任一项所述的半导体结构。
14.一种版图结构，其特征在于，包括：
15.根据权利要求14所述的版图结构，其特征在于，所述版图结构包括标准单元版图，所述标准单元版图包括所述逻辑器件版图和所述开关驱动器件版图，所述标准单元版图用于定义所述标准单元。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电源线包括第一主体线和第一本地线，所述第一主体线和所述第一本地线沿所述第二方向并列排布；
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电源线包括第二主体线和第二本地线，所述第二主体线和所述第二本地线沿所述第二方向并列排布；
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一输出线沿所述第二方向的线宽，等于所述第一本地线沿所述第二方向的线宽；
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述逻辑器件还包括：在所述第二方向并列设置的第一部件和第二部件，所述第一部件具有位于第一布线层的第一电源引出线，所述第二部件具有位于所述第一布线层的第二电源引出线，所述第一电源引出线和所述第二电源引出线均沿所述第二方向延伸；
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述开关驱动器件还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阱区包括多个所述第一源极区和多个所述第一漏极区，所述第一源极区和所述第一漏极区沿所述第一方向交替排布，相邻所述第一源极区和所述第一漏极区之间设置有所述第一沟道，每一所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕庆，姜伟，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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