【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体而言涉及一种扩展电阻分布样品及其制备方法。
技术介绍
1、随着半导体技术不断发展，对于外延片的电阻率及均匀性要求不断提高。扩展电阻分布(spreading resistance profile，srp)的空间分辨率较高，广泛应用测量外延片的掺杂率、电阻率和载流子浓度等。srp检测方法中，先使用两个探针通过检测与硅片上一个参考点之间的电势降与流过探针的电流之比来获取待测样品的扩展电阻，再用校准曲线来确定待测样品在探针接触点附近的电阻率，进而计算测试点所对应的的载流子浓度。为了提升空间分辨率，同时根据目标测量深度不同，可以将待测样品截面方向磨成一系列的角度，形成待测面。
2、现有的扩展电阻分布样品的制备方法中，通常将待测样品固定在研磨装置的角度规上，以特定角度研磨形成待测面。但是，待测样品和研磨装置的角度规贴合不平整会导致研磨后的待测样品测试误差较大。此外，当待测样品的厚度较小时，研磨过程中可能产生形变，并且可能产生研磨不平整的情况，由于形变和研磨不平整是随机出现的，这将使得srp检测结果重复性差且误差
【技术保护点】
1.一种扩展电阻分布样品的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述待测样品的非测试面形成基板层包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述基板黏附层包括热固性胶水和/或耐高温胶水，所述热固性胶水和所述耐高温胶水的耐受温度大于预设温度。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述盖板黏附层包括热塑性胶水，并且所述盖板黏附层的面积大于所述基板黏附层的面积，所述热塑性胶水的熔化温度小于或等于所述预设温度。
5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，将所述盖...
【技术特征摘要】
1.一种扩展电阻分布样品的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述待测样品的非测试面形成基板层包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述基板黏附层包括热固性胶水和/或耐高温胶水，所述热固性胶水和所述耐高温胶水的耐受温度大于预设温度。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述盖板黏附层包括热塑性胶水，并且所述盖板黏附层的面积大于所述基板黏附层的面积，所述热塑性胶水的熔化温度小于或等于所述预设温度。
5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，将所述盖板贴合在所述基板上包括加热所述盖板至所述预设温度使所述盖板黏附层熔化后将所述盖板贴合在所述基板上。
6.根据权利要求5所述的制备方...
【专利技术属性】
技术研发人员：王志明，吴小芳，朱军号，范鲁斌，
申请(专利权)人：芯联集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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