一种在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层及其制备方法和应用，涉及半导体材料技术领域。该方法将SnBr<subgt;2</subgt;和CsBr粉末置于石英舟中，并放置于管式炉的加热区域；将衬底置于刚玉舟中，并放置于管式炉位于石英舟的一侧；对管式炉抽真空，并向管式炉中持续通入从石英舟朝刚玉舟方向的惰性气体，生长温度为570℃，加热时长为15min，即在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层。本发明专利技术通过化学气相沉积法在硅衬底上生长具有良好晶体质量的竖立的全无机CsSnBr<subgt;3</subgt;单晶钙钛矿，可用于高效率钙钛矿发光和光伏器件的开发。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料，具体涉及一种在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层及其制备方法和应用。

技术介绍

1、钙钛矿(perovskite)最早是由gustav rose在1839年发现并以俄罗斯矿物学家levalekseevich perovski的名字命名的化合物。钙钛矿的结构通式一般为amx3，其中a为单价阳离子，m为二价金属阳离子，x为单价卤化物阴离子。钙钛矿通常的结构为：八个阳离子位于立方体的顶点，一个金属阳离子位于立方体的中心，六个卤化物阴离子分布在立方体的面心。位于立方体的中心位置的金属离子和6个卤素阴离子构成钙钛矿的基本框架：[mx6]4﹣八面体结构。根据一价阳离子的不同，卤化物钙钛矿可以分为有机-无机杂化钙钛矿和全无机钙钛矿。全无机金属卤化物钙钛矿材料由于其优异的光电性能，包括带隙连续可调、载流子迁移距离长、载流子注入速率平衡、量子产率高、缺陷容忍度高等特性，在光伏、照明、显示、激光、成像与探测等领域均呈现出较大的应用潜力，近年来吸引了人们极大的关注。

2、特别地，自激光器问世以来，随着光子技术和微纳加工技术的发展，激光技术已广泛应本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层的制备方法，其特征在于，所述SnBr2和CsBr的摩尔比为1：1。

3.根据权利要求1所述的在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层的制备方法，其特征在于，放有衬底的刚玉舟上还加盖有矩形刚玉舟；

4.根据权利要求1所述的在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层的制备方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气，纯度为99.999％，流速为100～200sccm。

5.根据权利要求1所述的在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层的制备方法，其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层的制备方法，其特征在于，所述snbr2和csbr的摩尔比为1：1。

3.根据权利要求1所述的在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层的制备方法，其特征在于，放有衬底的刚玉舟上还加盖有矩形刚玉舟；

4.根据权利要求1所述的在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层的制备方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气，纯度为99.999％，流速为100～200sccm。

5.根据权利要求1所述的在硅衬底上生长的竖立钙钛矿片层的制备方法，其特征在于，加热至生长温度的时长为80-120min。

6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：尚景智，李思雨，乔敬源，张欣雨，张学文，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：