功率半导体离子注入设备制造技术

本技术涉及半导体加工技术领域，具体为功率半导体离子注入设备，包括放置台，所述放置台的顶部设置有注入腔，且注入腔的顶部固定安装有离子发生器，所述注入腔的正面设置有密封门，所述注入腔的周侧设置有若干吸附组件，且吸附组件包括连接箱体、密封盖板、第一电动伸缩杆、吸附单元、清理板、收集斗，所述连接箱体固定安装于注入腔的侧面。该功率半导体离子注入设备，通过在注入腔周侧设置若干吸附组件，通过吸附组件中的第一导电体、第二导电体产生电场，可对腔体内的颗粒进行持续吸附，降低颗粒在注入腔内部累积的速率，从而能够降低对注入腔的清理、维护频次，延长维护周期的同时还减少了维护时长、降低了维护成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体加工，具体为功率半导体离子注入设备。

技术介绍

1、离子注入设备是晶圆制造过程中的重要工艺设备之一，其主要是在晶圆的规定区域进行预定要求的离子注入。在离子注入设备的壳体内设置有注入腔，注入腔内安装有晶圆台，晶圆台用于承载晶圆。离子注入开始后，由离子源产生的离子在电磁驱动装置的作用下从束流注入区加速向晶圆台方向运动，与此同时，晶圆台在驱动装置的驱动下配合运动。在此过程中，由于晶圆表面的部分区域覆盖有掩膜，因此，离子会以极快的速度射入晶圆未被掩膜覆盖的区域并进入晶圆内部一定深度，从而形成离子注入区。

2、在离子注入过程中，受生产环境以及晶圆移动的影响，注入腔内不可避免的汇引入或产生颗粒，当这些微颗粒与需要注入的离子的尺寸在一个数量级或更大时，尤其当注入腔内微颗粒数量累积到一定程度时，很可能会附着在晶圆未被掩膜覆盖的区域。此时，离子可能无法射入晶圆内部或者改变了入射深度，导致无法得到符合工艺参数的离子注入区，进而使产品性能下降、甚至失效。并且随着半导体制程线宽不断减小，上述颗粒对产品性能造成的影响会越来越大。为解决上述问题，通常是对注入腔进行高频次的检测维护，通过对注入腔进行清理，以减少其中颗粒的数量，确保产品的合格率。但是，通过上述方式进行处理，不但增加了维护成本和维护时长，也影响设备的稼动率以及产线产能，为此我们提出功率半导体离子注入设备以解决上述问题。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本技术提供了功率半导体离子注入设备，解决了上述
技术介绍
中提出的问题。

2、为实现以上目的，本技术通过以下技术方案予以实现：功率半导体离子注入设备，包括放置台，所述放置台的顶部设置有注入腔，且注入腔的顶部固定安装有离子发生器，所述注入腔的正面设置有密封门，所述注入腔的周侧设置有若干吸附组件，且吸附组件包括连接箱体、密封盖板、第一电动伸缩杆、吸附单元、清理板、收集斗，所述连接箱体固定安装于注入腔的侧面，所述连接箱体的端部通过螺栓固定安装有密封盖板，且密封盖板上固定安装有第一电动伸缩杆，所述第一电动伸缩杆的输出轴上固定连接有吸附单元，所述放置台的顶部放置有半导体晶圆。

3、优选的，所述吸附单元包括绝缘连接板、第一导电体、第二导电体、连接端头、导向柱，所述绝缘连接板与第一电动伸缩杆的输出轴固定连接，所述绝缘连接板的底部固定安装有若干第一导电体、第二导电体。

4、优选的，所述第一导电体与第二导电体在绝缘连接板底部交错分布，相邻所述第一导电体、第二导电体之间的间距为1-3cm。

5、优选的，所述绝缘连接板上设置有两组连接端头，一组所述连接端头与所述第一导电体电性连接，另一组所述连接端头与所述第二导电体电性连接。

6、优选的，所述绝缘连接板上固定安装有两组导向柱，且导向柱与密封盖板活动连接。

7、优选的，所述清理板与第一导电体、第二导电体相互配合，所述清理板的厚度值与第一导电体、第二导电体之间的间距相同。

8、优选的，所述收集斗的底部铰接有清理门，所述收集斗的一侧活动安装有二级电动伸缩杆，且二级电动伸缩杆的输出轴与清理门活动连接。

9、本技术提供了功率半导体离子注入设备，具备以下有益效果：

10、1、该功率半导体离子注入设备，通过在注入腔周侧设置若干吸附组件，通过吸附组件中的第一导电体、第二导电体产生电场，可对腔体内的颗粒进行持续吸附，降低颗粒在注入腔内部累积的速率，从而能够降低对注入腔的清理、维护频次，延长维护周期的同时还减少了维护时长、降低了维护成本，同时通过多组吸附单元对注入腔内部各处进行吸附，可实现对注入腔内部的全面处理。

11、2、该功率半导体离子注入设备，在吸附单元对颗粒吸附后，通过第一电动伸缩杆带动吸附单元移动，并通过清理板对密封盖板、第一电动伸缩杆进行清理，使吸附单元可持续进行工作，同时清理板对颗粒清理后，颗粒落入收集斗中，可通过二级电动伸缩杆带动清理门转动，将清理处的颗粒排出，实现对颗粒的自动清理。

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【技术保护点】

1.功率半导体离子注入设备，包括放置台(1)，其特征在于：所述放置台(1)的顶部设置有注入腔(5)，且注入腔(5)的顶部固定安装有离子发生器(2)，所述注入腔(5)的正面设置有密封门(3)，所述注入腔(5)的周侧设置有若干吸附组件(4)，且吸附组件(4)包括连接箱体(41)、密封盖板(42)、第一电动伸缩杆(43)、吸附单元(44)、清理板(45)、收集斗(46)，所述连接箱体(41)固定安装于注入腔(5)的侧面，所述连接箱体(41)的端部通过螺栓固定安装有密封盖板(42)，且密封盖板(42)上固定安装有第一电动伸缩杆(43)，所述第一电动伸缩杆(43)的输出轴上固定连接有吸附单元(44)，所述放置台(1)的顶部放置有半导体晶圆(6)。

2.根据权利要求1所述的功率半导体离子注入设备，其特征在于：所述吸附单元(44)包括绝缘连接板(441)、第一导电体(442)、第二导电体(443)、连接端头(444)、导向柱(445)，所述绝缘连接板(441)与第一电动伸缩杆(43)的输出轴固定连接，所述绝缘连接板(441)的底部固定安装有若干第一导电体(442)、第二导电体(443)。

3.根据权利要求2所述的功率半导体离子注入设备，其特征在于：所述第一导电体(442)与第二导电体(443)在绝缘连接板(441)底部交错分布，相邻所述第一导电体(442)、第二导电体(443)之间的间距为1-3cm。

4.根据权利要求3所述的功率半导体离子注入设备，其特征在于：所述绝缘连接板(441)上设置有两组连接端头(444)，一组所述连接端头(444)与所述第一导电体(442)电性连接，另一组所述连接端头(444)与所述第二导电体(443)电性连接。

5.根据权利要求4所述的功率半导体离子注入设备，其特征在于：所述绝缘连接板(441)上固定安装有两组导向柱(445)，且导向柱(445)与密封盖板(42)活动连接。

6.根据权利要求5所述的功率半导体离子注入设备，其特征在于：所述清理板(45)与第一导电体(442)、第二导电体(443)相互配合，所述清理板(45)的厚度值与第一导电体(442)、第二导电体(443)之间的间距相同。

7.根据权利要求6所述的功率半导体离子注入设备，其特征在于：所述收集斗(46)的底部铰接有清理门(47)，所述收集斗(46)的一侧活动安装有二级电动伸缩杆(48)，且二级电动伸缩杆(48)的输出轴与清理门(47)活动连接。

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【技术特征摘要】

1.功率半导体离子注入设备，包括放置台(1)，其特征在于：所述放置台(1)的顶部设置有注入腔(5)，且注入腔(5)的顶部固定安装有离子发生器(2)，所述注入腔(5)的正面设置有密封门(3)，所述注入腔(5)的周侧设置有若干吸附组件(4)，且吸附组件(4)包括连接箱体(41)、密封盖板(42)、第一电动伸缩杆(43)、吸附单元(44)、清理板(45)、收集斗(46)，所述连接箱体(41)固定安装于注入腔(5)的侧面，所述连接箱体(41)的端部通过螺栓固定安装有密封盖板(42)，且密封盖板(42)上固定安装有第一电动伸缩杆(43)，所述第一电动伸缩杆(43)的输出轴上固定连接有吸附单元(44)，所述放置台(1)的顶部放置有半导体晶圆(6)。

2.根据权利要求1所述的功率半导体离子注入设备，其特征在于：所述吸附单元(44)包括绝缘连接板(441)、第一导电体(442)、第二导电体(443)、连接端头(444)、导向柱(445)，所述绝缘连接板(441)与第一电动伸缩杆(43)的输出轴固定连接，所述绝缘连接板(441)的底部固定安装有若干第一导电体(442)、第二导电体(443)。

3.根据权利要求2所述的功率半导体离子注入设备，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：金飞，魏明宇，
申请(专利权)人：江苏星辉半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：