一种半导体结构的制作方法及其结构技术

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法及其结构，其中，半导体结构的制作方法包括：提供衬底，衬底包括PMOS区；形成沟道层，沟道层位于PMOS区的衬底的表面；形成栅极结构和保护层，栅极结构位于沟道层的表面，保护层覆盖栅极结构的表面以及沟道层的部分表面；在形成栅极结构及保护层之后，采用氢离子铸合工艺对沟道层的表面进行钝化处理可以降低半导体结构的漏电。

【技术实现步骤摘要】

本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构的制作方法及其结构。

技术介绍

1、存储器是一种常见半导体结构，且存储器包括阵列区和外围电路有源区，其中，阵列区具有存储阵列，外围电路有源区具有控制存储阵列的电路结构，且阵列区以及外围电路有源区的衬底内均设置有隔离结构。由于外围电路有源区中不同的晶体管需要配置不同的功能，从而需要形成不同的结构，如pmos区，且通常pmos区的衬底顶部需要形成沟道层，以提高pmos区中形成pmos晶体管的读取速度。

2、然而形成沟道层之后会增加存储器的漏电现象。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种半导体结构的制作方法，至少可以减低存储器结构的漏电现象。

2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构的制作方法，包括：提供衬底，所述衬底包括pmos区；形成沟道层，所述沟道层位于所述pmos区的所述衬底的表面；形成栅极结构和保护层，所述栅极结构位于所述沟道层的表面，所述保护层覆盖所述栅极结构的表面以及所述沟道层的部分表面；在形成所述栅极结本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述钝化处理包括：向所述沟道层通入含氢钝化气体，所述含氢钝化气体包括：氢气或者氢气与惰性气体的混合气体。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述钝化处理的温度为310～530℃。

4.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述钝化处理通入的含氢钝化气体的气流量为3.5L/min～6.5L/min。

5.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述钝化处理的时长为21min～39mi...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述钝化处理包括：向所述沟道层通入含氢钝化气体，所述含氢钝化气体包括：氢气或者氢气与惰性气体的混合气体。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述钝化处理的温度为310～530℃。

4.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述钝化处理通入的含氢钝化气体的气流量为3.5l/min～6.5l/min。

5.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述钝化处理的时长为21min～39min。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，进行所述钝化处理之前，还包括：形成绝缘层，所述绝缘层位于所述衬底的表面，且所述绝缘层覆盖所述保护层的侧壁；

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述第一导电柱的方法包括：刻蚀所述绝缘层，以形成凹槽，所述凹槽贯穿所述绝缘层以暴露所述pmos区的所述衬底的表面或所述凹槽贯穿所述绝缘层以及所述保护层以暴露所述栅极结构的顶面；

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述导电接触层的方法包括：

9.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文华，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：