温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种扩展电阻分布样品及其制备方法。制备方法包括:首先提供待测样品;再在待测样品的非测试面形成基板层;然后通过基板层将待测样品固定在研磨装置的承载装置上;之后控制研磨装置的研磨面研磨待测样品背离基板层的部分,形成待测面,通过在待测...该专利属于芯联集成电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过芯联集成电路制造股份有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种扩展电阻分布样品及其制备方法。制备方法包括:首先提供待测样品;再在待测样品的非测试面形成基板层;然后通过基板层将待测样品固定在研磨装置的承载装置上;之后控制研磨装置的研磨面研磨待测样品背离基板层的部分,形成待测面,通过在待测...