System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 改性倍半硅氧烷及其合成方法、包含改性倍半硅氧烷的聚酰亚胺组合物和聚酰亚胺薄膜技术_技高网

改性倍半硅氧烷及其合成方法、包含改性倍半硅氧烷的聚酰亚胺组合物和聚酰亚胺薄膜技术

技术编号:40641793 阅读:3 留言:0更新日期:2024-03-13 21:23
本发明专利技术涉及改性倍半硅氧烷及其合成方法、通过将改性倍半硅氧烷作为填料加入到聚酰亚胺前体聚酰胺酸浆料中而得到的聚酰亚胺组合物、及其用途,作为该用途,可以列举例如聚酰亚胺薄膜。由八乙烯基倍半硅氧烷和含巯基官能团的非芳香化合物反应制得一种可修饰的笼型倍半硅氧烷,其侧基团为碳原子数6~10的直链烷基或直链酯基或直链全氟烷基,具有较低的介电常数,再结合八乙烯基倍半硅氧烷笼形框架结构的良好介电性能,使得最终合成的可修饰笼型倍半硅氧烷具有较低介电常数,而将此可修饰笼型倍半硅氧烷作为填料加入到聚酰亚胺前体聚酰胺酸浆料中能达到降低后续所制得薄膜介电常数降低的效果,如此制造具有高热稳定性的聚酰亚胺薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及改性倍半硅氧烷及其合成方法、通过将改性倍半硅氧烷作为填料加入到聚酰亚胺前体聚酰胺酸浆料中而得到的聚酰亚胺组合物、及其用途,作为该用途,可以列举例如聚酰亚胺薄膜。


技术介绍

1、聚酰亚胺薄膜在电子行业的应用非常广泛,由于聚酰亚胺薄膜具有优异的高温稳定性能和良好的隔电性能,因此常用于制作高温耐久、高稳定性的半导体材料,如集成电路、电容器、电感、超声波探测器等。但由于极性基团的存在,聚酰亚胺材料本身介电常数较高,而介电性能将影响着信号传输性能和器件功率损失等,特别是在高频信号和高速数字信号的传输中的影响是非常突出而严重的,因此需要一种低介电常数的聚酰亚胺材料。

2、研究发现,在聚合物基体中添加导电填料(如cnt、石墨烯、ag纳米粒子等)或介电常数高的陶瓷填料(如batio3),可以有效的提高聚合物的介电常数,但这些方法往往存在着许多不足。

3、倍半硅氧烷是一类分子中含有(rsio)1.5结构的硅氧化合物,按其形状,倍半硅氧烷可以分为无规、梯型、笼型及半笼型。其中,笼型多面体低聚倍半硅氧烷(poss)因其特殊的纳米结构、纳米尺寸效应、以及可修饰性,受到了人们极大的关注。笼型poss的框架结构可以赋予其良好的介电性能,而本专利技术技术人员合成一种可修饰的笼型倍半硅氧烷,将其作为填料加入到聚酰亚胺前体聚酰胺酸浆料中能达到降低后续所制得薄膜介电常数降低的效果。


技术实现思路

1、本专利技术人为了制得一种低介电常数的聚酰亚胺材料进行了深入研究,结果发现:一种改性倍半硅氧烷可提供较低的介电常数,将其作为填料加入到聚酰亚胺体系中可有效降低最终所制得薄膜的介电常数。

2、如此,根据本专利技术,能够提供(1)和(2)的改性倍半硅氧烷、(3)~(8)的改性倍半硅氧烷的合成方法、(9)的聚酰亚胺组合物、以及(10)的聚酰亚胺薄膜。

3、(1)、一种改性倍半硅氧烷,它具有如下式ⅰ所述结构:

4、

5、其由八乙烯基倍半硅氧烷和含巯基官能团的非芳香化合物反应制得,式ⅰ中,r基团为碳原子数6~10的直链烷基或直链酯基或直链全氟烷基。

6、(2)、(1)所述的改性倍半硅氧烷,所述含巯基官能团的非芳香化合物为正己烷基硫醇或巯基乙酸甲酯或全氟辛硫醇。

7、(3)、合成上述所述改性倍半硅氧烷的方法,包括步骤:将八乙烯基倍半硅氧烷和含巯基官能团的非芳香化合物溶解于有机溶剂中,充分溶解后添加引发剂,搅拌均匀后,进行加热反应,反应结束后,经冷却至室温、过滤、洗涤得到固体产物,并用甲醇对固体产物洗涤若干次,再经真空干燥即得改性倍半硅氧烷产物。

8、(4)、(3)所述的改性倍半硅氧烷的合成方法,所述用于溶解的溶剂为三氯甲烷或四氢呋喃。

9、(5)、(3)所述的改性倍半硅氧烷的合成方法,所述八乙烯基倍半硅氧烷和含巯基官能团的非芳香化合物的摩尔比为1∶(8~16)。

10、(6)、(3)所述的改性倍半硅氧烷的合成方法,所述八乙烯基倍半硅氧烷和引发剂的摩尔比为1∶(0.1%~0.5%)。

11、(7)、(3)所述的改性倍半硅氧烷的合成方法,所述引发剂为偶氮二异丁腈。

12、(8)、(7)所述的改性倍半硅氧烷的合成方法,步骤中所述加热反应温度为60℃~80℃,加热反应时间为2h。

13、(9)、一种聚酰亚胺组合物,包含:根据(1)或(2)所述的改性倍半硅氧烷;以及聚酰胺酸。

14、(10)、一种聚酰亚胺薄膜,采用如(9)所述的聚酰亚胺组合物,将聚酰亚胺组合物溶液涂布在玻璃基板表面,然后利用刮刀将溶液均匀地刮开,形成一层薄膜,并进行高温加热,最终得到聚酰亚胺薄膜。

15、本专利技术具有如下技术效果:合成的可修饰笼型倍半硅氧烷,其侧基团为直链性质的烷基、酯基或全氟烷基,它们均属于疏水基团,具有较低的介电常数,再结合八乙烯基倍半硅氧烷笼形框架结构的良好介电性能,使得最终合成的可修饰笼型倍半硅氧烷具有较低介电常数,而将此可修饰笼型倍半硅氧烷作为填料加入到聚酰亚胺前体聚酰胺酸浆料中能达到降低后续所制得薄膜介电常数降低的效果,如此制造具有高热稳定性的聚酰亚胺薄膜,可以用于有机发光显示(oled)衬底材料,同时材料具有低介电常数的特征,有助于提高显示的品质以及器件使用稳定性。

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【技术保护点】

1.一种改性倍半硅氧烷,其特征在于,具有如下式Ⅰ所述结构:

2.根据权利要求1所述的一种改性倍半硅氧烷,其特征在于,所述含巯基官能团的非芳香化合物为正己烷基硫醇或巯基乙酸甲酯或全氟辛硫醇。

3.一种合成如权利要求1或2所述改性倍半硅氧烷的方法,其特征在于,包括步骤:将八乙烯基倍半硅氧烷和含巯基官能团的非芳香化合物溶解于有机溶剂中,充分溶解后添加引发剂,搅拌均匀后,进行加热反应,反应结束后,经冷却至室温、过滤、洗涤得到固体产物,并用甲醇对固体产物洗涤若干次,再经真空干燥即得改性倍半硅氧烷产物。

4.根据权利要求3所述的一种改性倍半硅氧烷的合成方法,其特征在于,所述用于溶解的溶剂为三氯甲烷或四氢呋喃。

5.根据权利要求3所述的一种改性倍半硅氧烷的合成方法,其特征在于,所述八乙烯基倍半硅氧烷和含巯基官能团的非芳香化合物的摩尔比为1∶(8~16)。

6.根据权利要求3所述的一种改性倍半硅氧烷的合成方法,其特征在于,所述八乙烯基倍半硅氧烷和引发剂的摩尔比为1∶(0.1%~0.5%)。

7.根据权利要求6所述的一种改性倍半硅氧烷的合成方法,其特征在于,所述引发剂为偶氮二异丁腈。

8.根据权利要求3所述的一种改性倍半硅氧烷的合成方法,其特征在于,步骤中所述加热反应温度为60℃~80℃,加热反应时间为2h。

9.一种聚酰亚胺组合物,其特征在于,包含:

10.一种聚酰亚胺薄膜,其特征在于,采用如权利要求9所述的聚酰亚胺组合物,将聚酰亚胺组合物溶液涂布在玻璃基板表面,然后利用刮刀将溶液均匀地刮开,形成一层薄膜,并进行高温加热,最终得到聚酰亚胺薄膜。

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【技术特征摘要】

1.一种改性倍半硅氧烷,其特征在于,具有如下式ⅰ所述结构:

2.根据权利要求1所述的一种改性倍半硅氧烷,其特征在于,所述含巯基官能团的非芳香化合物为正己烷基硫醇或巯基乙酸甲酯或全氟辛硫醇。

3.一种合成如权利要求1或2所述改性倍半硅氧烷的方法,其特征在于,包括步骤:将八乙烯基倍半硅氧烷和含巯基官能团的非芳香化合物溶解于有机溶剂中,充分溶解后添加引发剂,搅拌均匀后,进行加热反应,反应结束后,经冷却至室温、过滤、洗涤得到固体产物,并用甲醇对固体产物洗涤若干次,再经真空干燥即得改性倍半硅氧烷产物。

4.根据权利要求3所述的一种改性倍半硅氧烷的合成方法,其特征在于,所述用于溶解的溶剂为三氯甲烷或四氢呋喃。

5.根据权利要求3所述的一种改性倍半硅氧烷的合成方法,其特征在于,所述八乙烯...

【专利技术属性】
技术研发人员:倪波张帅林赵冬兵张志远陈超
申请(专利权)人:苏州聚萃材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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