System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种高压半导体-气体放电管复合式高压放电点火电路制造技术_技高网

一种高压半导体-气体放电管复合式高压放电点火电路制造技术

技术编号:40636341 阅读:4 留言:0更新日期:2024-03-13 21:19
本发明专利技术属于航空发动机点火领域,具体涉及一种高压半导体‑气体放电管复合式高压放电点火电路。包括:滤波器、变压器T1、整流硅堆V1、储能电容C1、气体放电管V2、输出保护电阻R1、高压可控硅SCR1、晶闸管SCR2、整流二极管V3、V4和V5、储能电容C2和C3、引弧电容C4、三极管Q1、可调电压基准源Q2、触发变压器T2、升压变压器T3、以及电阻R2~R7、触发变压器T2、升压变压器T3。通过增加高压半导体器件形成一条新的引弧电路,与原放电电路组合形成复合式放电电路。实现用半导体器件控制大能量传输的控制方式,进而减小放电管的损耗,达到延长寿命的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于航空发动机点火领域,具体涉及一种高压半导体-气体放电管复合式高压放电点火电路


技术介绍

1、目前,传统航空发动机点火装置中气体放电管的使用寿命是制约点火装置寿命的主要因素之一。点火装置工作时,储能电容中存储的电能电压到达放电管导通电压后,所有能量经放电管向后级设备输出。大能量点火装置的储能一般在15j以上,放电频率在(2~4)hz,因此,在点火装置工作期间气体放电管需持续传输大能量,而全功率工作状态下的气体放电管寿命较短,这就需要设计出具有更长寿命的点火电路。


技术实现思路

1、
技术实现思路
:提供一种高压半导体-气体放电管复合式高压放电点火电路,提高点火电路寿命。

2、技术方案:

3、一种高压半导体-气体放电管复合式高压放电点火电路,包括:滤波器、变压器t1、整流硅堆v1、储能电容c1、气体放电管v2、输出保护电阻r1、高压可控硅scr1、晶闸管scr2、整流二极管v3、v4和v5、储能电容c2和c3、引弧电容c4、三极管q1、可调电压基准源q2、触发变压器t2、升压变压器t3、以及电阻r2~r7、触发变压器t2、升压变压器t3,其中,滤波器的输出端与变压器t1的初级绕组连接,变压器t1的第一次级绕组的一端与整流硅堆v1正极连接;整流硅堆v1的负极与储能电容c1一端、电阻r5一端、气体放电管v2一端连接;变压器t1的第二次级绕组的一端与整流二极管v3的正极连接;整流二极管v3的负极与储能电容c2的一端、二极管v5的负极、触发变压器t2的初级线圈的一端连接;二极管v5的正极与触发变压器t2的初级线圈的另一端、晶闸管scr2的阳极连接;变压器t1的第三次级绕组的一端与二极管v4的正极连接;二极管v4的负极与储能电容c3的一端、电阻r2的一端、三极管q1的发射极连接;电阻r2的另一端与可调电压基准源q2的阴极、电阻r3的一端连接;电阻r3的另一端与三极管q1的基极连接;电阻r4的一端与三极管q1的集电极、晶闸管scr2的门极连接;触发变压器t2的次级线圈的一端与高压可控硅scr1的门极连接;触发变压器t2的次级线圈的另一端与高压可控硅scr1的阴极、升压变压器t3的初级线圈的一端连接;高压可控硅scr1的阳极与电阻r5的另一端、电阻r6的一端、引弧电容c4的一端连接;电阻r6的另一端与电阻r7的一端、可调电压基准源q2的门极连接;气体放电管v2的另一端与输出保护电阻r1的一端、升压变压器t3的次级线圈的一个输出端连接;变压器t1的第一次级绕组的另一端、储能电容c1另一端、变压器t1的第二次级绕组的另一端、变压器t1的第三次级绕组的另一端、储能电容c2的一端、晶闸管scr2的阴极、储能电容c3的另一端、可调电压基准源q2的阳极、电阻r4的另一端、晶闸管scr2的阴极、引弧电容c4的另一端、电阻r7的另一端、输出保护电阻r1的另一端、升压变压器t3的初级线圈的另一端接地;升压变压器t3的次级线圈的另一个输出端与地作为输出端。

4、进一步地,高压可控硅scr1为pt20a35f8。

5、进一步地,晶闸管scr2选用器件型号为3ct2324。

6、进一步地,三极管q1选用3ck024e型pnp三极管。

7、进一步地,可调电压基准源q2选用器件型号为cw431t。

8、进一步地,放电管v2选用器件型号为r3120。

9、进一步地,变压器t1匝数比为1:(30:1:1)。

10、进一步地,变压器t2匝数比为3:1。

11、有益效果:

12、本专利技术提出的一种高压半导体-气体放电管复合式高压放电电路,通过增加高压半导体器件形成一条新的引弧电路,与原放电电路组合形成复合式放电电路。实现用半导体器件控制大能量传输的控制方式,进而减小放电管的损耗,达到延长寿命的目的。

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【技术保护点】

1.一种高压半导体-气体放电管复合式高压放电点火电路,其特征在于,包括:滤波器、变压器T1、整流硅堆V1、储能电容C1、气体放电管V2、输出保护电阻R1、高压可控硅SCR1、晶闸管SCR2、整流二极管V3、V4和V5、储能电容C2和C3、引弧电容C4、三极管Q1、可调电压基准源Q2、触发变压器T2、升压变压器T3、以及电阻R2~R7、触发变压器T2、升压变压器T3,其中,滤波器的输出端与变压器T1的初级绕组连接,变压器T1的第一次级绕组的一端与整流硅堆V1正极连接;整流硅堆V1的负极与储能电容C1一端、电阻R5一端、气体放电管V2一端连接;变压器T1的第二次级绕组的一端与整流二极管V3的正极连接;整流二极管V3的负极与储能电容C2的一端、二极管V5的负极、触发变压器T2的初级线圈的一端连接;二极管V5的正极与触发变压器T2的初级线圈的另一端、晶闸管SCR2的阳极连接;变压器T1的第三次级绕组的一端与二极管V4的正极连接;二极管V4的负极与储能电容C3的一端、电阻R2的一端、三极管Q1的发射极连接;电阻R2的另一端与可调电压基准源Q2的阴极、电阻R3的一端连接;电阻R3的另一端与三极管Q1的基极连接;电阻R4的一端与三极管Q1的集电极、晶闸管SCR2的门极连接;触发变压器T2的次级线圈的一端与高压可控硅SCR1的门极连接;触发变压器T2的次级线圈的另一端与高压可控硅SCR1的阴极、升压变压器T3的初级线圈的一端连接;高压可控硅SCR1的阳极与电阻R5的另一端、电阻R6的一端、引弧电容C4的一端连接;电阻R6的另一端与电阻R7的一端、可调电压基准源Q2的门极连接;气体放电管V2的另一端与输出保护电阻R1的一端、升压变压器T3的次级线圈的一个输出端连接;变压器T1的第一次级绕组的另一端、储能电容C1另一端、变压器T1的第二次级绕组的另一端、变压器T1的第三次级绕组的另一端、储能电容C2的一端、晶闸管SCR2的阴极、储能电容C3的另一端、可调电压基准源Q2的阳极、电阻R4的另一端、晶闸管SCR2的阴极、引弧电容C4的另一端、电阻R7的另一端、输出保护电阻R1的另一端、升压变压器T3的初级线圈的另一端接地;升压变压器T3的次级线圈的另一个输出端与地作为输出端。

2.根据权利要求1所述的高压半导体-气体放电管复合式高压放电点火电路,其特征在于,高压可控硅SCR1为PT20A35F8。

3.根据权利要求1所述的高压半导体-气体放电管复合式高压放电点火电路,其特征在于,晶闸管SCR2选用器件型号为3CT2324。

4.根据权利要求1所述的高压半导体-气体放电管复合式高压放电点火电路,其特征在于,三极管Q1选用3CK024E型PNP三极管。

5.根据权利要求1所述的高压半导体-气体放电管复合式高压放电点火电路,其特征在于,可调电压基准源Q2选用器件型号为CW431T。

6.根据权利要求1所述的高压半导体-气体放电管复合式高压放电点火电路,其特征在于,放电管V2选用器件型号为R3120。

7.根据权利要求1所述的高压半导体-气体放电管复合式高压放电点火电路,其特征在于,变压器T1匝数比为1:(30:1:1)。

8.根据权利要求1所述的高压半导体-气体放电管复合式高压放电点火电路,其特征在于,变压器T2匝数比为3:1。

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【技术特征摘要】

1.一种高压半导体-气体放电管复合式高压放电点火电路,其特征在于,包括:滤波器、变压器t1、整流硅堆v1、储能电容c1、气体放电管v2、输出保护电阻r1、高压可控硅scr1、晶闸管scr2、整流二极管v3、v4和v5、储能电容c2和c3、引弧电容c4、三极管q1、可调电压基准源q2、触发变压器t2、升压变压器t3、以及电阻r2~r7、触发变压器t2、升压变压器t3,其中,滤波器的输出端与变压器t1的初级绕组连接,变压器t1的第一次级绕组的一端与整流硅堆v1正极连接;整流硅堆v1的负极与储能电容c1一端、电阻r5一端、气体放电管v2一端连接;变压器t1的第二次级绕组的一端与整流二极管v3的正极连接;整流二极管v3的负极与储能电容c2的一端、二极管v5的负极、触发变压器t2的初级线圈的一端连接;二极管v5的正极与触发变压器t2的初级线圈的另一端、晶闸管scr2的阳极连接;变压器t1的第三次级绕组的一端与二极管v4的正极连接;二极管v4的负极与储能电容c3的一端、电阻r2的一端、三极管q1的发射极连接;电阻r2的另一端与可调电压基准源q2的阴极、电阻r3的一端连接;电阻r3的另一端与三极管q1的基极连接;电阻r4的一端与三极管q1的集电极、晶闸管scr2的门极连接;触发变压器t2的次级线圈的一端与高压可控硅scr1的门极连接;触发变压器t2的次级线圈的另一端与高压可控硅scr1的阴极、升压变压器t3的初级线圈的一端连接;高压可控硅scr1的阳极与电阻r5的另一端、电阻r6的一端、引弧电容c4的一端连接;电阻r6的另一端与电阻r7的一端、可调电压基准源q2的门极连接;气体放电管v2的另一端与输出保护电...

【专利技术属性】
技术研发人员:彭雨豪杨水银梁杰李成武焦文娟
申请(专利权)人:陕西航空电气有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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